Новости про Hynix

SK Hynix назвала информацию о Big Navi поддельными новостями

Сегодня SK Hynix сообщила, что опубликованные слухи неверны. Компания уверяет, что не создавала и не распространяла документацию по этому вопросу. Также компания пригрозила СМИ, осуществившим дезинформацию, нежелательными действиями, включая потенциальные «судебные дела». В SK Hynix считают, что такие действия могут быть необходимы для собственной защиты и защиты бизнеса их клиентов.

Представленные спецификации скорее всего не являются игровым продуктом, и больше похожи на 7 нм Vega для ускорителя расчётов Radeon Instinct. Возможно из-за этого SK Hynix называет информацию фейком.

AMD Big Navi получит 24 ГБ памяти HBM2e

Компания AMD уже дважды пообещала новую супермощную видеокарту Big Navi, и теперь о ней появились свежие слухи.

Новые сведения пришли из публикации CyberPunkCat в Twitter, который уверяет, что получил от SK Hynix некоторую информацию о будущем ускорителе Big Navi. По его сведениям, видеокарта будет содержать 24 ГБ видеопамяти HBM2e с пропускной способностью более 2 ТБ/с и шиной 4096 бит.

Спецификации видеокарты Big Navi
Спецификации видеокарты Big Navi

Также спецификации будут включать GPU с 5120 шейдерным блоком, 320 TMU, 96 ROP, 80 вычислительными блоками и 12 МБ кэша L2. Процессор получит архитектуру RDNA2 и будет изготавливаться по оптимизированной технологии 7 нм++.

Очевидно, что новое решение AMD будет дорогим. Оно планируется для игр в разрешении 4K. С его помощью AMD хочет сделать с NVIDIA то же, что она сделала раньше с Intel на рынке центральных процессоров.

Intel возвращает титул самого большого производителя микросхем

По данным аналитической компании Gartner общемировой рынок полупроводниковых продуктов в 2019 году резко снизился, составив лишь 418,3 миллиарда долларов. Это на 11,9% ниже, чем в 2018 году. Основной спад пришёлся на память, а потому Intel практически не потеряла прибыль, что и позволило ей выйти вперёд.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

Рынок полупроводниковых устройств в 2019 году
Рынок полупроводниковых устройств в 2019 году

SK Hynix объявляет о выходе на рынок SSD

Известный производитель микросхем памяти SK Hynix анонсировала выпуск собственных твердотельных накопителей модели Gold S31, по сути заявив о выходе на рынок SSD.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

SSD Gold S31 от SK Hynix
SSD Gold S31 от SK Hynix

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Упаковка SSD Gold S31
Упаковка SSD Gold S31

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

SK Hynix рассчитывает на 800-слойные чипы к 2030 году

В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Накопитель PE8000 от SK Hynix
Накопитель PE8000 от SK Hynix

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

SK Hynix представила самую быструю память HBM2E

Компания SK Hynix представила самый быстрый продукт в мире в сегменте HBM. Новые стеки широкополосной памяти способны пропускать данные со скоростью 460 ГБ/с.

Современная видеокарта NVIDIA RTX 2080 имеет 8 ГБ памяти GDDR6 и обеспечивает скорость в 448 ГБ/с. Решение от HBM2E имеет объём 16 ГБ, то есть вдвое больше, и при этом обеспечивает большую скорость.

Микросхемы памяти SK Hynix HBM2E
Микросхемы памяти SK Hynix HBM2E

Также эта память вдвое быстрее той, что применяется в AMD RX Vega 56, что делает достижение SK Hynix ещё более впечатляющим. Другой пример. Общая пропускная способность памяти HBM в AMD Radeon VII составляет 1024 ГБ/с. Если бы новое решение HBM2E установили в эту видеокарту, то она имела бы общую скорость на уровне 1840 ГБ/с, что на 80% быстрее.

В компании SK Hynix сообщают, что планируют предложить новую память уже в 2020 году. Именно этот год в фирме считают лучшим для развития данного рынка в сфере видеоускорителей, чипов ИИ и ускорителей машинного обучения.

SK Hynix приступает к массовому производству 128-слойной 4D NAND

Компания SK Hynix начала массовое производство первой в мире 128-слойной памяти типа 4D NAND.

В мире 3D NAND оптимальным путём повышения плотности является увеличение числа слоёв в стековой структуре NAND. Компания SK Hynix сообщила, что она первой в мире приступила к производству 128-слойных чипов TLC NAND объёмом 1 Тб, используя 4D структуру. Конечно, инженеры не открыли четвёртое измерение, а просто разместили слой периферии под стеком 3D NAND.

128-слойные NAND чипы SK Hynix
128-слойные NAND чипы SK Hynix

С переходом на 128-слойные стеки компания может увеличить продуктивность на 40%, по сравнению с нынешней 96-слойной структурой. Кроме того, переход на новую технологию позволяет на 40% сократить себестоимость производства.

Компания планирует начать поставки 4D NAND памяти во второй половине этого года, обещая скорости передачи данных на уровне 1400 Мб/с при напряжении 1,2 В. Эти чипы окажутся крайне полезными для мобильных устройств.

Также компания сообщила, что планирует создавать собственные клиентские SSD объёмом до 2 ТБ на базе собственных контроллеров. Для корпоративного рынка SK Hynix будет разрабатывать накопители объёмом 16 ТБ и 32 ТБ.

Следующим шагом компании станет создание 176-слойных чипов NAND.

SK Hynix начала поставки образцов 96-слойных терабитных микросхем QLC 4D NAND

Компания SK Hynix начала поставки новых микросхем QLC объёмом 1 Тбит главным производителям контроллеров для SSD. Об этом сообщила сама SK Hynix.

Компания отметила, что она применяет собственную QLC технологию для построения 96-слойных 4D чипов. Она отмечает, что её новые микросхемы объёмом 1 Тбит будут доступны производителям «как раз к открытию рынка QLC».

При этом фирма сообщает, что занимается разработкой собственного программного алгоритма по работе с памятью QLC и контроллера, и планирует выпустить соответствующие решения вовремя, чтобы отвечать требованиям клиентов.

Чипы и продукты на базе памяти SK Hynix
Чипы и продукты на базе памяти SK Hynix

«Мы планируем выпускать собственные SSD на основе QLC со следующего года, когда ожидается значительный спрос на QLC NAND для промышленности», — заявил вице-президент и глава разработки стратегии NAND в SK Hynix Хан Джу На. «В частности, мы намерены занять надёжную позицию на рынке высокоплотных eSSD, которые заменяют жёсткие диски решениями на базе NAND Flash, поскольку имеют объём 16 ТБ или больше».

Факт поставки образцов терабитных QLC NAND микросхем прокомментировал исполнительный директор Silicon Motion Technology Уоллес Коу: «Мы получили инженерные образцы QLC от SK Hynix и мы поражены общей производительностью. Образцы отвечают требованиям к клиентским SSD».

По прогнозам IDC доля QLC памяти на рынке NAND должна вырасти с 3% в 2019 году до 22% в 2023 году, в то время как рынок eSSD будет расти по 48% в год, быстро заменив HDD в течение 5 лет.

SK Hynix публикует детали о первом чипе DDR5

Компания SK Hynix представила детали о первой микросхеме памяти типа DDR5. Стандарт ещё не завершён Jedec, но это никогда не останавливало производителей.

Новая память должна обеспечивать удвоение пропускной способности и удвоение плотности, по сравнению с DDR4. Также будет улучшена канальная эффективность. Донкьюн Ким, конструктор микросхем в Hynix, представил спецификацию микросхемы памяти DDR5. Этот чип является 16 Гб микросхемой SDRAM, работающей со скоростью 6,4 Гб/с на контакт. Напряжение питания составляет 1,1 В, а площадь кристалла — 76,22 мм2. Чип изготавливается по 1y нм технологии.

Спецификация и микрофотография чипа DDR5
Спецификация и микрофотография чипа DDR5

Для уменьшения помех в микросхеме были применены ряд новых техник, включая модифицированную петлю слежения за задержками с оборотом фаз и осциллятор со слежением за подачей сигнала. Увеличению скорости памяти способствовала специальная система тренировки записи.

Немногим ранее Samsung также опубликовала документ о памяти нового типа. Ей стала 10 нм LPDDR5 SDRAM со скоростью 7,5 ГБ/с и напряжением 1,05 В.

Ожидается, что первые рыночные образцы памяти DDR5 появятся уже в конце текущего года.

Память PC5 DDR5 появится в 2020 году

Один из сотрудников исследовательского подразделения SK Hynix Ким Дон-Кьюн заявил, что память стандарта PC5 DDR5 может появиться на рынке уже в следующем году.

Первыми на рынке будут представлены модули стандарта DDR5-5200, что почти вдвое выше, чем первоначально у DDR4-2666. Дон-Кьюн заявил: «Мы обсуждаем несколько концептов пост-DDR5. Один концепт — это поддержание нынешней тенденции по ускорению передачи данных, а другой — комбинирование технологии DRAM с процессом технологий систем-на-чипе, таких, как CPU». Дополнительных пояснений специалист не дал.

В прошлом году на SK Hynix создали работающий прототип, 16-гигабитный (2 ГБ) чип DDR5 DRAM, работающий на скорости 5200 МТ/с при напряжении 1,1 В. Это значит, что модуль с шиной 64 бита сможет работать на скорости 41,6 ГБ/с.

Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix
Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix

При этом у SK Hynix есть собственные разработки по повышению производительности чипов DDR5, не нарушая стандартов. «Мы разработали мультифазную синхронизацию, которая позволяет поддерживать напряжение в ходе высокоскоростных операций в чипе на низком уровне, размещая множество фаз внутри интегральной схемы так, что питание, используемое на каждой фазе, низкое, но скорость высокая благодаря объединению», — сообщил Ким.

Также он сообщил, что уже ведётся разработка стандарта DDR6, которому поставлена задача удвоения пропускной способности и плотностей, по отношению к DDR5.

Потребность в модернизации оперативной памяти сейчас вызвана не столько экосистемой PC, сколько портативными устройствами и электроникой самоуправляемых автомобилей.