Новости про Hynix

SK Hynix представляет 16 Гб чипы DDR5

Один из крупнейших производителей оперативной памяти, SK Hynix, разработала память DDR5 объёмом 16 Гб, которая, по словам разработчиков, является первой в мире памятью, полностью отвечающей стандартам JEDEC.

DDR5 — это следующее поколение оперативной памяти, которое предложит высочайшую скорость и плотность при сниженном потреблении энергии, по сравнению с DDR4. Память, в первую очередь, предназначена для применения в отраслях с большим обменом данными, например, в Big Data, искусственном интеллекте и машинном обучении.

Оперативная память от SK Hynix
Оперативная память от SK Hynix

Новые 16 Гб чипы DRAM изготовлены по 1Y-нм технологии и поддерживают скорость передачи данных в 5200 Мб/с. Производитель ожидает, что в массовое производство эти чипы поступят в 2020 году. Ожидается, что с этого времени на память DDR5 появится большой спрос, и уже в 2021 году она займёт 25% рынка ОЗУ, а годом позднее — 44%.

SK Hynix выпускает 96-слойную 4D NAND TLC память

Для сохранения физического пространства и увеличения ёмкости накопителей производители NAND памяти увеличивают количество слоёв размещения ячеек.

Компания SK Hynix представила свои новые передовые микросхемы 96-слойной памяти, которые она характеризовала как «Основанные на CTF 4D NAND флеш». Конечно, это «4D» является больше маркетинговым ходом. Как и остальные производители, SK Hynix производит многослойные стековые микросхемы. Традиционно, у Micron и Intel ячейки-уловители заряда имеют плавающий затвор. В то время как у SK Hynix ячейки с зарядом располагаются слоями, образуя как бы четвёртое измерение. Проще говоря, каждый из 96 слоёв кристаллов памяти сам по себе слоистый.

Накопители и микросхемы NAND от SK Hynix
Накопители и микросхемы NAND от SK Hynix

Ещё одним вариантом названия данной технологии является «периферия под ячейкой», поскольку ячейки с зарядом расположены не сбоку от управляющей ячейки, а под ней.

Отличия в конструкции NAND памяти типов 2D, 3D и 4D
Отличия в конструкции NAND памяти типов 2D, 3D и 4D

Эти 96-слойные стеки позволяют компании упаковать 512 Гб (64 ГБ) TLC флеш в одну микросхему. Разработчики уверяют, что эта техника позволяет уменьшить размер ядра на 30% и увеличить на 49% количество хранимых битов на пластине, по сравнению с традиционной 72-слойной структурой 512 Гб продуктов.

При этом также удалось добиться 30% прироста скорости по записи и 25% по чтению, правда, методики измерения не приводятся. Сказано лишь, что при 1,2 В скорость достигает 1200 Мб/с.

Позднее в этом году Hynix хочет выпустить 1 ТБ SSD на базе новой 4D NAND памяти и собственных контроллерах.

SK Hynix представляет концепцию 4D памяти

Трёхмерная память NAND произвела революцию в накопителях. Третье, высотное измерение, позволило набирать слои NAND памяти, увеличивая объём в десятки раз и открыв путь высокоёмким потребительским SSD.

Однако в SK Hynix считают, что могут ещё улучшить этот процесс благодаря четырёхмерным NAND пакетам. Речь не идёт об искривлении пространства-времени. Разработчики предлагают производить обычные 3D структуры, связывая слои NAND. Четвёртое измерение будет касаться расположения самих ячеек памяти.

NAND память SK Hynix

В современной NAND памяти ячейки, хранящие заряд, располагаются вдоль периферийного блока, который отвечает за запись каждой ячейки. 4D NAND предполагает размещение этих ячеек в несколько слоёв, сокращая пространство для хранения данных.

Концепция памяти 4D NAND
Концепция памяти 4D NAND
Производительность 4D NAND
Производительность 4D NAND

Размещая ячейки в стеках, SK Hynix планирует связывать их с периферийным блоком проводниками. Таким образом, в каждом слое стека 3D NAND будет храниться большее число ячеек, а конечный накопитель будет иметь большую ёмкость при тех же габаритах. Стек V5 от SK Hynix предполагает размещение друг над другом четырёх ячеек памяти и одной периферийного блока.

Будуще памяти 4D NAND
Будуще памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND

Первая реализация памяти 4D NAND выполнена в 96-слойном чипе памяти TLC объёмом 512 Гб. При этом технология готова и для QLC. Опытное производство этого чипа объёмом 512 Гб начнётся к концу текущего года. На следующий же год разработчики планируют выпустить чипы объёмом 1 Тб.

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

Оперативная память Samsung
Оперативная память Samsung

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Samsung, SK Hynix и Micron обвиняются в сговоре

В течение 2017 года мы наблюдали рост цен на чипы оперативной и NAND. Каждый раз обозреватели говорили о растущем спросе и дефиците, ведущему к подорожанию, однако люди всё равно продолжали приобретать память.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

Микросхема памяти Micron

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

GDDR6 будет выпущена через 3 месяца

В ходе конференции GTC обговаривалась возможность использования памяти GDDR6 от SK Hynix в графических продуктах. Было отмечено, что память нового типа будет готова для массового производства в июле 2018 года.

Новая память найдёт себе место в различных продуктах NVIDIA, от устройств автопилотов для автомобилей до большинства, если не всех, игровых видеокарт. Надо сказать, что эти сведения очень хорошо коррелируют с тем, что стало известно о плате Turing.

Чип GDDR6 от SK Hynix
Чип GDDR6 от SK Hynix

Учитывая, что массовое производство GDDR6 от SK Hynix начнётся в июне-июле, можно ожидать появления новых GPU только после этого времени. К тому же, нужно учесть, что новую память нужно произвести, получить, и установить на платы, сделать складские запасы видеокарт и только после этого начинать продажи.

О том, когда стоит ожидать новые видеоплаты NVIDIA пока ничего не известно, но в самом лучшем случае их фактический выпуск состоится не раньше, чем через три месяца, ведь именно Hynix будет первым поставщиком памяти GDDR6 для NVIDIA.

SK Hynix обновляет промышленные SSD 72-слойной памятью

Компания SK Hynix анонсировала завершение разработки промышленных твердотельных накопителей с интерфейсом SATA.

Эти накопители получили новые микросхемы памяти 3D NAND объёмом 512 Гб, состоящей из 72 слоёв. Таким образом, компания удвоила плотность своих микросхем. С новыми устройствами компания открывает для себя рынок SSD высокого объёма.

SSD Hynix на базе 72-слойной памяти

Объединив микросхемы объёмом 512 Гб с контроллерами и их прошивками собственного производства, компания создала накопители объёмом до 4 ТБ. Последовательная скорость чтения в новых SSD достигает 560 МБ/с, а записи — 515 МБ/с. Случайная скорость чтения может достигать 98 000 IOPS, а записи — 32 000 IOPS. Также компания сообщила о снижении задержек при чтении с SSD, что является важнейшим элементом в обеспечении производительности. Сейчас SK Hynix начинает поставки опытных экземпляров клиентам.

Кроме SSD накопителей компания также разрабатывает PCIe SSD объёмом более 1 ТБ на базе той же 72-слойной памяти. Эти накопители обеспечивают последовательную скорость на уровне 2700/1100 МБ/с и 230 000/35 000 IOPS при случайном доступе для чтения/записи соответственно.

SK Hynix анонсирует 16 Гб чипы DDR4

Компания SK Hynix добавила в линейку своих продуктов одноядерные чипы памяти DDR4 объёмом 16 Гб, что обеспечивает удвоение максимальной ёмкости планок DIMM.

Это позволяет компании выпускать модули того же объёма, что раньше, используя для этого вдвое меньше микросхем. В результате снижается энергопотребление модулей и появляется возможность создания модулей повышенного объёма. Это очень важно, поскольку позволят экипировать сервера от Intel или AMD модулями ОЗУ общим объёмом 4 ТБ.

SK Hynix

Чипы SK Hynix 16 Гб DDR4 организованы как 1Gx16 и 2Gx8 и собраны в пакеты FBGA96 и FBGA78. Микросхемы объёмом 16 Гб предлагают скорости DDR4-2133 CL15 или DDR4-2400 CL17 при напряжении 1,2 В. В будущем компания обещает увеличить частоты, выпустив линейки DDR4-2666 CL19.

Спецификации 16 Гб памяти

HBM2 у SK Hynix стоит вдвое дороже первого поколения

Компания SK Hynix представила финансовый отчёт по результатам работы во втором квартале этого года, в котором прокомментировала финансовую сторону производства памяти HBM2.

Производитель памяти сообщил, что работает с множеством партнёров, чтобы обеспечить выпуск на рынок памяти GDDR6 и HBM2. Одним из важнейших заявлений компании стало то, что компания по-прежнему не приступила к массовому производству памяти HBM2. При этом она даже не готова назвать дату коммерческого выпуска продукции, ограничившись размытым «вторым полугодием» 2017.

SK Hynix

По сравнению с устаревающей технологией GDDR5, процессы GDDR6 и HBM2 станут более дорогими. Компания не стала сообщать точных сумм, но отметила, что клиенты будут платить в 2,5 раза больше, чем за первое поколение HBM. Конечно, это неполная информация, так что сравнение получилось очень приблизительным.

Таким образом, южнокорейская Samsung является единственным производителем памяти HBM2 в мире. Возможно, поэтому AMD так сильно задержала выпуск видеокарт Radeon RX Vega.

SK Hynix представила спецификации HBM2 и GDDR6

Десять дней назад производитель памяти, компания SK Hynix, представила первые микросхемы памяти GDDR6, и вот теперь компания опубликовала спецификации этих микросхем.

Также компания анонсировала доступность памяти HBM2. Вероятно, поэтому AMD до сих пор не могла выпустить видеокарты Vega. Если же AMD воспользуется памятью HBM2 от SK Hynix, то скорость работы памяти составит 410 ГБ/с при комплектации двумя стеками.

Память GDDR6 от SK Hynix

High-Bandwidth-Memory 2

Плотность

Пропускная способность

Скорость

Доступность

4 ГБ

256 ГБ/с

2,0 Гб/с

Q3 2016

4 ГБ

204 ГБ/с

1,6 Гб/с

Q3 2016

4 ГБ

256 ГБ/с

2,0 Гб/с

Будет уточнёно

4 ГБ

204,8 ГБ/с

1,6 Гб/с

Q1 2017

4 ГБ

204,8 ГБ/с

1,6 Гб/с

Q2 2017

Что касается GDDR6, то эта память будет готова в последней четверти года. Данную память намного легче интегрировать в видеоплаты, поэтому она обладает большим, чем HBM2, потенциалом. Чипы GDDR6 объёмом 8 Гб будут представлены в двух вариантах. Быстрая версия предложить скорость в 14 Гб/с, а медленная — 12 Гб/с. Это означает, что пропускная способность памяти достигнет 672 ГБ/с при ширине шины 384 бита и 448 ГБ/с при шине 256 бит. Для сравнения, в видеоплате GeForce GTX 1080 (Ti) память работает на скорости 11 Гб/с.

Микросхема HBM2

Микросхема GDDR6