7994420702;horizontal

Новости про Hynix

SK Hynix готовит 4 ГБ чипы HBM2 для Vega #

2 февраля 2017

Компания SK Hynix, основной производитель широкополосной памяти для компании AMD, впервые появившейся на видеоплатах Radeon R9 Fury, представила новую спецификацию HBM2, которая предполагает выпуск 4 гигабайтных (32 Гб) стеков HBM2 в первом квартале 2017 года.

Этот документ открывает путь для массового производства и доступности на рынке видеоускорителей AMD с кодовым именем Vega, которые получат по два 4 ГБ стека HBM2, что в сумме предложит 8 ГБ видеопамяти.

Multi chip module

Стек памяти с названием H5VR32ESM4H-H1K будет интегрирован в многочиповый модуль (MCM) AMD Vega10. Он работает на скорости 1,60 Гб/с (на каждый пин) с общей пропускной способностью 204,8 ГБ/с на чип. Обладая парой таких чипов видеокарта Vega10 сможет работать с памятью на скорости 409,6 ГБ/с, при условии, что AMD будет использовать базовые частоты для этой памяти.

AMD, GPU, HBM, Hynix, Vega, видеопамять


SK Hynix выпускает 8 ГБ LPDDR4 #

27 декабря 2016

Компания SK Hynix присоединилась к Samsung, предложив разработчикам смартфонов и планшетов мобильную оперативную память объёмом 8 ГБ. Таким образом в следующем году стоит ожидать появления телефонов с 8 ГБ оперативной памяти, только не понятно, для чего она нужна.

Для производства памяти компания использовала старый и хорошо отлаженный 21 нм процесс, при том что многие ожидали увидеть более технологичные микросхемы, изготовленные по 16 нм или даже 10 нм нормам, однако этот процесс запланирован компанией только на 2017 год.

Новая память поддерживает передачу данных уровне 3733 МТ/с и обеспечивает скорость до 29,8 Гб/с. Эти цифры выглядят впечатляюще, однако для их достижения LPDDR4 необходимо напряжение в 1,1 В или выше.

SK Hynix

Конкурирующий стандарт LPDDR4X требует напряжения 0,6 В, позволяя снизить энергопотребление на 45%. Первым процессором, который поддерживает данную память стал MediaTek P20, однако он ограничен поддержкой 2x3 ГБ LPDDR4X. Так что первым чипом с поддержкой 8 ГБ ОЗУ станет Snapdragon 835.

В любом случае, такой объём оперативно памяти будет избыточен для смартфонов. Он может иметь смысл лишь для некоторых конвертеров и устройств 2-в-1, особенно на фоне полноценной работоспособности Windows 10 на топовых процессорах Qualcomm.

DDR4, Hynix, оперативная память

«Fudzilla»

SK Hynix начнёт поставки HBM2 в третьем квартале #

2 августа 2016

Компания SK Hynix представила каталог своей продукции, согласно которому компания будет выпускать память HBM2 с третьего квартала 2016 года.

Фирма будет поставлять стеки объёмом 4 ГБ в микросхемах высотой 4 уровня. Эти чипы позволят выпускать видеокарты с шиной памяти шириной до 4096 бита и объёмом видеопамяти до 16 ГБ.

Для сравнения, первое поколение памяти HBM имело объём стека 1 ГБ, что означало 4 ГБ на видеокарту в четырёх стеках.

Пластина памяти HBM2

Несмотря на то, что SK Hynix является первым производителем памяти HBM для AMD Radeon R9 Fury X, компания не смогла быстро подготовить второе поколение памяти. В то же время Samsung уже начала производство HBM2.

Сообщается, что память HBM2 от SK Hynix будет доступна в двух вариантах с разными скоростями, которые составят 2,0 Гб/с и 1,6 Гб/с.

Готовность к выпуску памяти нового типа может означать готовность AMD к выпуску видеокарт Vega, которые будут использовать стековую память второго поколения, и которые появятся в продаже в начале следующего года.

HBM, Hynix, видеопамять


Цена на DRAM может упасть на 40% #

31 марта 2016

Производители оперативной памяти, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, после перехода на более тонкие техпроцессы производства, смогли увеличить ёмкости пластин, а значит, и объёмы выпуска, что по мнению президента Пеи Ин Ли Nanya Technology, тайваньского производителя памяти, может повлечь снижение цены во втором полугодии.

Ли отметил, что со стороны крупных производителей ОЗУ начнётся ценовой прессинг, который расширится и на остальные рынки памяти, включая память для мобильных устройств, серверов и бытовых гаджетов. При этом компания считает, что амплитуда удешевления не будет столь экстремальной, какой она была в первом квартале.

Память Samsung

Во втором полугодии господин Ли ожидает, что спрос на чипы DRAM будет выше, чем в первом, однако условия рынка будут менее понятными, а цена будет зависеть от того, насколько быстро Samsung, Hynix и Micron нарастят мощности.

Он отмечает, что возможно падение цены на 20—30%, однако если производство быстро наберёт обороты, можно ожидать снижения цены на 25—40%. При этом Ли отметил, что в прошлом году цена на DRAM снизилась на 20—30%.

Hynix, Micron, Samsung, аналитика, оперативная память, прогнозы

«DigiTimes»

SK Hynix будет производить стеки HBM2 объёмом 4 ГБ и 8 ГБ #

19 марта 2016

Согласно сообщениям сайта Golem.de, который утверждает, что получил доступ к дорожной карте SK Hynix, компания начнёт выпуск стеков памяти HBM2 объёмом 4 ГБ в третьем квартале. Стеки объёмом 8 ГБ появятся в четвёртом квартале 2016 года.

Как известно, оба производителя видеокарт, AMD и NVIDIA, в своих новых решениях Polaris и Pascal соответственно, будут использовать память HBM2. Сейчас Hynix уже производит стеки объёмом 2 ГБ, однако пока неизвестно, когда они будут показаны общественности. Что касается конкурентов, то Samsung уже начал серийное производство 4 ГБ чипов HBM2 по 20 нм технологии. Позднее, но в этом году, компания планирует перейти к производству 8 ГБ чипов.

Память SK Hynix

Появление HBM2 памяти от the SK Hynix позволит AMD и NVIDIA, а также их производственным партнёрам, диверсифицировать поставки, снизив дефицит на память и позволив контролировать цены.

HBM, Hynix

«Fudzilla»

7994420702;horizontal

SK Hynix отвергла финансовое предложение Tsinghua #

2 декабря 2015

Китайская правительственная компания Tsinghua давно ищет способы стать крупнейшим производителем микросхем памяти в мире, для чего она готова потратить огромные средства.

Согласно недавним слухам, Tsinghua Unigroup хотела приобрести большую долю в SK Hynix, и теперь детали этой сделки стали известны общественности. Китайская компания хотела приобрести 20% акций южнокорейской SK Hynix за 5,3 миллиарда долларов США, с условием, что последняя построит завод по производству NAND памяти в Китае. Однако корейская фирма отклонила это предложение, заявив, что SK Hynix не продаётся.

SK Hynix

Марк Ньюмэн из аналитической компании Bernstein Research сообщил: «Изучая другие отрасли, в которые вошёл Китай (смартфоны, солнечная энергетика, LCD и т.д.), становится понятно, что однажды войдя в отрасль, Китай не остановится, пока не будет доминировать на рынке с постоянным экономическим и массовым подавлением. В SK Hynix об этом предупреждены, что и является главной причиной, по которой, по нашему мнению, они отклонили предложение Tsinghua».

flash-память, Hynix, NAND, финансы


SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год #

23 октября 2015

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

20 нм, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память


NVIDIA будет использовать HBM от двух компаний #

23 сентября 2015

Промышленные источники отмечают, что компании Samsung Electronics и SK Hynix готовятся начать массовое производство памяти второго поколения High Bandwidth Memory (HBM), которое будет предназначаться для новой линейки GPU NVIDIA под именем Pascal.

Ожидается, что фаза массового производства начнётся в первом квартале 2016 года, однако пилотное производство и тесты надёжности будут завершены до конца этого года. Второй в мире производитель памяти, SK Hynix, уже поставляла первое поколение широкополосной памяти для AMD и NVIDIA, однако во втором поколении к этой гонке решила подключиться и Samsung.

Работа памяти в Pascal

К сожалению, Micron пока не будет поставлять память для видеокарт. Несмотря на то, что её технология HMC (Hybrid Memory Cubes) очень похожа на HBM, компания пока не может обеспечить достаточное качество продукции.

Структура HBM

Используя второе поколение HBM вместе с GPU Pascal, компания NVIDIA сможет добиться намного лучшего результата, чем AMD с первым поколением HBM в видеокартах Fury X, Fury, Nano и Fury X2.

Кроме того, NVIDIA получит и более плотные чипы, что без сомнения позволит увеличить объем видеопамяти в картах до 16—32 ГБ при шине 4096 бит. В результате будущие видеоигры без проблем смогут работать в разрешениях 4K или даже 8K. Также память HBM обладает высокой энергоэффективностью. При увеличении скорости передачи данных в 4—8 раз, по сравнению с традиционной DDR, широкополосная память потребляет на 40% меньше энергии.

GPU, HBM, Hynix, NVIDIA, Pascal, Samsung, видеопамять

«WCCF Tech»

SK Hynix начинает производство 20 нм памяти #

2 апреля 2015

Компания SK Hynix, второй в мире производитель оперативной памяти, объявил, что во втором полугодии начинает массовое производство DRAM памяти, используя для этого 20 нм технологический процесс. Данный переход позволит компании лучше соответствовать нуждам рынка хай-энд памяти.

Сейчас наиболее совершенные технологии, доступные SK Hynix, включают размеры элементов 25 и 29 нанометров. Более тонкий производственный процесс позволит производителям выпускать на 30% больше чипов ОЗУ на пластинах того же диаметра в 300 мм, которые использовались ранее. В результате себестоимость каждой такой микросхемы будет ниже, что означает большую прибыль для компании.

Некоторые эксперты считают, что 20 нм техпроцесс крайне важен для производителей памяти, поскольку позволит выйти на плотности равные 8 Гб на чип, такие же, как существуют в памяти DDR4.

ОЗУ DDR4 производства SK Hynix

По информации крупнейшего в мире трекера памяти, DRAMeXchange, SK Hynix за второе полугодие 2014 значительно продвинулась в качестве производства по 25 нм технологии, что позволило фирме существенно увеличить прибыль. Ранее сообщалось, что Samsung Electronics, мировой лидер в области памяти, в этом году будет использовать 20 нм технологию для более чем половины всей производимой памяти. Эта компания приступила к массовому производству в конце прошлого года.

Третий крупнейший игрок рынка, Micron Technology, начал опытное 20 нм производство микросхем в четвёртом квартале 2014 года. Компания планирует увеличить массовое производство по 20 нм технологии также в этом году, однако объёмы будет относительно малыми.

20 нм, Hynix, оперативная память, производство

«KitGuru»

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4 #

9 декабря 2014

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

DDR4, Hynix, LPDDR, Micron, Qualcomm, Samsung, оперативная память, смартфон

«Fudzilla»

SK Hynix начала поставки 8 ГГц стековой памяти GDDR5 #

25 ноября 2014

Ведущий производитель видеопамяти, компания SK Hynix, начала поставки памяти GDDR5 с высокой пропускной способностью (HBM) с возможностью упаковки в 3D стеки, что означает возможность включения большего числа ячеек памяти на интегральной схеме.

По некоторым данным, эти чипы будут использованы в видеоускорителях AMD Radeon R9 390X.

Как известно, лучшие графические платы AMD, например, Radeon R9 290X, имеют память частотой 5—6 ГГц, в то время как NVIDIA наслаждается несколько большей частотой в 7 ГГц. Новые микросхемы Hynix позволят AMD поднять частоту до 8 ГГц в чипах объёмам 4 Гб, которые мы сможем увидеть в некоторых топовых графических решениях компании следующего поколения.

Стековая память Hynix

С учётом того, что по слухам, новая карта Radeon R9 390X будет иметь шину шириной 4096 бит, эти поставки памяти могут означать относительно скорое появление нового поколения графики не только от AMD, но и от NVIDIA.

Современное топовое решение AMD имеет шину памяти в 512 бит, однако новая стековая память окажется несравнимо быстрее, особенно с учётом партнёрского договора между Hynix и AMD.

GDDR5, Hynix, Radeon, видеокарты, видеопамять


SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти #

27 октября 2014

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

16 ГБ NVDIMM модули от Hynix

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

DDR4, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память


Начались продажи памяти DDR4 #

28 июня 2014

Хотя чипсет Intel X99, вместе с процессорами Haswell-E, не поступит в продажу раньше сентября, один производитель памяти уже начал продажи модулей DDR4, пока лишь в Японии.

Стандарт памяти наконец-то получил обновление. Первой платформой, которая её поддерживает, станет Intel с чипсетом X99.

Память DDR4 от SanMax

И для тех, кто хочет заполучить пока бесполезную память DDR4, один компьютерный магазин в Японии уже начал продавать модули объёмом 16 и 32 ГБ по цене в 350 и 685 долларов США соответственно. Конечно, цена немного шокирует, но не забывайте, что это первое предложение на рынке. Предлагаемые модули памяти изготовлены компанией SanMax из чипов производства SKHynix.

Маркировка памяти DDR4 от SanMax

Память DDR4 поддерживает намного большую скорость передачи данных на уровне 2133—4266 МТ/с, в то время как предшественник работал на скоростях 800—2133 МТ/с. Новая память будет иметь и увеличенное количество контактов — 288, по сравнению с 240, и будет питаться напряжением 1,2 В.

DDR4, Hynix, оперативная память

«VR-Zone»

SK Hynix разрабатывает 128 ГБ модули DDR4 #

15 апреля 2014

Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.

Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу.

«Разработка первого в мире 128 ГБ модуля DDR4 является важным в открытии серверного рынка ультравысокой плотности», — заявил Сун Джу Хон, глава подразделения DRAM в SK Hynix. «В дальнейшем компания усилит свою конкурентоспособность и сфере премиальной ОЗУ, разрабатывая высокоплотные, сверхвысокоскоростные и слабомощные потребительские продукты».

128 ГБ модуль DDR4 от Hynix

Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.

Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.

DDR4, Hynix, оперативная память

«VR-Zone»

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM #

20 февраля 2014

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Samsung DDR3

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

25 нм, Hynix, Micron, Samsung, аналитика, оперативная память, производство

«DigiTimes»