Новости про flash-память и Intel

Память MRAM готова к производству

Компания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Фотография памяти SRAM MRAM
Фотография памяти SRAM MRAM

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 106 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Блок-схема памяти MRAM
Блок-схема памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies
Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

DIMM модуль Optane

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Планы на Optane DIMM

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

Intel демонстрирует Optane 3D XPoint SSD

В ходе конференции Oracle OpenWorld компания Intel воспользовалась возможностью представить свою свежую реализацию революционной памяти 3D XPoint, которая должна заменить NAND флеш в качестве следующего шага развития твердотельных технологий. Новый тип памяти предлагает экспоненциальный рост скорости и плотности.

Optane — это кодовое имя для будущих SSD Intel на базе памяти 3D XPoint, с быстрыми интерфейсами (PCIe M.2, U.2, карта расширения PCIe) и протоколом NVMe. В работе сервера Oracle серии X5-2 модели 1U, он показал в 4,42 раза большую скорость случайного доступа, 6,44 раза меньшие задержки, по сравнению с лучшими NAND SSD образцами. Также, при работе с ПО от Oracle, накопитель Optane обещает в 7,13 раза большую пропускную способность.

Optane DIMM SSD

Кроме Optane компания также представила прототип 3D XPoint SSD в форм-факторе памяти DDR4 DIMM. Таким образом, компания надеется обойти все узкие места в транспортных шинах и обращаться непосредственно к контроллеру памяти процессора.

Преимущества 3D Xpoint SSD

Преимущества 3D Xpoint SSD

Системные интеграторы смогут объединять оперативную память DDR4 и SSD модули, обеспечив наименьшие, из возможных, задержки передачи данных в системе. По словам исполнительного директора Intel Брайана Крзанича, модули Optane DIMM будут иметь производительность близкую к оперативной памяти, а потому могут ускорить реализацию идеи хранения базы данных в памяти.

Intel продемонстрировала новую память 3D Xpoint

На прошлой неделе мы писали о том, что компания Intel готовится к презентации твердотельного накопителя, основанного на памяти нового типа под названием 3D Xpoint, которая может заменить память NAND уже в следующем году.

В Intel назвали новый накопитель Optane SSD. Сообщается, что он будет доступен в форм факторах M.2/NGFF, SATA-Express, либо в виде платы PCI-Express.

На конференции IDF фирма представила первый инженерный образец накопителя, и выяснилось, что он в 5,5 раз быстрее, чем основанный на NAND SSD серии P3700, и это ещё сырая разработка!

Сравнение производительности NAND и 3D Xpoint

Новый накопитель также поддерживает и протокол связи NVMe. По сравнению с AHCI, у которого глубина очереди команд составляет 32, в протоколе NVMe очередь может достигать 65 536 команд.

Как известно, 3D Xpoint разработана совместно с Micron, таким образом, в будущем году нам стоит ожидать новую технологию не только в SSD под брендом Intel, но и под брендом Crucial.

Intel анонсирует прорыв в области энергонезависимой памяти

Компания Intel в партнёрстве с Micron анонсировала прорыв в технологии памяти, которая изменит подход к хранению данных. Технология получила название 3D XPoint (читается CrossPoint).

Компании считают данный прорыв крупнейшим с момента разработки NAND Flash, которая впервые была представлена в 1989 году. Новая технология предлагает энергонезависимую память совершенно нового класса. Так, память 3D XPoint будет в 1000 раз быстрее, чем обычная NAND и будет обладать в 1000 раз большей надёжностью. И это ещё не всё, ведь новая память будет в 10 раз плотнее нынешних образцов.

Xpoint может вмещать 128 Гб на одном чипе

Всё это означает, что новая память позволит заметно ускорить работу современных компьютеров даже без изменения производительности процессоров. Сейчас один из крупнейших барьеров производительности заключён во времени, необходимом для передачи данных от CPU к накопителю, однако в 3D XPoint это время резко сокращено. По словам Intel, это позволит использовать PC в совершенно новых областях, к примеру, новая память даст врачам возможность изучать распространение болезни в реальном времени, а ЦОД смогут записывать и считывать информацию заметно быстрее.

Структура памяти 3D XPoint

Наши коллеги из Neowin пообщались с представителями Intel и выяснили, что фирма уже начала изготавливать память 3D XPoint и готовится передать её избранным партнёрам, а уже в следующем году появятся новые продукты на основе памяти 3D XPoint.

Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC конфигурации, и 384 битный в TLC конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

32 слойная MLC память NAND от Intel

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Intel: 3D NAND приведёт к появлению 10 ТБ SSD

В ходе интернет совещания с инвесторами, компания Intel рассказала о своих планах по флэш-памяти NAND.

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Слайд презентации 3D NAND

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Intel показала прототип флэш-накопителя для Thunderbolt

Нет сомнения, что главным доходом Intel являются их центральные процессоры, однако это вовсе не означает, что Haswell стала единственной вещью, которую компания привезла на Computex.

Одной из интересных вещей фирмы стал прототип флэш-накопителя с интерфейсом подключения Thunderbolt, который, по словам Intel, является самой быстрой технологией передачи данных между компьютером и периферией.

По большому счёту представленный 128 ГБ накопитель выглядит как обычная USB флэшка. На самом деле внутри неё установлен простой SSD от SanDisk, однако само устройство подключается к ПК посредством стандартного порта Thunderbolt. При этом в отличие от большинства периферии накопитель не требует использования дорого интерфейсного кабеля.

Thunderbolt флэшка Intel

Современная версия технологии Thunderbolt обеспечивает скорость передачи данных в 10 Гб/с, что в два раза выше, чем у USB 3.0. Несмотря на такое технологическое преимущество лишь небольшая часть ПК оснащена портами Thunderbolt, да и рынок не пестрит устройствами, подключаемыми по данному интерфейсу. В их число входит лишь небольшая часть мониторов и внешних накопителей.

Сейчас же прототип готов и продемонстрирован. Инженер Thunderbolt Орен Хабер сообщил, что существует некоторый интерес производителей в выпуске подобных устройств, поскольку они обладают крайне высокой скоростью передачи данных, но при этом он так и не сказал, будет ли подобный гаджет когда-либо выпущен на рынок.

Intel готовит снижение цен на потребительские SSD

И снова радостная новость о ценах. На сей раз от полупроводникового гиганта — компании Intel.

В следующем месяце Intel планирует снизить цены на широкий спектр своих твердотельных накопителей модельных рядов 320, 330 и 520. Цена будет снижена до 38%, и это касается не самых дешевых накопителей.

Изменения не коснутся 320-го модельный ряда SSD с низким объёмом, однако высокоёмкие накопители размером в 300 ГБ и 600 ГБ получат заметное снижение цены.

Удешевление SSD Intel 320-й серии:

  • SSD 320 300 ГБ: OEM-цена снижена с 499 $ до 444 $, розничная цена снижена с 519 $ до 464 $ (−10,6%);
  • SSD 320 600 ГБ: OEM-цена снижена с 1039 $ до 859 $, розничная цена снижена с 1059 $ до 879 $ (−17%).

SSD Intel 330-й серии

Удешевление SSD Intel 330-й серии:

  • SSD 330 60 ГБ: розничная цена снижена с $94 до $69 (−26,5%);
  • SSD 330 120 ГБ: розничная цена снижена с $149 до $104 (−30,2%);
  • SSD 330 180 ГБ: розничная цена снижена с $234 до $154 (−4,1%).

Удешевление SSD Intel 520-й серии:

  • SSD 520 60 ГБ: OEM-цена снижена с 99 $ до 89 $, розничная цена снижена с 109 $ до 99 $ (−9%);
  • SSD 520 120 ГБ: OEM-цена снижена с 179 $ до 129 $, розничная цена снижена с 189 $ до 139 $ (−26,4%);
  • SSD 520 180 ГБ: OEM-цена снижена с 169 $ до 189 $, розничная цена снижена с 279 $ до 199 $ (−28,6%);
  • SSD 520 240 ГБ: OEM-цена снижена с 399 $ до 249 $, розничная цена снижена с 349 $ до 259 $ (−25,8%);
  • SSD 520 520 ГБ: OEM-цена снижена с 799 $ до 494 $, розничная цена снижена с 809 $ до 594 $ (−37,7%).

Конечно, придётся подождать некоторое время, пока склады освободятся от продукции большей стоимости, и мы увидим в продаже подешевевшие SSD от Intel.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.

10 самых интересных событий 2009 года, часть 1

Прошедший год был довольно насыщен событиями и разнообразными новостями. Это был год кризиса, который сильно подорвал финансовое положение многих компаний и ещё много лет будет влиять на отрасль. Но к началу 2010 года появились ясные признаки оздоровления спроса. Ресурс DailyTech решил вспомнить 10 самых интересных событий компьютерной индустрии в прошедшем году.

Нетбуки

Ниже все они перечислены в нижеприведённом списке без упорядочивания по важности.

Intel отменила выход графического ускорителя Larrabee

В течение последних нескольких лет Intel говорит о своём выходе на рынок дискретных видеокарт и высокопараллельных вычислений. Компания обещает благодаря Larrabee добиться выдающегося качества графики и высочайшей производительности, однако, по всей видимости, с архитектурой графических ускорителей NVIDIA и AMD решение Intel пока тягаться неспособно. Следующее поколение Larrabee компания обещает представить лишь в 2011 году.

Переход на 64-битное ПО

Процессоры поддерживают 64-битные инструкции уже много лет, но 2009 год стал переломным: сейчас большая часть продаваемых ОС Windows являются 64-битными. Это позволит разработчикам быстрее выпустить 64-битные версии своих программ.

Перевод производства Flash NAND памяти на 34-нм техпроцесс

Спрос на flash-память в 2009 году рост быстрее, чем ожидалось, что привело к росту её стоимости. Однако, переход на массовое производство с соблюдением 34-нм норм в полном разгаре и в 2010 году этот тип памяти станет гораздо дешевле. Кстати, память DDR3 и GDDR5 переводится производителями на 40-нм нормы, что тоже сделает её более доступной.

Нетбуки

Рынок небольших дешёвых компьютеров с низкой производительностью и долгим временем работы от батарей буквально взорвался в прошлом году:  по сравнению с 2008 годом этих небольших устройств было продано вдвое больше: 40 млн. единиц. Результат был бы ещё более впечатляющим, если бы не экономический спад.

Microsoft занесла в чёрный список более 1 миллиона консолей Xbox 360

По причине пиратства Microsoft серьёзно взялась за борьбу со взломанными приставками Xbox 360. Несмотря на то, что мнение общественности по этому поводу разделилось, компанией был закрыт доступ к online-службам для более 1 миллиона консолей. В offline-игры владельцы злополучных приставок играть по-прежнему могут.