Новости про flash-память

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

SanDisk представила самую маленькую флешку объёмом 1 ТБ

На выставке CES компания SanDisk продемонстрировал прототип флэш-накопителя объёмом 1 ТБ с интерфейсом USB-C, который стал самым маленьким устройством в своём классе.

Конечно, флэшки такого объёма редко встретишь в продаже. Самыми ёмкими решениями сейчас являются Kingston DataTraveler Ultimate GT, представленные на CES 2017, объём которых достигает 2 ТБ. Однако решение SanDisk куда элегантнее цинкового «ящика» от Kingston. Кроме того, флэшка от SanDisk использует формат USB-C, что позволяет применять её с современными смартфонами, планшетами и ноутбуками без дополнительных переходников.

Терабайтная флэшка SanDisk

Пока о характеристиках флэшки говорить рано. Компания представила лишь прототип, правда, вполне работоспособный. Что касается ожидаемой стоимости, то о ней тоже ничего не ясно, но учитывая, что терабайтные SSD с портом USB-C стоят порядка 350 долларов, вряд ли решение SanDisk окажется дешевле.

ADATA выпускает быструю флешку UE700 Pro

Компания ADATA сообщила о выпуске USB флеш-накопителя UE700 Pro, который предназначен для быстрого переноса данных. В общем — для обычного бытового применения.

Флешка изготовлена в ультратонком форм факторе и имеет толщину лишь 7 мм. Её корпус сделан из окрашенного алюминия, а конструкция предусматривает выдвижение USB штекера. Это лишает флешку колпачка, который увеличил бы размеры, и который часто любит теряться. Индикация работы осуществляется синим светодиодом. Также имеется кольцо для крепления флешки к ключам вместо брелока.

Флеш-накопитель ADATA UE700 Pro
Флеш-накопитель ADATA UE700 Pro

Накопитель работает по интерфейсу USB 3.1 и обеспечивает скорость чтения и записи на уровне 360 МБ/с и 180 МБ/с соответственно. Это значит, что фильм объёмом 4 ГБ будет записан лишь за 22 секунды.

К сожалению, в анонсе ничего не говорится о доступности, цене накопителя. Судя по изображению, он будет доступен в объёмах от 32 ГБ до 256 ГБ. Отмечено лишь, что топовая модель получит 256 ГБ памяти.

Поставки памяти NAND улучшатся в следующем году

Аналитики DigiTimes, традиционно ссылаясь на промышленные источники, сообщили, что поставки твердотельной NAND памяти должны улучшиться в 2018 году, по сравнению 4 кварталом текущего года.

Эти прогнозы не удивительны. Уходящий год оказался довольно дефицитным в плане памяти NAND и DDR, и многие компании увеличили производство микросхем соответствующих типов. Но даже так они не смогли удовлетворить все заявки, а потому поставки памяти растянулись во времени, а её цена выросла.

Чип NAND

Однако новые производственные мощности, построенные компаниями, должны ослабить отпускные цены уже в первом квартале 2018 года, что приведёт и к снижению розничных цен.

Также аналитики отметили, что увеличение объёмов производства связано не только с расширением производственных мощностей, но и с началом производства более технологичной памяти, например, 3D NAND, которая также станет доступнее для потребителей.

Toshiba выпускает UFS 2.1 BGA SSD на базе памяти 3D NAND

Компания Toshiba продвигает память BiCS3 по всем фронтам. Последнее решение компании — память высокой плотности для использования в смартфонах, планшетах и прочих устройствах малого размера. Новые твердотельные накопители компании с интерфейсом UFS 2.1 могут достигать скорости чтения в 900 МБ/с.

Новые устройства будут выпускаться в вариантах объёмом от 32 ГБ до 256 ГБ. Скорость 900 МБ/с обозначена для пакета объёмом 64 ГБ. Скорость записи для такого накопителя составит 180 МБ/с. В Toshiba ничего не сообщили о скорости случайного доступа для устройств BiCS3, но отметили, что скорость чтения на 200% выше, чем у прошлого поколения, а записи — на 185%. В то же время энергопотребление новых накопителей осталось неизменным.

Toshiba UFS 2.1

Когда новые впаиваемые SSD на базе памяти BiCS3 появятся в потребительских устройствах, Toshiba не сообщила.

Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS

Почти два года назад Samsung приступила к выпуску 256 ГБ чипов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 со скоростями чтения и записи 850 МБ/с и 260 МБ/с соответственно. Однако теперь фирма готовит 512 ГБ накопители с интерфейсом UFS.

Компания сообщила, что выпускает эти накопители для «использования в мобильных устройствах следующего поколения». Вероятно, речь идёт о пока не анонсированных смартфонах Galaxy S9. В пресс-релизе Samsung ничего не говорится об использованной версии интерфейса, но сказано, что накопители достигнут скорости «последовательного чтения и записи равной 860 мегабайт в секунду и 255 МБ/с соответственно», что весьма близко к нынешним показателям UFS 2.0.

Samsung eUFS

Учитывая наличие 512 ГБ памяти в телефоне, людям вряд ли понадобится дополнительный накопитель в виде карты microSD. С другой стороны, встроенные полтерабайта очевидно поднимут стоимость конечного устройства, ведь даже нынешние Galaxy Note8 с 256 МБ встроенной памяти стоят 1000 долларов.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

DIMM модуль Optane

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Планы на Optane DIMM

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

Longsys подтвердила приобретение бренда Lexar

Пару месяцев назад компания Micron сообщила, что планирует отказаться от некогда знаменитого бренда в области портативных накопителей — Lexar.

О будущем марки ничего не сообщалось. Micron просто говорила о его закрытии, но на подразделение нашёлся покупатель, Longsys Electronics Limited, который и сообщил о проведённой сделке.

Компания Lexar была образована как дочерняя компания Cirrus Logic. Со временем, она занялась производством твердотельной памяти с интерфейсом USB. Именно она сделала первую, известную теперь каждому «флешку». Однако в 2006 году на неё подала в суд Toshiba, над компанией нависла угроза банкротства и её приобрела Micron Technology, объединив её с подразделением Crucial Technology и создав Lexar Media.

Longsys приобрела Lexar

Компания Longsys, которая теперь владеет брендом, также занимается флеш-памятью. Однако кроме торговой марки Longsys не досталось ничего, так что новые продукты Lexar не будут иметь ничего общего с прошлыми решениями.

«Мы очень гордимся приобретением бренда Lexar», — заявил Хуабо Каи, исполнительный директор Longsys. «Lexar создала прекрасное имя, и в нашем видении — сделать его ещё более знаменитым. Нынешние клиенты могут сохранить уверенность, что инновационные решения и превосходная поддержка, которые у них были с Lexar, продолжат своё существование. Цель в превращении Lexar в популярный бренд высокопроизводительных носимых накопителей сохраняется, и мы расширим её для ещё больше, по мере того, как эпоха беспроводных решений и больших данных оказывает влияние на рынок потребительских накопителей».

Примечательно, что сама Micron не подготовила пресс-релиз о проведенной сделке.

SanDisk выпускает карту microSD объёмом 400 ГБ

Сейчас карты памяти microSD объёмом 256 ГБ постепенно входят в оборот, но теперь компания SanDisk взяла новый рубеж. Компания представила самую высокоёмкую карту памяти в мире, объём которой 400 ГБ.

Новая карта памяти отличается не только рекордным объёмом, но и высокой скоростью передачи данных — до 100 МБ/с. Что касается маркировок, то карта классифицирована как App Performance Class A1, что означает, что её скорости будет достаточно для запуска приложений без потери производительности. В то же время для записи видео в разрешении 4K её будет недостаточно.

Карта памяти SanDisk объёмом 400 ГБ

Цена на карту нешуточная. Компания SanDisk предлагает приобрести её за 250 долларов США. Дата релиза пока не называется, но он должен состояться к концу этого года.