Новости про flash-память и оперативная память

Toshiba Memory меняет название на Kioxia

Toshiba Memory Holdings Corporation официально объявила о смене своего названия на Kioxia Holdings Corporation с 1 октября 2019 года. С этого дня новое название будет применяться ко всем предприятиям, входящим в Toshiba Memory, включая британское и израильское подразделение OCZ.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Вывеска на заводе Toshiba Memory
Toshiba Memory

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Исследователи создали универсальную память для замены DRAM и NAND

Учёные из университета Ланкастера представили новый тип универсальной памяти, которая способна заменить как память DRAM, так и NAND.

Эта память кажется идеальным решением, ведь она является энергонезависимой и низковольтной. Опубликованный отчёт по исследованию гласит, что энергопотребление при записи и удалении в новой памяти в 100 раз ниже, чем у DRAM. Более того, хранилище обладает поразительной надёжностью и способно хранить данные дольше, чем существует вселенная.

Применение данной памяти позволит создать компьютеры, не требующие загрузки, и способные мгновенно переходить из режима сна в режим обычной работы.

Модули DRAM
Модули DRAM

Профессор физики Манус Хейн из университета Ланкастера заявил: «Универсальная память, которая просто хранит данные, которые легко изменить, по широко распространённому мнению была труднодостижимой, или даже невозможной, однако это устройство демонстрирует требуемые свойства».

Нет сомнений, что профессор провёл потрясающую работу, но пока о практическом применении памяти нового типа речи не идёт. Кроме того, в исследовании ничего не сказано о производительности такой памяти.

Память MRAM готова к производству

Компания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Фотография памяти SRAM MRAM
Фотография памяти SRAM MRAM

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 106 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Блок-схема памяти MRAM
Блок-схема памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

DIMM модуль Optane

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Планы на Optane DIMM

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

IBM готовит недорогую память

Ветеран рынка вычислительной техники, компания IBM, объявила о значительных успехах в разработке нового типа динамической памяти со случайным доступом.

Память, получившая название фазопеременной, или PCM — phase-change memory, обеспечит более быстрый доступ к данным при меньшей стоимости. Разработчикам удалось достичь плотности в три бита на ячейку, что на 50% больше, чем у прототипа, представленного в 2011 году.

При работе PCM меняет состояние стеклоподобной подложки из аморфного состояния в кристаллическое, используя электрический заряд. Подобно NAND флеш, память PCM продолжает сохранять своё состояние при отключении питания, однако в отличие от нынешней технологии флеш, где доступ к ячейке занимает 70 мс, доступ к PCM занимает 1 мс.

Фазопеременная память IBM

Трёхбитная память обеспечит более быстрый доступ к твердотельным массивам накопителей, обеспечив ускорение в работе приложений. Также эта память может заменить DRAM в системах подобных базам данных, снизив стоимость технологии. По словам разработчиков, те производители, которые воспользуются трёхбитной PCM в смартфонах, смогут загружать их за 3 секунды.

Когда же эта память появится в конечных устройствах, IBM не уточняет. Частично из-за того, что ей потребуется найти партнёра, который примет память нового типа. Для налаживания коммерческого выпуска PCM потребуется минимум три года.

SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

JEDEC завершает стандарт гибридных DDR4 и NAND модулей

Стандартизирующая организация JEDEC объявила о создании первого стандарта, поддерживающего гибридные модули памяти, которые устанавливаются в обычные слоты памяти DDR4, но содержат и флэш-память NAND.

Такие не теряющие данные двухлинейные модули памяти NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module) будут использованы для сверхвысокопроизводительных накопителей, а также для сверхбезопасных решений ОЗУ.

Первый тип таких модулей называется NVDIMM-N. В нём объединена память DRAM и NAND типов для обеспечения создания резервных копий и последующего восстановления всей ОЗУ, что значительно повышает надёжность работы в случае внезапного прекращения питания. Второй тип получил название NVDIMM-F. В нём применяется прямая адресация к NAND флеш, которая адресуется как блочно-ориентированный накопитель. Память NVDIMM-F сможет предложить сверхвысокопроизводительные твердотельные накопители для использования в качестве кэша записи, хранения метаданных и т.п.

NVDIMM модуль от Agiga

Оба типа памяти будут использовать форм фактор с 288 контактами, т. е. будут соответствовать стандартным модулям DDR4, и смогут устанавливаться в двухлинейные слоты стандартных промышленных серверов и платформ накопителей. Они будут распознаваться контроллерами как стандартная DDR4 SDRAM. Канал памяти же будет разделяться между DRAM и NAND чипами.

Первое коммерческое решение, соответствующее спецификации JEDEC NVDIMM ожидается к появлению в конце 2015 или начале 2016 года.

SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

16 ГБ NVDIMM модули от Hynix

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

SanDisk анонсировала Flash DIMM

Компания SanDisk, совместно с Diablo Technologies, выпустила весьма любопытное устройство, названное ULLtraDIMM, которое предназначено для серверов и позволяет создать накопители с ультрамалым временем задержки.

Идея разработки довольно проста. В SanDisk решили, что необходимо поместить накопитель как можно ближе к CPU, в итоге была выпущена flash-память в форм-факторе DIMM модуля.

В результате задержки при записи на ULLtraDIMM составляют всего 5 микросекунд, что быстрее любых существующих накопителей, включая те, что используют шину PCIe. Новая память доступна в объёме 200 и 400 ГБ. Для её производства используется MLC NAND память, изготовленная по техпроцессу 10 нм класса.

SanDisk ULLtraDIMM

Модули имеют скорость случайного чтения/записи на уровне 150/65 тысяч операций ввода-вывода, а скорость последовательного чтения/записи составляет 760 МБ/с, что на 50% превосходит большинство потребительских SSD.

Главным плюсом разработки является совместимость. Поскольку ULLtraDIMM используют форм-фактор DIMM их можно применять в существующих серверах и блейд системах. Конечно, эта технология ограничена лишь серверами, но кто знает, возможно в будущем мы увидим подобное решение и для домашних компьютеров.

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Чипы NAND памяти Samsung

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

WD изготовит гибридные винчестеры с памятью DDR3?

Сайт Tech ARP сообщает, что по информации знакомых работников компании Western Digital, она ищет способы реализации трёх весьма интересных решений, которые включают гибридные накопители с памятью DDR3, встроенный антивирус и договор с компаниями по восстановлению данных.

Конечно, все эти сведения лишь слухи, но они довольно интересны. Итак, первый слух сообщает, что WD хочет в своих гибридных винчестерах использовать RAM, вместо флэш-памяти. Скорее всего, это будет память DDR3 SDRAM, возможно LP-DDR3 с функцией записи данных с питанием от конденсаторной батареи.

Подобная конструкция гибрида несомненно резко увеличит скорость работы HDD, поскольку ОЗУ намного быстрее твердотельной памяти. Безусловно, скорость работы будет ограничена интерфейсом, который сейчас составляет для SATA 6 Гб/с теоретическим пределом 600 МБ/с, либо 1600 МБ/с в интерфейсе SATA 16 Гб/с, когда он всё же будет запущен.

Также скорость работы диска будет завесеть и от объёма используемой ОЗУ. Чем больше объём памяти — тем быстрее будет работать гибрид, но в то же время тем выше будет его цена и тем дольше будет осуществляться резервное копирование данных после отключения питания, а значит, потребуются батареи большей ёмкости.

Western Digital

Вторая идея, посетившая инженеров WD, это использование встроенного антивируса. Так, по слухам, будущие портативные жёсткие диски могут поставляться с интегрированным антивирусным ПО. Это может быть аппаратный сканер, использующий эвристический анализ, или программное решение, устанавливаемое при первом использовании диска.

Третье решение касается гарантии производителя на восстановление данных. Безусловно, что одной из важнейших проблем при выходе из строя накопителя является потеря данных, на нём содержащихся, и если для рядовых пользователей это не сильно большая проблема, то для бизнеса такая потеря может оказаться фатальной. Поэтому Western Digital может заключить договор с одной или несколькими компаниями, занимающимися восстановлением данных. В результате, купив гарантию на восстановление данных, потребители смогут рассчитывать на бесплатное восстановление информации с вышедших из строя винчестеров в течение гарантийного периода. Конечно, компании будут уверять, что шанс поломки винчестера крайне мал, так что для фирм, занимающихся восстановлением, это вряд ли станет хорошим бизнесом.

Что ж, можно подытожив и сказать, что Western Digital предлагает довольно интересные решения, но как всегда не стоит забывать о том, что это всего лишь слухи.

Micron предлагает за Elpida 1,5 млрд. долларов

Согласно имеющимся слухов промышленников, компания Micron выглядит потенциальным победителем в битве за обанкротившуюся компанию Elpida.

В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.

Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.

Память Elpida

На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.

Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модуль памяти ArxCis-NVTM

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

HP-Hynix планирует внедрение резистивной памяти летом 2013 года

Стэн Виллиамс (Stan Williams), мемристорный гуру компании Hewlett-Packard, на конференции International Electronics Forum, проходившей в испанской Севилье, анонсировал, что двухполюсная мемристорная технология начнет свою рыночную борьбу с флэш-памятью не позднее чем через 18 месяцев.

«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом  2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.

Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».

Мемристоры HP-Hynix под электронным микроскопом

В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.

Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 1012 циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 106 циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.

Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.

Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.