Новости про flash-память и смартфон

Новые модули памяти Western Digital iNAND MC EU551 предназначены для обеспечения высочайшей производительности в потребительских устройствах хай-энд класса, таких как камеры сверхвысокого разрешения, устройствах AR/VR, играх и видео 8K.

Накопитель iNAND MC EU551 стал первым продуктом, построенным на платформе UFS 3.1, обеспечив более быструю память NAND и более быстрый контроллер, улучшенную версию прошивки, что в итоге позволяет:

• на 100% увеличить производительность при случайном чтении и до 40% при случайной записи;
• на 90% увеличить скорость последовательной записи, чтобы раскрыть потенциал сетей 5G и Wi-Fi 6;
• на 30% увеличить производительность в последовательном чтении, что ускорит загрузку устройства и увеличит скорость выгрузки данных в Сеть.

Встраиваемый накопитель Western Digital iNAND MC EU551 UFS 3.1 сейчас проходит опытное производство, а массовое производство начнётся уже в июле. Представленные накопители предлагаются в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

Компания отмечает, что это самые быстрые накопители такого класса в мире. По сравнению с чипами eUFS 3.0, эти устройства работают на запись быстрее в 3 раза. По заверению Samsung, скорость записи накопителей eUFS 3.1 составляет 1200 МБ/с. Скорость последовательного чтения почти вдвое выше — 2100 МБ/с. Скорость случайного доступа при чтении составляет 100 000 операций и 70 000 операций при записи. В результате, такие накопители работают заметно быстрее SSD с интерфейсом SATA III для ПК.

Позднее в этом году компания планирует выпустить чипы eUFS 3.1 объёмом 128 ГБ и 256 ГБ.

Начиная с серии смартфонов Galaxy S20, компания Samsung нацелилась на запись видео в разрешении 8K. Некоторые китайские компании также взяли курс на это направление. Именно поэтому смартфонам и требуется столь производительная память.

Выпустив новый накопитель, компания стала одним из первых производителей памяти, предлагающих накопители USF 3.1 для коммерческих целей. Данные устройства построены на 96-слойной памяти NAND и связаны по интерфейсу UFS.

Модули iNAND EU521 предлагают производителям полный набор функций интерфейса UFS 3.1, включая высокую скорость интерфейса и кэширование SLC-NAND. Благодаря скорости последовательной записи в 800 МБ/с, устройства iNAND обеспечат высокоскоростную работу с мобильными гаджетами, позволяя быстро загружать видео разрешением 8K из облачного хранилища, и улучшат производительность мобильных игр.

Устройства iNAND EU521 будут доступны в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ после официального выпуска в марте 2020 года.

Последние полгода обозреватели считали, что спрос на NAND-память со стороны производителей смартфонов во втором полугодии заметно вырастет. Также оживление на рынке ожидали от производителей серверов и ЦОД. Однако теперь аналитики ожидают, что NAND-память продолжит тенденцию к удешевлению.

Глобальная торговая ситуация по-прежнему негативна для спроса на конечном рынке, и спрос от производителей оборудования для центров обработки данных не подаёт признаков повышения. Краткосрочный спрос — ограничен.

Таким образом отмечается, что цена на память NAND во втором полугодии продолжит снижаться, хотя темпы снижения замедляться до величины менее 10%.

Эти чипы нашли себе место в Galaxy Note 9, а сам телефон был назван первым «готовым к терабайту» мобильным устройством, имея ввиду возможность установки карты microSD такого же размера и объёма.

Однако уже в ближайшем будущем мы можем увидеть мобильные устройства со встроенным терабайтом памяти. Южнокорейский гигант Samsung объявил о разработке чипа формата UFS объёмом 1 ТБ. В нём «объединяются 16 слоёв наиболее совершенной 512-гигабитной стековой V-NAND памяти Samsung и свежеразработанный проприетарный контроллер». Новая микросхема демонстрирует не только лучшую ёмкость, но и высокую скорость. Так, в Samsung обещают скорость последовательного чтения на уровне до 1000 МБ/с и до 260 МБ/с при записи.

Появится ли эта микросхема в топовых смартфонах Samsung этого года — вопрос открытый. Но учитывая важность конкурентной борьбы и прошлый опыт, этого можно ожидать.

Вам нужно быстро переписать данные с ПК на телефон или планшет, а может нужно подключить флэшку к устройству Android, но у вас нет подходящих переходников? Тогда вам пригодится новая флэшка от Sanwa Direct, которая поддерживает два способа подключения, без необходимости в дополнительных переходниках.

С одной стороны накопители серии 600-GUSD имеют традиционный USB коннектор, а с другой могут подключаться в разъём microUSB, так что одно устройство можно легко подключать к двум типам разъёмов. Кроме того, над полноразмерным USB штекером устройства расположен порт для карт памяти microSD, благодаря чему можно с лёгкостью и большой скоростью переписать данные с одного мобильного устройства на другое.

Однако, не смотря на то, что флэшку можно подключить к любому устройству на базе Android, оно не имеет стопроцентной совместимости. Лишь только те гаджеты, в которых есть поддержка универсальных USB накопителей (Honeycomb и выше), смогут распознать память 600-GUSD.

Разработчик готовится выпустить на японский рынок две версии таких накопителей. Флэшка объёмом 4 ГБ будет стоить порядка 24 долларов США, а за 8 ГБ придётся отдать 30 долларов. О том, когда накопители выйдут на мировой рынок, и выйдут ли вообще, ничего не сообщается.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.