Новости про flash-память и разработчики

TDK продемонстрировала сверхбыструю память MRAM

Компания TDK провела демонстрацию своей новой технологии памяти MRAM, которая является одной из нескольких, идущих на замену Flash.

Память MRAM характеризуется высокой скоростью, которая сравнима с SRAM и DRAM, однако в отличие от последних она энергонезависма, и позволяет хранить информацию годами, как мы делаем это с флэш памятью.

Технология MRAM, или Magnetoresistive Random Access Memory, не нова, однако только сейчас её работа была продемонстрирована на прототипе в составе микросхемы STT MRAM, на которую данные можно как записывать, так и считывать.

Тестирование MRAM

В ходе демонстрации было проведено сравнение чипов MRAM и современной флэш-памяти, при этом новая технология показала в 7 раз большую производительность. В качестве прототипа использовался модуль объёмом всего 8 МБ.

Вы уже предвкушаете новый твердотельный накопитель на магниторезистивной памяти? Зря. По словам самой TDK, до промышленного внедрения технологии ждать придётся ещё порядка 10 лет, да и современных технологий вполне достаточно для большинства нужд.

MRAM

Однако это вовсе не означает, что мы не увидим применения MRAM в быту, просто сначала эта технология будет опробована в промышленных и научных целях, и лишь затем появятся приборы потребительского класса. Как бы то ни было, но в Buffalo уже объявили, что компания в скором времени начнёт использовать микросхемы нового типа в своих жёстких дисках для организации кэша. Превосходная маленькая победа новой технологии.

Новая технология ускорит SSD в 4 раза

Команда японских разработчиков придумала технологию, которая коренным образом улучшит скорость записи, энергоэффективность и возможности перезаписи (т.е. увеличит срок эксплуатации) устройств, которые основаны на NAND памяти.

Группой учёных руководил Кэна Такэути, профессор департамента инжиниринга электрики, электроники и связи, факультета науки и инжиниринга университета Тюо, Токио. Данная разработка была представлена в ходе мероприятия 2014 IEEE International Memory Workshop, международной академической конференции по полупроводниковой памяти, которая проходила в Тайбэе в конце мая.

Обычная схема работы SSD

Суть исследования основана на том, что при использовании твердотельной NAND памяти невозможно перезаписать данные на то же самое физическое место. Вначале необходимо записать данные на другой свободный участок, а затем очистить старую зону. В результате данные оказываются фрагментированными, увеличивается количество ошибочных участков и снижается ёмкость накопителя. Для устранения последствий записи в SSD применяется «уборка мусора», которая пересобирает фрагменты данных в продолжительные цепочки и очищает блоки ошибочных участков. Данный процесс может занимать 100 мс и даже больше, что заметно снижает скорость записи и увеличивает физический износ диска.

Предлагаемая концепция

Новый же метод формирует промежуточный слой, названный «скремблер LBA (logical block address)». Этот слой располагается между операционной системой и накопителем. Скремблер логических блоков взаимодействует с контроллером памяти, конвертирующем логические адреса в физические на стороне SSD, и конвертирует логические адреса данных, которые должны быть записаны, таким образом, чтобы снижать эффект фрагментации.

Принцип действия LBA скремблера

Таким образом, вместо записи данных на новое свободное пространство, данные записываются на фрагментированную страницу, которая расположена в блоке, подлежащем очистке. В результате, количество ошибочных блоков, подлежащих очистке, в странице снижается, а также понижается количество безошибочных страниц, подлежащих копированию в новое место при уборке мусора.

К сожалению, до опытного внедрения данной технологии ещё очень далеко.

Samsung представила новую файловую систему для флэш

В очередном изменении ядра файловой системы Linux появилась поддержка новой открытой файловой системы — F2FS.

Название F2FS расшифровывается как «Flash-Friendly File-System», т. е. «Файловая система дружественная флэш», которая учитывает особенности хранения данных на полупроводниковых накопителях.

NAND чипы Samsung

Согласно описанию разработчиков ФС, компании Samsung, эта система является «заботливо созданной для устройств, основанных на флэш-памяти NAND. Мы выбрали журналируемый структурный подход к файловой системе, но мы попытались адаптировать её к хранилищам новой формы. Также мы исправили некоторые известные проблемы очень старых журналируемых файловых систем, такие как эффект снежного кома блуждающего дерева… Ввиду того, что основанные на NAND хранилища показывают отличные характеристики в связи с их внутренней геометрией или управлением флэш-памятью, также известной как FTL, мы добавили различные параметры, позволяющие не только конфигурировать компоновку диска, но также позволяющие выбирать расположение данных и алгоритмы очистки».

В настоящее время эта ФС содержится в 16 патчах, разработанных Чэгыком Кимом из Samsung, и она добавляет в существующий код Linux примерно 13 000 строк кода.

Следует отметить, что это не первая файловая система, разработанная специально для флэш-памяти. К примеру, два месяца назад была представлена ФС Lanyard, однако она не была включена в состав ни одной ОС.

USB хаб-тостер ThinkGeek поджарит ваши флэшки-гренки

В течение многих лет компания ThinkGeek позиционировала себя как главного производителя глуповатых и слегка нелепых продуктов, которые, тем не менее, многие гики очень любят.

Теперь в семейство странных продуктов добавились ещё и стилизованные под тосты USB флэш-накопители и USB хаб в виде тостера.

USB хаб-тостер

Флэшки представлены в четырёх вариантах дизайна, но при этом каждая из них имеет объём в 4 ГБ и цену в 25 долларов. Сам хаб рассчитан на 4 слота (по одному на каждую гренку). Его цена составляет 28 долларов США. Кроме возможности «поджаривания» данных в USB накопителях тостер-хаб получил и встроенный ридер для карт памяти формата SD, хотя компания и не представила ни одной карты памяти в форме тоста… пока не представила.

Несмотря на забавную конструкцию, чтобы поджарить все 16 ГБ в четырёх накопителях на новом «тостере» вам потребуется иметь довольно горячий кошелёк, ведь в сумме вся система обойдётся в 128 долларов США.

Флэшки-гренки

К сожалению, разработчики не предусмотрели кнопки извлечения накопителей, а ведь выпрыгивающие флешки-тосты выглядели бы невероятно эффектно.  В любом случае, если у вас есть немного лишних денег, и вы не знаете, куда их вложить — вложите их в тостер.

Представлен гибрид флэшки и батарейки

Благодаря технологическим наработкам в производстве флэш-памяти, сделанным в последние годы, накопители становятся всё меньше и меньше.

Некоторые модели современных флэшек имеют такие размеры, как будто они родом из шпионских фильмов. Но у этого есть и безусловный минус — их легко потерять, поэтому многие люди не любят маленькие накопители, а значит, флэш-чипы можно включить в состав других портативных устройств или, например, в одежду.

Концепт гибрида флэш-накопителя и батарейки

Дизайнер Вончул Хван (Wonchul Hwang) придумал собственное интригующее решение проблемы. Он предложил совместить аккумулятор размера AA с USB флэш-накопителем, создав, таким образом, заряжаемый через USB пальчиковый аккумулятор. Пока накопитель подключен к компьютеру и копирует ваши данные, встроенная батарея накапливает некоторый заряд. А затем, когда вам потребуется некоторое количество электроэнергии от одной AA батарейки, вы без труда сможете её получить.

Концепт гибрида флэш-накопителя и батарейки

Более того, даже если заряд этой батарейки истечёт, вы всегда можете его восстановить благодаря наличию в устройстве механического ручного зарядного устройства. Однако потенциал устройства не заканчивается пальчиковой батарейкой. Ведь если это устройство сможет отдавать энергию по USB, то оно наверняка станет лучшим другом всех гиков.

MOSAID объявили о создании 16-и ядерного NAND стека

Компания MOSAID Technologies Inc. объявила, что представила первый в мировой промышленности NAND Flash MCP (multi-chip package) с 16-и ядерным NAND стеком, работающем в одном высокопроизводительном канале.

Чип MOSAID 512 Гб HLNAND (HyperLink NAND) MCP представляет собой стек из 16-и 32 Гб NAND флеш ядер с двумя HLNAND интерфейсными каналами, достигающими скорости вывода в 333 МБ/с по однобайтовому HLNAND интерфейсному каналу. Для сравнения, существующие NAND Flash MCP чипы состоят из не более чем четырёх NAND ядер. Увеличение числа ядер в стеке ведёт к снижению производительности. Таким образом, увеличение числа ядер ведёт к росту каналов связи при сохранении скорости.

Чипы HLNAND памяти

Чин-кхи Ким, вице-президент MOSAID, заявил: «16-и ядерный стек 512 Гб HLNAND MCP демонстрирует превосходную масштабируемость кольцевой архитектуры HLNAND, по сравнению с архитектурой параллельной шины, используемой сейчас в производстве NAND флеш. Архитектура HLNAND позволяет создать виртуально неограниченное количество ядер NAND, подключаемых на один канал без снижения производительности».

Главный технолог и вице-президент компании Петер Джилингэм (Peter Gillingham) добавил: «Используя технологию HLNAND, системные инженеры могут спроектировать твердотельные накопители (SSD) с пропускной способностью в гигабайт на секунду и терабайт объёмом на едином чипе-контроллере».

Brookstone представили Wi-Fi точку с 2 ГБ накопителем в форме запонок

Компания Brookstone представила продукт, который похож на какую-то секретную разработку лаборатории MI6. Специализируясь на широком спектре продуктов для повседневного использования, доступных прямо из их онлайн каталога, компания начала продавать изделие, числящееся как Хай-Тек Запонки (High-Tech Cufflinks), которые являются одновременно Wi-Fi точкой и накопителем ёмкостью 2 ГБ.

Внутри этих привлекательных Запонок из полированного серебра размером 19х19х6,3 мм каждая, находится USB коннектор, который будучи подключенным к «любому» источнику питания USB начинает функционировать в качестве удобного Wi-Fi хотспота, при этом позволяя осуществлять подключение к своему 2 ГБ накопителю.

High-Tech Cufflinks

При подключении к ПК, Cufflinks предоставляют возможность одновременной работы как в качестве 2 ГБ накопителя, так и в качестве точки доступа Wi-Fi. Несомненно, такая вещь может оказаться крайне полезной в ряде ситуаций, но прежде, она совершенно точно облегчит ваш кошелёк на немалую сумму.

Если же вы решите приобрести пару таких Запонок, то эта сделка обойдётся вам в значительные 250 долларов США. С другой стороны, если в вашем гардеробе есть вещи, под которые вообще носят запонки, то эта сумма покажется вам вообще незаметной.

Производители памяти готовят новую систему безопасности для Flash

Пять известных компаний-производителей Flash-памяти решили объединиться в альянс, для разработки новой технологии защиты контента. На сей раз речь пойдёт, конечно же, о флеш накопителях.

Под общим названием «Next Generation Secure Memory Initiative» (Инициатива по безопасности памяти следующего поколения) пять ведущих компаний — Panasonic, Samsung, SanDisk, Sony и Toshiba приступили к лицензированию и популяризации средств безопасности для HD контента на картах SD, которые широко используются в смартфонах и планшетах. Эта новая мера безопасности позволит защитить контент высокой чёткости благодаря использованию технологии уникального идентификатора для флеш-памяти, а также сможет обеспечить надёжную защиту от несанкционированного копирования, основываясь на инфраструктуре открытых ключей.

Карта памяти SD

По заявлению пятёрки производителей, эта инициатива позволит осуществлять загрузку HD из Сети, потоковое вещание контента «на ходу», а также цифровое копирование и управление копиями с Blu-ray дисков. «С этими приложениями пользователи смогут наслаждаться HD контентом на широком спектре устройств, включая Android смартфоны и планшеты, телевизоры и Blu-ray продукты»,— говорится в заявлении альянса.

В понедельник группа объявила, что их совместные усилия помогут им начать лицензирование новой технологии по защите контента на флеш картах уже в начале следующего года. В реальных продуктах технология начнёт применяться где-то в 2012 году, однако к настоящему времени не уточняется даже квартал запуска этой инициативы.

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модуль памяти ArxCis-NVTM

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

HP-Hynix планирует внедрение резистивной памяти летом 2013 года

Стэн Виллиамс (Stan Williams), мемристорный гуру компании Hewlett-Packard, на конференции International Electronics Forum, проходившей в испанской Севилье, анонсировал, что двухполюсная мемристорная технология начнет свою рыночную борьбу с флэш-памятью не позднее чем через 18 месяцев.

«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом  2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.

Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».

Мемристоры HP-Hynix под электронным микроскопом

В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.

Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 1012 циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 106 циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.

Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.

Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.