Новости про flash-память

Sony представили сверхскоростную 64 ГБ карту памяти

Новая карта памяти от Sony, формата SxS PRO, имеет невероятную скорость чтения и записи. По заявлению разработчиков, их новая карта памяти может обеспечить запись и чтение на скоростях до 1,2 Гб/с или 150 МБ/с. При этом карта может похвастаться гигантским объёмом, равным 64 ГБ.

Карта SxS PRO 64GB может записывать видеоряд с высоким битрейтом, и при этом содержать порядка 120 минут в формате HD422 с видеопотоком 50 Мб/с в режиме MXF. При всем этом, такая карта позволит пользователям скопировать на компьютер весь отснятый материал всего за 8 минут.

Sony SxS PRO 64GB

Профессиональные операторы смогут оценить безотказность хранения своих данных, высокую надежность и функционал в XDCAM/XDCAM EX, включая весь спектр карт памяти SxS. По заявлению разработчиков, всего этого удалось достичь благодаря «Интеллектуальной технологии SxS». Кроме того, технология обеспечивает коррекцию ошибок, выравнивание степени износа, восстановление данных при считывании, управление при сбоях электропитания, а также прочие функции повышающие надежность хранения данных в большинстве условий работы.

Карты SxS PRO 64GB будут доступны в Азиатско-Тихоокеанском регионе уже через месяц. О планах продаж в Европе пока ничего не сообщается.

Toshiba представила 8 ГБ карту памяти с поддержкой WiFi

На выставке IFA 2011, проходящей в эти дни в Берлине, компания Toshiba покажет конкурента семейства карт памяти Eye-Fi.

Новая карта памяти формата SDHC получила название FlashAir. Ёмкость накопителя позволяет хранить 8 ГБ персональных данных, а также осуществить беспроводное подключение по стандартам 802.11 b/g/n WiFi, что способно обеспечить быструю передачу данных на таких устройствах как смартфоны ПК, планшеты и фотокамеры.

Toshiba FlashAir 8 ГБ

WiFi карта памяти от Toshiba имеет скоростной рейтинг «Class 6», что гарантирует запись информации на скорости 6 МБ/с. Масса карты составляет всего 2 грамма, а диапазон операционных температур весьма широк — от –25° С до +85° С, благодаря чему карту можно эксплуатировать в весьма суровых условиях. Первые образцы 8 ГБ FlashAir начнут появляться в ноябре этого года, а начало коммерческих продаж ожидается в феврале 2012-го.

Transcend представили флэшку объемом 2 ТБ

Производитель памяти, компания Transcend, совместно с исследовательским институтом ITRI продемонстрировали весьма примечательный USB флэш накопитель.

Накопитель весьма тонкий и чуточку длиннее, чем большинство современных флэшек, однако инженерам удалось достичь невероятного объёма памяти в этом устройстве — 2 ТБ. Ожидается, что устройство будет доступно в объёмах от 16 ГБ до 2 ТБ.

Флэшка Transcend объёмом до 2 ТБ

Учитывая ёмкость накопителя и возможное время записи и чтения, разработчики снабдили его интерфейсом подключения USB 3.0. К сожалению, устройство еще не продаётся в магазинах. Причиной тому, по заявлению Transcend, является отсутствие официальной спецификации на стандарт USB 3.0, однако разработчики планируют сразу начать продажи, как только стандарт будет опубликован.

Ни Transcend, ни ITRI ничего несообщили о предполагаемой цене на накопитель, однако не стоит ожидать, что он будет дешевым.

Micron разработали новую высокоплотную флэш-память

Производитель памяти, компания Micron Technology, расположенная в Айдахо, представила свою новую разработку NOR памяти, работающей посредством последовательного интерфейса периферии (Serial Peripheral Interface — SPI).

Разработанные чипы могут иметь ёмкость от 256 Мб до 1 Гб, при этом скорость чтения достигает 54 МБ/с при условии работы памяти на частоте 108 МГц.

Линейка памяти, изготавливаемая по технологическим нормам  65 нм, получила название N25Q. Чипы требуют питания напряжением от 1,8 до 3 В и могут подключаться по одиночному, двукратному или четырёхкратному интерфейсу (SPI, DSPI или QSPI соответственно), благодаря чему память прекрасно подходит как для современных, так и для будущих сетевых медиаустройств, сет-топ боксов, автомобильной и потребительской электроники.

Вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group Том Эбай

«В дополнение к продвижению самой плотной в мире, высокопроизводительной SPI NOR памяти, семейство N25Q предоставляет аппаратную и программную совместимость среди памяти различных плотностей, от 32 Мб до 1 Гб», заявил Том Эбай (Tom Eby), вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group. «Когда необходимо комбинирование в условиях диапазона температур, существующих в промышленности, разброса в возможности питания напряжением от 1,8 до 3 В, а также долговечности программы PLP от компании Micron, тогда это семейство продуктов идеально обеспечивает потребности плотного рынка в SPI NOR памяти».

Производитель заявляет, что первые образцы чипов памяти семейства N25Q ёмкостью 1 Гб, 512 Мб и 256 Мб уже изготовлены.

Samsung анонсировали SSD ёмкостью 512 ГБ

Твердотельные накопители нашли широкую поддержку у энтузиастов, благодаря высокой скорости работы и большей надежности, по сравнению с жесткими дисками. Эти преимущества SSD получили за счет отсутствия движущихся частей. Однако их развитие по-прежнему ограничено небольшим объемом и высокой ценой. Но теперь, по крайней мере, один недостаток корейский промышленный гигант смог победить.

Компания Samsung подготовила к продаже свой новый высокоёмкий SSD накопитель, подключаемый посредством SATA 3. Максимальная ёмкость накопителя составляет 512 ГБ. По заявлению компании, уже начато производство этого SSD, который планируется устанавливать в высокопроизводительные ноутбуки в конце этого года.

Samsung SSD 512 ГБ

Samsung не сообщили подробной информации об этом устройстве, однако известно, что в накопителе использована флэш-память MLC NAND с контроллером собственной разработки. Разработчики обещают, что скорость чтения с SSD составит порядка 500 МБ/с, в то время как скорость запси будет несколько ниже, и составит 350 МБ/с.

О цене на накопители ничего не сообщалось, однако не сложно догадаться, что для приобретения ноутбука с таким устройством придется опустошить не только кошелёк, но и банковский счёт.

PNY представила оригинальный флэш-накопитель Hook Attaché

Компания PNY Europe недавно представила свой последний флэш-накопитель под названием Hook Attaché.

Эта флэшка лишена традиционного колпачка для закрытия USB штекера, однако её корпус имеет весьма интересную особенность. Так, на конце накопитель имеет металлический крючок, благодаря которому флэшка может быть прикреплена к абсолютно любому окружающему предмету.

PNY Hook Attaché

PNY Hook Attaché

PNY Hook Attaché

Алюминиевый корпус флэш-накопителя полностью покрывает коннектор USB. Размеры флэшки составляют 43,5х18,5х4 мм, а вес всего 4 грамма. Hook Attaché использует интерфейс USB 2.0 Hi-Speed и имеет фактическую скорость записи 8 МБ/с и чтения — 25 МБ/с. В продаже будет находиться три модели накопителя с объёмом памяти 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ по цене 19, 29 и 60 евро соответственно.

Флэшка повышенной прочности представлена Green House

Полагая, что ребятам вроде Бэара Гриллса тоже нужно портативное хранилище данных, компания Green House разработала серию флэш накопителей под названием GH-UFI.

Сам накопитель находится в металлическом корпусе, который предохраняет электронику от повреждений при падениях и ударах, при этом, максимальный удар выдерживаемый накопителем равен 1500 G. Операционная температура накопителя находится в пределах от –40° до +85° С.

Green House GH-UFI

Размеры этой прочной и надёжной флэшки равны 47,3х17,6х8,4 мм (ШхДхВ), а вес составляет всего 10 граммов. Накопитель разработан для подключения по интерфейсам USB 2.0/1.1. Внутри устройства установлен чип одноуровневой (SLC) твердотельной NAND памяти. Такая память намного дороже современной MLC, однако, она обладает более высокой надёжностью. Не смотря на устаревший тип памяти, флэшка имеет вполне пристойные скоростные показатели. Так, заявленная разработчиками скорость чтения составляет 20 МБ/с, а записи — 18 МБ/с.

Вероятно полагая, что в тяжелых условиях не требуется переноска большого объема информации, производитель представил в линейке устройств GH-UFI накопители небольшого объёма, а именно размером: 128 МБ, 256 МБ, 512 МБ, 1 ГБ, 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ.

Цена на флэшки пока еще не объявлена, но устройства должны появиться в продаже уже на этой неделе.

Samsung выпустили microSD карту памяти объемом 32 ГБ

Мировой лидер в производстве памяти, компания Samsung Electronics Co., Ltd., представили высокопроизводительную карту памяти формата micro Secure Digital, предназначенную для смартфонов четвертого поколения.

Память в этой карте изготовлена по техпроцессу класса 20 нм (так Samsung решили называть все техпроцессы с размером элементов от 20 до 29 нм). При этом скорость работы памяти позволила присвоить карте 10-й класс скорости.

Новые microSD ёмкостью 32 ГБ работают со скоростью 12 МБ/с при записи и 24 МБ/с при чтении, что, несомненно, понравится владельцам современных и будущих смартфонов, оснащенных видеокамерами с разрешением 1080p. В карту памяти установлены 3-х битовые NAND чипы объёмом 32 Гб, а также 3-х разрядный контроллер памяти NAND.

32 ГБ карты памяти Samsung

Техпроцесс класса 20 нм позволил инженерам Samsung увеличить производительность чипов NAND, по сравнению с прошлым техпроцессом 30 нм класса на 30%, карта памяти на основе которого была представлена в феврале прошлого года.

По заявлению, сделанному в пресс-релизе компании, Samsung продолжит агрессивную стратегию продвижения на рынок решений на основе NAND памяти, предназначенных для мобильных устройств. Начало продаж устройств с 3-х битными чипами NAND ёмкостью 64 Гб планируется через 6–7 месяцев.

Поступили в продажу новые флэш-накопители Kingston с интерфейсом USB 3.0

Оснащенные контроллером USB 3.0 флэш-накопители модельного ряда DataTraveler почти в 3 раза быстрее существующих устройств. Новые флэшки имеют скорость 100 МБ/с при чтении и 70 МБ/с при записи.

Однако для получения такой скорости вам необходимо подключить флэшку к порту USB 3.0. Новая серия накопителей DataTraveler имеет довольно высокое энергопотребления, так что если у вас появится необходимость подключить такое устройство в порт USB 2.0, то вам придется использовать специальный комплектный переходник, обеспечивающий дополнительное питания с других USB портов. Скорость чтения и записи в таком случае будет ограничена 30 МБ/с.

Kingston DataTraveler Ultimate 3.0 G2

В своем пресс-релизе Kingston сообщает, что их флэш-накопители второго поколения, с поддержкой USB 3.0, это идеальной выбор для профессионалов, которые хотят получить все преимущества, предоставляемые технологией USB 3.0. Менеджер компании Kingston, по направлению флэш-памяти, Эндрю Евинг (Andrew Ewing) заявил, что компания заинтересована в скорейшем принятии рынком стандарта USB 3.0.

Цена на 16 Гб модель DataTraveler Ultimate 3.0 G2 составляет 77 долларов, на 32 Гб — 116 долларов, а на 64 Гб модель — 213 долларов США.

Samsung выпустили первую в мире NAND память с удвоенной скоростью передачи данных

Крупнейший производитель микросхем памяти Samsung начал производство первых 64 Гб MLC чипов флеш-памяти.

Микросхемы памяти производства Samsung объемом 64 Гб, изготовленные по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).

Новые чипы предназначены для применения в мобильных устройствах, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. Интерфейс DDR2 уже оставлен позади такими монстрами рынка как AMD и Intel, но, по мнению Samsung, он будет «лучше поддерживать продолжающееся движение к более совершенным интерфейсам», таким как SATA3 и USB3. Президент подразделения памяти Samsung Electronics, господин Су-Ин Чо (Soo-In Cho) отметил, что им удалось достичь плотности 64 Гб на чип благодаря использованию «совершенного технологического процесса с размером элементов порядка 20 нм», но в отличие от конкурентов в лице Intel и Micron, они не станут сообщать о тонкостях техпроцесса.

Все представители компании Samsung будут говорить, что для производства чипов 64 Гб NAND MLC памяти используются элементы размером от 20 до 29 нм. Напомним, что Samsung представил первую микросхему флеш-памяти объемом 32 Гб с интерфейсом DDR1 в 2009 году, а массовое производство чипов началось только в апреле 2010 г. Это означает, что уже через несколько месяцев производители электронных устройств получат первые чипы новой памяти с интерфейсом DDR2. Основная часть чипов NAND работает на скорости до 40 Мб/с при интерфейсе DDR1. Так что, когда Samsung начнет поставки своей памяти с интерфейсом DDR2 не стоит ожидать, что они появятся где-либо ещё кроме дорогих SSD накопителей и смартфонов.