Новости про Toshiba

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung
3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Goke Microelectronics представила SSD на базе памяти Toshiba XL-Flash

Компания Goke Microelectronics не слишком широко известна на уровне потребительской электроники. Тем не менее, она создала первый в мире твердотельный накопитель на базе памяти XL-FLASH, которая характеризуется особо малыми задержками.

Память XL-FLASH была представлена Toshiba год назад. В ней применены ячейки 3D SLC, которые обладают сверхмалыми задержками чтения на уровне 5 мкс, что в десять раз меньше, чем у современной памяти 3D TLC NAND.

Представленный накопитель Goke 2311 изготовлен в формате NVMe SSD. Пока это прототип, однако даже он демонстрирует задержки при случайном чтении блоками по 4K равные 20 мкс. В финальной версии эта величина будет снижена до 15 мкс. Ёмкость накопителя Goke 2311 составляет 4 ТБ. Максимальная скорость записи равна 1 ГБ/с, а чтения — 3 ГБ/с по шине PCIe Gen 3 x4. В накопителе предусмотрено аппаратное шифрование SM2/3/4 и SHA-256/AES-256.

Прототип твердотельного накопителя Goke 2311
Прототип твердотельного накопителя Goke 2311

По случаю анонса накопителя Хиру Ота, технологический исполнительный директор по инжиниргу памяти в Toshiba Memory Corporation заявил: «Toshiba Memory очень рада видеть успешную интеграцию продукта XL-FLASH с продукцией Goke. На флагманском контроллере NVMe-SSD от Goke были продемонстрированы характеристики с низкой задержкой».

Ожидается, что накопитель Goke 2311 поступит в массовое производство в 2020 году.

Toshiba приобретает бизнес твердотельных накопителей у Lite-On

Компания Toshiba, которая с октября будет называться Kioxia Holdings Corporation, объявила о заключении соглашения о приобретении бизнеса твердотельных накопителей у компании Lite-On, которые реализуются под брендом Plextor.

Сумма сделки составит 165 миллионов долларов. Ожидается, что она будет закрыта в первой половине 2020 года, после согласования с госрегуляторами.

SSD Plextor
SSD Plextor

Компания Lite-On расположена в Тайване. Её основной бизнес связан с оптоэлектроникой и полупроводниками. Благодаря этой сделке Toshiba Memory сможет усилить свой SSD-бизнес.

«Твердотельный бизнес Lite-On естественным образом стратегически войдёт в Toshiba Memory и расширит наш фокус в индустрии SSD», — заявил Нобуо Хаясака, президент и исполнительный директор Toshiba Memory Holding Corporation. «Это воодушевляющее приобретение для нас, поскольку оно позиционирует нас для соответствия проектируемому росту SSD в PC и ЦОД, ведомому растущим использованием облачных сервисов».

Toshiba представила новый форм фактор для NVMe SSD

Компания Toshiba выпустила новый формат для NVMe SSD, который может заменить впаиваемые твердотельные накопители.

Названный XFMEXPRESS, новый формат позволяет использовать две или четыре линии PCIe, при этом такой накопитель занимает меньше места, чем даже M.2 22x30 мм. Карта накопителя от Toshiba имеет размер 18х14х1,4 мм, что немного больше и толще карты памяти microSD. Вместе с сокетом для установки такой накопитель займёт на плате пространство 22,2x17,75x2,2 мм.

Идея нового формата заключается в предоставлении сменных накопителей устройства, где обычно используются BGA SSD либо модули eMMC и UFS. Такой подход, в свою очередь, улучшит ремонтопригодность портативных устройств и позволит выполнить апгрейд.

Образец SSD накопителя формата XFMEXPRESS от Toshiba
Образец SSD накопителя формата XFMEXPRESS

Накопители XFMEXPRESS не предназначены для внешнего слота, замена такого накопителя потребует разборки устройства, равно как и в случае с M.2, однако в отличие от него, монтаж XFMEXPRESS SSD не требует инструментов.

Разработчики отмечают, что такой накопитель не будет медленнее устройств с сокетом BGA, а его коннекторы обеспечат лучшее отведение тепла. Металлический каркас позволит устанавливать радиатор.

Toshiba представила серверный SSD CM6 со скоростью 6400 МБ/с

Компания Toshiba анонсировала твердотельные накопители для шины PCIe 4.0, которые имеют объём до 30 ТБ и достигают скорость до 6,4 ГБ/с.

В своём анонсе компания сообщила, что выпустила «самое быстрое PCIe 4.0 NVMe SSD решение». Учитывая, что промышленных SSD для шины PCIe 4.0 на рынке пока нет, такое утверждение вполне справедливо.

SSD Toshiba CM6
SSD Toshiba CM6

Накопители CM6 имеют объём от 800 ГБ до 30 ТБ и доступны в 2,5” формате с подключением U.2.

Что касается программного интерфейса, то накопитель должен поддерживать NVMe 1.4, новую версию протокола. Когда центры обработки данных смогут заказать SSD CM6, пока не сообщается.

Toshiba нацелилась на конкуренцию с 3D XPoint

Компания Toshiba анонсирует старт массового производства памяти XL-Flash уже в 2020 году.

Фирма представила новую технологию BiCS Flash 3D памяти с хранением 1 бита в ячейке (SLC). Эта память сможет предложить задержки на уровне 3D XPoint, которую создала Micron совместно с Intel.

По уверениям разработчиков, память XL-Flash обеспечит задержки при чтении на уровне 5 мкс, что в 10 раз меньше современной памяти TLC NAND.

Микросхема Toshiba XL-Flash
Микросхема Toshiba XL-Flash

Находясь в спектре скорости между DRAM и NAND, память XL-FLASH обеспечивает большую скорость, низкие задержки и высокую ёмкость, а по цене — ниже традиционной DRAM. Изначально новая память будет выпущена в виде SSD, но позднее может появиться и вариант для работы с шиной ОЗУ в формате планок памяти NVDIMM.

Ключевые особенности памяти:

  • Ядро объёмом 128 Гб (будет доступно в пакетах из 2-х, 4-х и 8-и ядер).
  • Размер страницы 4 КБ для более эффективных операций чтения и записи.
  • 16-плоскостная архитектура для более эффективной параллельности.
  • Быстрое чтение и запись страниц на уровне 5 мс.

Компания отмечает, что память XL-Flash будет иметь высокое качество, ввиду зрелости технологии SLC, её хорошей масштабируемости и высокой надёжности.

Toshiba Memory меняет название на Kioxia

Toshiba Memory Holdings Corporation официально объявила о смене своего названия на Kioxia Holdings Corporation с 1 октября 2019 года. С этого дня новое название будет применяться ко всем предприятиям, входящим в Toshiba Memory, включая британское и израильское подразделение OCZ.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Вывеска на заводе Toshiba Memory
Toshiba Memory

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Сбой в электропитании WD привёл к недовыпуску шести экзабайт

Пара предприятий Toshiba Memory Corporation, входящих в состав Western Digital, столкнулась с отключением электропитания. Теперь компания отмечает, что это приведёт к потерям производства в объёме шести экзабайт в ближайшие несколько кварталов.

С ноября прошлого года цены на твердотельные накопители постоянно снижались, однако случившийся сбой электропитания может привести к росту. Авария произошла в японском регионе Йоккаити 15 июня. 13-минутное отключение привело к тому, что компании потребовалось две недели на то, чтобы оценить ущерб. Согласно отчёту, авария на электросетях повлияла как на оборудование, так и на производственные инструменты, используемые для выпуска пластин NAND, а последствия до сих пор не ликвидированы.

Weatern Digital
Weatern Digital

В связи с этим Western Digital предупредила своих заказчиков флеш-памяти, что в ближайшие кварталы недопоставка микросхем составит шесть экзабайт.

В компании также сообщили, что дефицит памяти будет наиболее остро ощущаться в ближайшие пару месяцев. Восстанавливать производство компания планирует «как можно скорее».

Tosiba и WD разрабатывают 128-слойную память 3D NAND

Компания Toshiba со своим стратегическим партнёром Western Digital готовят память 3D NAND высокой плотности, состоящую из 128 слоёв.

По номенклатуре Toshiba чип будет называться BiCS-5. Несмотря на высокую плотность, чип будет основан на памяти TLC, а не новой QLC. Это связывают с продолжающимися проблемами при производстве QLC и низким процентом выхода годных отпечатков. Однако за счёт повышения числа слоёв чипы будут иметь объём 512 Гб, что на треть больше, чем у 96-слойных чипов. Первые коммерческие продукты на основе 128-слойной памяти появятся в 2020 или 2021 годах.

Структура памяти BiCS-5 от Toshiba
Структура памяти BiCS-5 от Toshiba

Сообщается, что чипы BiCS-5 имеют четырёхплоскостную конструкцию. Их ядра разделены на 4 секции, или плоскости, доступ к которой осуществляется независимо. Для сравнения, BiCS-4 имела две плоскости. Благодаря этому скорость записи на канал также удвоится и составит 132 МБ/с. Кроме того, в новых микросхемах используется инновационное размещение логической цепи под самым нижним «слоем» с данными, что позволяет на 15% экономить размер ядра.

Аналитики считают, что новые микросхемы будут изготавливаться на 300 мм блинах с выходом годной продукции выше 85%.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.