Новости про flash-память и Toshiba

Toshiba Memory меняет название на Kioxia

Toshiba Memory Holdings Corporation официально объявила о смене своего названия на Kioxia Holdings Corporation с 1 октября 2019 года. С этого дня новое название будет применяться ко всем предприятиям, входящим в Toshiba Memory, включая британское и израильское подразделение OCZ.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Вывеска на заводе Toshiba Memory
Toshiba Memory

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Сбой в электропитании WD привёл к недовыпуску шести экзабайт

Пара предприятий Toshiba Memory Corporation, входящих в состав Western Digital, столкнулась с отключением электропитания. Теперь компания отмечает, что это приведёт к потерям производства в объёме шести экзабайт в ближайшие несколько кварталов.

С ноября прошлого года цены на твердотельные накопители постоянно снижались, однако случившийся сбой электропитания может привести к росту. Авария произошла в японском регионе Йоккаити 15 июня. 13-минутное отключение привело к тому, что компании потребовалось две недели на то, чтобы оценить ущерб. Согласно отчёту, авария на электросетях повлияла как на оборудование, так и на производственные инструменты, используемые для выпуска пластин NAND, а последствия до сих пор не ликвидированы.

Weatern Digital
Weatern Digital

В связи с этим Western Digital предупредила своих заказчиков флеш-памяти, что в ближайшие кварталы недопоставка микросхем составит шесть экзабайт.

В компании также сообщили, что дефицит памяти будет наиболее остро ощущаться в ближайшие пару месяцев. Восстанавливать производство компания планирует «как можно скорее».

Tosiba и WD разрабатывают 128-слойную память 3D NAND

Компания Toshiba со своим стратегическим партнёром Western Digital готовят память 3D NAND высокой плотности, состоящую из 128 слоёв.

По номенклатуре Toshiba чип будет называться BiCS-5. Несмотря на высокую плотность, чип будет основан на памяти TLC, а не новой QLC. Это связывают с продолжающимися проблемами при производстве QLC и низким процентом выхода годных отпечатков. Однако за счёт повышения числа слоёв чипы будут иметь объём 512 Гб, что на треть больше, чем у 96-слойных чипов. Первые коммерческие продукты на основе 128-слойной памяти появятся в 2020 или 2021 годах.

Структура памяти BiCS-5 от Toshiba
Структура памяти BiCS-5 от Toshiba

Сообщается, что чипы BiCS-5 имеют четырёхплоскостную конструкцию. Их ядра разделены на 4 секции, или плоскости, доступ к которой осуществляется независимо. Для сравнения, BiCS-4 имела две плоскости. Благодаря этому скорость записи на канал также удвоится и составит 132 МБ/с. Кроме того, в новых микросхемах используется инновационное размещение логической цепи под самым нижним «слоем» с данными, что позволяет на 15% экономить размер ядра.

Аналитики считают, что новые микросхемы будут изготавливаться на 300 мм блинах с выходом годной продукции выше 85%.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Toshiba Memory выпускает встраиваемые накопители 3.0

Компания Toshiba начала опытное производство новых встраиваемых накопителей в соответствии с третьей версией стандарта Universal Flash Storage (UFS).

Новая линейка устройств основана на 96-слойной 3D NAND памяти, которая доступна в трёх вариантах ёмкости: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ. Благодаря высокой скорости чтения и записи и низкому энергопотреблению, новые устройства окажутся идеальными для мобильных устройств, смартфонов, планшетов и шлемов виртуальной реальности.

Пакеты памяти Toshiba UFS 3.0
Пакеты памяти Toshiba UFS 3.0

Пакет нового накопителя получил габариты 11,5х13 мм. Контроллер обеспечивает коррекцию ошибок, контролирует износ и логически-физическую адресацию, поиск и управление плохими блоками.

Все три устройства соответствуют стандарту JEDEC UFS Ver. 3.0, включая HS-GEAR4, что должно означать пропускную способность в 11,6 Гб/с на линию, а также применение функционала снижения энергопотребления. По сравнению с прошлым поколением, последовательная скорость чтения и записи в 512 ГБ версии выросла на 70% и 80% соответственно.

Toshiba разрабатывает 96-слойную флэш-память QLC

Корпорация Toshiba Memory, мировой лидер в области твердотельной памяти, анонсировала готовность прототипа 96-слойной памяти BiCS FLASH, построенного на проприетарной технологии 3D памяти с возможностью хранения 4 бит на ячейку (QLC).

Применение технологии QLC позволяет увеличить объём хранимых на одном чипе данных. Уже с сентября компания планирует начать опытные поставки микросхем производителям SSD и разработчикам контроллеров для SSD. Массовое же производство памяти начнётся в 2019 году.

Чип флеш-памяти QLC от Toshiba
Чип флеш-памяти QLC от Toshiba

Переход на QLC позволяет увеличить объём хранимых в ячейке данных с 3 до 4. В результате появится возможность хранения 1,33 Тб данных на одном чипе. В случае распараллеленного применения стеков из 16 чипов в пакете, объём одной микросхемы можно увеличить до 2,66 ТБ. В Toshiba отмечают, что этот объём крайне необходим на фоне развития мобильных терминалов и устройств IoT, генерирующих огромные массивы данных.

Презентовать прототип планирует в ходе Flash Memory Summit, который состоится в Санта-Кларе в начале августа.

Toshiba выпускает UFS 2.1 BGA SSD на базе памяти 3D NAND

Компания Toshiba продвигает память BiCS3 по всем фронтам. Последнее решение компании — память высокой плотности для использования в смартфонах, планшетах и прочих устройствах малого размера. Новые твердотельные накопители компании с интерфейсом UFS 2.1 могут достигать скорости чтения в 900 МБ/с.

Новые устройства будут выпускаться в вариантах объёмом от 32 ГБ до 256 ГБ. Скорость 900 МБ/с обозначена для пакета объёмом 64 ГБ. Скорость записи для такого накопителя составит 180 МБ/с. В Toshiba ничего не сообщили о скорости случайного доступа для устройств BiCS3, но отметили, что скорость чтения на 200% выше, чем у прошлого поколения, а записи — на 185%. В то же время энергопотребление новых накопителей осталось неизменным.

Toshiba UFS 2.1

Когда новые впаиваемые SSD на базе памяти BiCS3 появятся в потребительских устройствах, Toshiba не сообщила.

Toshiba разрабатывает первую в мире память с производством по технологии TSV

Один из мировых лидеров в области памяти, Toshiba Memory Corporation, сообщила о разработке первой в мире трёхмерной (3D) BiCS FLASH памяти, использующей технологию Through Silicon Via (TSV) с 3 битами на ячейку (TLC).

Поставки прототипов данной памяти начались ещё в июне, а первые образцы продукции намечены на второе полугодие 2017. Прототип такого передового устройства будет показан в ходе Flash Memory Summit, который пройдёт в Калифорнии в первой декаде августа.

Микросхемы BiCS FLASH со связями TSV

Устройства, производимые по технологии TSV, имеют вертикальные электроды, которые проходят сквозь кристалл для обеспечения связей. Такой подход позволяет увеличить скорость передачи данных и снизить потребление энергии. Реальная эффективность такого способа была подтверждена компанией на основе двумерных TSV модулей.

Комбинируя 48-слойный 3D флеш процесс и TSV, Toshiba успешно увеличила скорость записи на накопитель, а энергопотребление каждого пакета оказалось примерно вдвое ниже, чем у BiCS FLASH памяти с проводным соединением.

Toshiba анонсирует чипы памяти QLC

Компания Toshiba анонсировала последнее поколение памяти NAND 3D, которое позволяет хранить 4 бита на ячейку памяти. Данная технология получила название Quadruple-Level Cell или QLC.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Память QLC от Toshiba

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

Toshiba готовит терабайтные чипы NAND

Японская компания Toshiba сообщает о начале опытного производства продуктов на основе памяти NAND третьего поколения.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

Toshiba

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.