Новости про оперативная память

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

В потребительских продуктах память DDR2 больше не используется, равно, как и в подавляющем большинстве современных устройств. Однако есть определённые области, среди которых, например, автомобильные развлекательные системы, осветительные массивы и промышленные системы, где оперативная память DDR2 находит своё применение.

До недавнего времени в них использовались лишь чипы DDR2 объёмом 512 Мб или 1 Гб, однако благодаря новому продукту, на рынке появятся модули ёмкостью 2 Гб и 4 Гб.

Ранее память поставлялась в модулях по 4, 8 и 16 чипов (пакеты FBGA60 или FBGA84), теперь же и 2, и 4 гигабитные модули будут иметь восьмичиповую конфигурацию (пакет FBGA63).

К сожалению, ни о техпроцессе производства, ни о скоростных характеристиках, производитель памяти ничего не сообщил.

Совершенно ясно, что производительность GPU, расположенного внутри APU, крайне зависит от скорости оперативной памяти, поэтому более быстрая память позволяет играть в видеоигры с заметно большей производительностью. Наши коллеги с Guru of 3D выяснили, что не только быстрая память, но и память с большим числом ранков также заметно увеличивает скорость работы APU.

Обычно ранкированная память представляет собой сдвоенные модули, на которых микросхемы памяти расположены с двух сторон. Двухранковая память показала в 3D играх на системах с APU Kaveri на 6…7% большую производительность, чем одноранковая с такой же частотой. Наилучшая же производительность достигается при использовании в системе двух двухранковых модулей памяти, которые работают на максимально возможной частоте в 2400 МГц.

Таким образом, если у вас есть компьютер с ускоренным процессором микроархитектуры Kaveri, то, по уверению сайта Guru of 3D, перейдя с обычной памяти DDR3-1866 на двухстороннюю DDR3-2400 вы увидите прирост производительности в 15,2%, что весьма существенно.

Работая совместно с HKEPC OC Lab в Гонконге, команда, разогнав модули памяти, достигла нового рекорда, рассчитав число Пи с точностью в 32 миллиона знаков за 4 минуты 38 секунд и 329 мс. Это позволило команде попасть в пятёрку самых быстрых расчётов Super Pi и быть в десятке единственным оверклокером с неэкстремальными условиями охлаждения.

Всего этого команда добилась лишь разгоняя модули памяти. TeamGroup и HKEPC OC Lab скооперировались вместе для создания программы по отбору модулей памяти ProjectX, главной целью которой был апгрейд разогнанной производительности модулей памяти и повышение их стабильности. Новый рекорд был установлен на модулях памяти Xtreem Series DDR3 2400 4GBX2 с чипами DDR3 от Samsung.

Самый удачный результат был достигнут на процессоре Intel Core i7-4770K и материнской плате ASRock Z87M-OC Formula. Процессор был разогнан до 6,647 МГц при охлаждении жидким азотом. С воздушным же охлаждением достижение было получено на модулях DDR3-2860-CL9-12-12-17 1T.

Результат является не только самым лучшим для воздушного охлаждения, но и входит в пятёрку вообще всех рекордов Super PI.

Идея разработки довольно проста. В SanDisk решили, что необходимо поместить накопитель как можно ближе к CPU, в итоге была выпущена flash-память в форм-факторе DIMM модуля.

В результате задержки при записи на ULLtraDIMM составляют всего 5 микросекунд, что быстрее любых существующих накопителей, включая те, что используют шину PCIe. Новая память доступна в объёме 200 и 400 ГБ. Для её производства используется MLC NAND память, изготовленная по техпроцессу 10 нм класса.

Модули имеют скорость случайного чтения/записи на уровне 150/65 тысяч операций ввода-вывода, а скорость последовательного чтения/записи составляет 760 МБ/с, что на 50% превосходит большинство потребительских SSD.

Главным плюсом разработки является совместимость. Поскольку ULLtraDIMM используют форм-фактор DIMM их можно применять в существующих серверах и блейд системах. Конечно, эта технология ограничена лишь серверами, но кто знает, возможно в будущем мы увидим подобное решение и для домашних компьютеров.

Таковы результаты статистического анализа, проведённого Net Applications по данным, собранным в прошедшем декабре. Стоит отметить, что такой показатель является гигантским прорывом, по сравнению с теми 3,2% популярности в ноябре и 1,5% в октябре 2013 года, которые имела эта версия браузер.

Изначально IE 11 был выпущен как часть операционной системы Windows 8.1 в предварительной редакции. Версия для прошлой, но самой популярной ОС, Windows 7, вышла в начале ноября в виде «важного» обновления, проложив себе путь для быстрой дальнейшей популяризации. Согласно статистике за декабрь, IE 11 находится на четвёртом месте в списке используемых браузеров. Лидером этого рынка является IE 8, который имеет 20,6% популярности. Затем идут Chrome 31 с 12,8% и IE 10 с 11% популярности.

Если не вдаваться в номер версии, то согласно статистики Net Applications, лидерство на рынке интернет обозревателей держит Microsoft с 57,9%. Дальше идёт Mozilla Firefox с 18,3%, а замыкает тройку Google со своим Chrome, имея 16,2% рынка.

Тем не менее, источник уверяет, что в самых дорогих моделях всё же будет использоваться новая память в связи с её высокой пропускной способн6остью, которая будет вдвое выше, по сравнению с LPDDR3, при на 50% меньшем энергопотреблении.

В JEDEC сейчас считают, что стандарт LPDDR4 будет включать пропускную способность 3200 МБ/с, (3,2 ГГц эффективной частоты), максимальный уровень сигнала составит 350 mVpp с настраиваемым прерыванием, а питаться память будет напряжением 1,1 В. В дополнение в шину данных была добавлена инверсия, что должно повысить целостность сигнала. Однако, пожалуй, самым важным изменением в LPDDR4 по сравнению с прошлыми стандартами станет то, что она будет иметь двухканальную архитектуру x16 DRAM. Недавно обновлённый стандарт LPDDR3 предусматривает скорость 2133 МБ/с, в LPDDR4 в результате изменений она будет вдвое выше.

Память LPDDR используется в основном в смартфонах, планшетных ПК и прочих портативных устройствах. Фактически, даже Apple MacBook Air последнего поколения использует память LPDDR3 для снижения энергопотребления ноутбука. А поскольку современные смартфоны и планшеты в связи с ускорением вычислительной системы становятся всё более требовательными к скорости работы памяти, выпуск нового стандарта памяти с высокой пропускной способностью будет крайне важен для этой растущей отрасли. Но при этом хотелось бы ещё раз отметить, что внедрение стандарта будет медленным, ведь даже сейчас, спустя 2 года после финализации стандарта LPDDR3, большая часть производителей смартфонов предпочитает ставить в свои устройства память LPDDR2.

Производитель процессоров делает ставку на APU, ведь использование подобной памяти положительно скажется на скорости работы их чипов, поскольку позволит использовать одинаковые пакеты для GPU и CPU. Как бы то ни было, но APU требуют высокой пропускной способности, так что даже ускоренные процессоры начального уровня получат выигрыш при использовании памяти с высокой скоростью работы, и не стоит забывать о GDDR5, которая по слухам будет распределённо использоваться в Kaveri.

Память, собранная в 3D блоки, может быть использована как память с высокой пропускной способностью, ещё большей, чем у GDDR5. Она может использоваться как системная и как видеопамять, хотя изначально такие модули разрабатывались как память для графических приложений. Новая память, построенная с использованием новых технологий Wide I/O и TSV, должна поддерживать пропускную способность на уровне от 128 ГБ до 256 ГБ, и в свет она должна выйти уже в 2015 году. В настоящее время основным применением для памяти с высокой пропускной способностью считается GPU, так что и AMD, и NVIDIA планируют начать её использование со своими продуктами, изготовленными по 20 нм техпроцессу, однако, возможно, не с первым их поколением.

В настоящее время остаётся неизвестным, каким образом AMD планирует использовать эту технологию для APU. Ведь применение памяти нового типа в потребительских продуктах потребует переделки архитектуры и отказа от обратной совместимости, что значительно замедлит популяризацию новой технологии.

Инновационный форм-фактор от SMART предназначен для устройств видеовещания, мобильных роутеров, видеокарт хай-энд класса и встраиваемых вычислительных решений, где потребление энергии, производительность и занимаемое место являются ключевыми параметрами.

Несмотря на то, что модуль MIP от SMART в пять раз меньше обычного SO-DIMM, он имеет большую производительность при меньшем энергопотреблении. Ключевыми факторами, которых добились инженеры SMART, являются 42% сбережение энергии, 42% снижение помех и 39% снижение пиковых помех.

Модули MIP являются впаиваемыми, поэтому в отличие от SO-DIMM им не требуется дополнительный интерфейсный разъём. Память от SMART работает как с проверкой чётности, так и без таковой. Компания предлагает модули объёмом 2 и 4 ГБ при скорости работы DDR3-2133.

Компания-разработчик пообещала продемонстрировать работу MIP памяти 25 февраля на конференции Embedded World 2014 Exhibition & Conference, которая пройдёт в немецком Нюрнберге.