Новости про видеопамять

Samsung фактически выпускает 16-гигабитную память GDDR6

Компания Samsung анонсировала новую 16-гигабитную память GDDR6 ещё в прошлом году, а в январе даже сообщала о начале её массового производства. Но только теперь благодаря NVIDIA и её видеокартам серии Quadro RTX эта память поступила на рынок.

Во всех анонсированных во вторник видеокартах Quadro моделей RTX 8000, RTX 6000 и RTX 5000 используется память GDDR6 объёмом 16 Гб от Samsung, обеспечивая высокую скорость и эффективность.

GDDR6 память от Samsung объёмом 6 Гб
GDDR6 память от Samsung объёмом 6 Гб

По данным Samsung, эта память на 35% более экономична, чем GDDR5. Это достигается новой конструкции цепи, что позволяет памяти GDDR6 от Samsung работать на напряжении 1,35 В против 1,55 В у GDDR5. Скорость в новой памяти также радует. Она достигает 14 Гб/с на контакт, а общая скорость передачи данных составляет 56 ГБ/с, что на 75% быстрее, чем 8 Гб чипов GDDR5.

Свой пресс-релиз компания дополнила заявлением своего корпоративного вице-президента Джима Элиотта, который назвал это событие «привилегией со стороны NVIDIA».

GDDR6 не намного дороже GDDR5

Согласно данным на Digikey, цены на память GDDR6 не будут сильно отличаться от цен на GDDR5. Конечно, эти цены — не свершившийся факт, но исследование весьма любопытно.

Сообщается, что чип GDDR6 объёмом 1 ГБ может быть приобретен за 20,78 евро (12 Гб/с), 21,64 евро (13 Гб/с) и 22,51 евро (14 Гб/с).

Память GDDR6 от Samsung объёмом 2 ГБ
Память GDDR6 от Samsung объёмом 2 ГБ

Это довольно близко к 20,01 евро, которые стоит гигабайтный чип со скоростью 8 Гб/с и 18,88 евро за 7 Гб/с версию. То есть разница между 7 Гб/с чипами GDD5 и 14 Гб/с чипами GDDR6 составляет лишь 20%, а между 8 Гб/с чипами GDD5 и 12 Гб/с чипами GDD6 не доходит даже до 5%.

Сколько же на самом деле заплатят производители видеокарт за новые микросхемы, пока неизвестно, но не похоже, чтобы высокая цена на GDRR6 стала препятствием для её распространения.

NVIDIA GeForce GT 1030 с DDR4 вдвое медленнее GDDR5

Сайт Gamer's Nexus протестировал видеокарту NVIDIA GeForce GT 1030 с памятью DDR4, и она оказалась большим разочарованием. Переход на DDR4 позволил снизить стоимость ускорителя на 10 долларов, но в плане производительности это просто катастрофа.

Такое малозаметное изменение как тип памяти невероятно сильно сказалось на производительности, и многие пользователи могут запутаться, выбрать более дешёвый ускоритель, и в результате разочароваться в бренде.

Тест видеокарт в 3DMark Firestrike
Тест видеокарт в 3DMark Firestrike

Путаница также возникнет из-за того, что NVIDIA не указывает тип памяти напрямую, а шифрует его. К примеру, версия карты с памятью DDR4 называется «GT 1030 2GB OC LPD4», а с памятью GDDR5 — «GT 1030 2GB OC LPG5», и вот такое небольшое отличие в имени приводит к разнице в производительности в 55%.

Micron говорит о 20 Гб/с для GDDR6

Похоже, что компания Micron сможет с лёгкостью обойти стандарт JEDEC, где указывается пропускная способность GDDR6 в 14 Гб/с. Чтобы достичь 20 Гб/с нужно будет немного повысить напряжение.

Согласно свежему исследованию Micron, названному «16 Гб/с и больше с SingleEnded I/O в высокопроизводительной памяти для графики», память GDDR6 можно легко масштабировать со скорости 16,5 Гб/с при помощи «маленького, но полезного подъёма напряжения при вводе-выводе». Так можно достичь скорости 20 Гб/с, по крайней мере, на бумаге.

Офис Micron
Офис Micron

Также документ гласит, что результат в 16,5 Гб/с демонстрирует полную функциональность DRAM, которая может быть резко поднята ограничением таймингов непосредственно в массиве памяти, а скорость в 20 Гб/с была достигнута переводом памяти в специальный режим работы, который использует только ввод-вывод, обходя массив памяти.

Конечно, в ближайшее время мы не увидим памяти GDDR6 со скоростью 20 Гб/с. Недавно Samsung анонсировала память GDDR6 со скоростью 18 Гб/с. В любом случае, даже 14 Гб/с память даст значительный прирост в производительности видеокарт.

Micron начинает массовое производство памяти GDDR6

Компания Micron Technology анонсировала начало массового производства 8 Гб микросхем памяти GDDR6, которая оптимизирована для нагрузок, характерных для быстрого обмена данными, включая, искусственный интеллект, сетевые устройства, автомобильную электронику и графические платы.

Кроме этого Micron ведёт работу с ключевыми партнёрами экосистемы по разработке документации GDDR6 и взаимодействию, обеспечивая более быстрый выход памяти на рынок.

Память GDDR6 от Micron
Память GDDR6 от Micron

Данная работа велась как на этапе разработки, так и на этапе валидации продукции. Память нового типа обеспечит значительный прирост производительности при снижении энергопотребления.

NVIDIA готовит версию GTX 1050 с 3 ГБ видеопамяти

В Сети появились слухи, что компания NVIDIA готовит очередную версию видеокарты GeForce GTX 1050.

У компании уже есть обычная 2 ГБ модель и более производительная версия Ti с 4 Гб памяти GDDR5.

NVIDIA GeForce GTX 1050
NVIDIA GeForce GTX 1050

Теперь, согласно свежим слухам, NVIDIA собирается выпустить GeForce GTX 1050 с 3 ГБ памяти GDDR5. Эта память будет иметь шину шириной 96 бит, в отличие от традиционных для этой серии 128 бит. Что касается GPU, то это будет GP107, однако его модификация пока неизвестна.

Скорее всего, эта плата будет предлагаться исключительно на рынке Китая, где уже есть аналогичная специализированная 5 ГБ версия GTX 1060.

Samsung начинает массовое производство 16 Гб чипов GDDR6

Три месяца назад компания Samsung сообщила о завершении подготовительных работ с памятью GDDR6, но только теперь компания опубликовала некоторые детали об этой памяти.

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

16 Гб чипы памяти Samsung GDDR6

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.

Samsung начинает производство памяти HBM2 нового поколения

Компания Samsung объявила о начале производства второго поколения 8 ГБ памяти типа High Bandwidth Memory-2, предлагая самую высокую пропускную способность из доступных на рынке.

Новые чипы получили название Aquabolt, и целью их применения являются суперкомпьютеры нового поколения, решения искусственного интеллекта и графические системы.

Память Aquabolt работает на скорости 2,4 Гб/с на контакт при напряжении 1,2 В, что на 50% больше, чем у первого поколения памяти HBM2, которое обеспечивало при том же напряжении пропускную способность 1,6 Гб/с.

Samsung HBM2 Aquabolt

Один пакет Aquabolt предлагает скорость в 307 Гб/с, что в 9,6 раза выше, чем 8 ГБ чип GDDR5, который обеспечивает скорость в 32 Гб/с. По словам компании, применив четыре Aquabolt можно обеспечить пропускную способность равную 1,2 Тб/с.

В Samsung обещают обеспечить стабильные поставки памяти Aquabolt всем IT клиентам по всему миру.

Micron завершила разработку GDDR6

Компания Micron выпустила пару изменений в дорожной карте памяти GDDR, сообщив о готовности к массовому производству GDDR6.

Кроме того, компания отметила начало производства 8 Гб чипов GDDR5 по наиболее совершенному техпроцессу 1x нм.

Память Micron

Что касается GDDR6, то компания сообщила о завершении квалификации устройств, что делает её лидером в этой отрасли. В Micron отметили, что массовое производство видеопамяти нового типа начнётся через несколько месяцев. Первые микросхемы памяти поступят производителям видеокарт, которые будут использовать их в решениях для автомобильной электроники и сетевых систем. Остальные потребители получат GDDR6 несколько позднее.

Вначале Micron сосредоточится на чипах памяти GDDR6 со скоростью 12 Гб/с и 14 Гб/с. Позднее скорость памяти будет увеличена до 16 Гб/с.

Rambus: HBM3 удвоит пропускную способность до 4000 Мб/с

Новый слайд от Rambus пролил немного света на цели в развитии памяти, показав будущее широкополосной памяти HBM3 и DDR5.

Дизайнер решений в области памяти отметил, что микросхемы обоих типов при готовности выйти на рынок будут произведены по 7 нм технологии. Таким образом, эти решения в области памяти не появятся раньше 2019 года. При этом конечные спецификации пока не утверждены и в будущем ещё могут измениться.

Планы Rambus на память

У Rambus уже есть работающий прототип DDR5. В фирме ожидают, что официальный стандарт будет нацелен на частоту от 4800 МГц до 6400 МГц, что вдвое больше, чем у DDR4.

Слайд также сообщает, что HBM3 вдвое увеличит пропускную способность по сравнению с HBM2, но при этом будет иметь более сложную конструкцию архитектуры.