/ / Samsung начинает производство 20 нм DDR3 памяти
7994420702;horizontal

Samsung начинает производство 20 нм DDR3 памяти

21 марта 2014

Компания Samsung анонсировала начало производства 4-гигабитной DDR3 памяти по 20 нм техпроцессу. Это заявление стало частью дальнейшего ряда обновлений, после того, как эти чипы были впервые представлены общественности ещё год назад.

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

20 нм память DDR3 от Samsung

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

20 нм, DDR3, Samsung, оперативная память