Новости про 25 нм

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Intel прекращает выпуск 25 нм NAND памяти

На прошлой неделе компания Intel объявила о том, что прекращает поставки сразу нескольких модельных рядов твердотельных накопителей, основанных на многоуровневой твердотельной NAND памяти, изготовленной по 25 нм техпроцессу.

Под сокращение попали такие серии SSD как 313, 320, 520, 525 и 710 всех емкостей. Заказчики могут размещать заказы на получение этих накопителей до конца сентября—середины октября этого года. Последние же партии дисков, в зависимости от модели, будут изготовлены в период от 15 декабря 2013 года по 20 января 2014.

Также компания пообещала приложить коммерчески обоснованные усилия для выполнения заказов последней партии. При этом, учитывая ограниченность поставок, может образоваться дефицит накопителей Intel с памятью NAND, изготовленной по 20 нм техпроцессу. Изготовители также подтвердили это, обозначив, что возможно образование ситуации, при которой Intel не сможет обеспечить потребителей накопителями ни по 25 нм процессу, ни по 20 нм.

Компания Elpida объявила о разработке 25 нм модулей памяти

В четверг компания Samsung провела громкую презентацию своего нового завода по производству модулей памяти «20 нм класса». Причем по заявлению самой компании, это крупнейший завод в мире. И вот на следующий день, японская фирма Elpida Memory, специализирующаяся на производстве микросхем памяти, заявила, что им удалось создать самый маленький 4 Гб модуль памяти DDR3.

Такого результата в Elpida смогли достичь благодаря внедрению технологии производства микросхем с размером элементов равных 25 нм. Напомним, что ранее, в мае этого года, японская компания объявила о разработке 25 нм микросхем памяти ёмкостью 2 Гб.

Новый чип Elpida потребляет на 25—30% меньше операционного тока, при этом сила тока в режиме ожидания также снижается на 30—50%, по сравнению с модулями памяти такого же объёма, но изготовленных по нормам 30 нм техпроцесса. Кроме превосходств, связанных с пониженной мощностью, изготовитель также заявил, что благодаря 25 нм техпроцессу новые 4 Гб чипы имеют на 45% большую производительность, чем 30 нм решения их же производства.

Новые 4 Гб микросхемы памяти могут работать на частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В или 1,5 В и предназначены для применения в модулях памяти для всех устройств, начиная от настольных ПК и серверов и заканчивая нетбуками.

Первые образцы памяти, изготовленной по усовершенствованному техпроцессу, а также коммерческое производство чипов, компания планирует начать уже в конце этого года.