7994420702;horizontal

Новости про LPDDR

Чипы Samsung позволят расширить ОЗУ смартфонов до 6 ГБ #

11 сентября 2015

Объёмы оперативной памяти устройств растут постоянно, однако сейчас производители столкнулись с технологическими ограничениями дальнейшего роста объёма ОЗУ, которые инженерам Samsung удалось преодолеть. В результате, ваш будущий смартфон или планшетный компьютер будет работать заметно быстрее, и содержать вдвое больше ОЗУ.

Южнокорейский гигант заявил о начале массового производства 12 Гб (1,5 ГБ) модулей памяти DDR4 для мобильных устройств, производимых на собственных 20 нм заводах. Эти новые микросхемы памяти имеют тот же физический размер, что и 6 Гб модули компании, что означает, что устройства могут получить вдвое больше ОЗУ при том же занимаемом на печатной плате пространстве. Либо же будут доступны меньшие по размеру телефоны с 3 ГБ ОЗУ.

Микросхемы LPDDR4 объёмом 6 Гб от Samsung

Кроме того сообщается, что новые модули на 30% более производительны, чем 8 Гб чипы компании, используемые во многих устройствах с 4 ГБ ОЗУ, что несомненно положительно скажется на общей производительности мобильных устройств. Вообще же Samsung амбициозно заявила, что её новая память вдвое быстрее, чем DDR4 RAM для компьютеров. Также эта память использует на 20% меньше энергии, означая более эффективное использование заряда аккумулятора.

Сейчас компания занимается производством чипов и заполнением складов, а значит, ваш следующий гаджет может иметь больше ОЗУ, чем ваш настольный компьютер.

DDR4, LPDDR, Samsung

«Engadget»

Samsung снижает производство DRAM #

14 августа 2015

Компания Samsung Electronics сообщает о снижении объёмов производства обычной динамической памяти со случайным доступом, что может привести к росту цен на DRAM. Взамен обычной памяти мировой производитель №1 нарастит выпуск LPDDR, чтобы удовлетворить запросы Apple, которая увеличивает объёмы заказов для iPhone.

Южнокорейская компания сократит производство ОЗУ на 30%. В связи с этим снижением выпуска аналитики ожидают рост цены, который произойдёт уже в августе или сентябре.

Память DDR4 Samsung

Новые смартфоны iPhone будут включать 2 ГБ памяти LPDDR4 вместо 1 ГБ в прошлых моделях, что означает резкое увеличение количество приобретаемой памяти, по сравнению с прошлыми годами. Чтобы гарантировать себе достаточное количество микросхем памяти, Apple решила приобретать её не только у Samsung, но и у SK Hynix и Micron.

LPDDR, Samsung, оперативная память, производство, рынок

«KitGuru»

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4 #

9 декабря 2014

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

DDR4, Hynix, LPDDR, Micron, Qualcomm, Samsung, оперативная память, смартфон

«Fudzilla»

Утверждена спецификация DDR4 для ноутбуков #

1 сентября 2014

Уже все ведущие производители представили свои модули памяти DDR4, которые будут работать с процессорами Haswell-E, в связи с чем в JEDEC решили подготовить спецификацию DDR4 и для ноутбуков.

Итак, спецификация получила название JESD209-4 Low Power Double Data Rate 4 или коротко — LPDDR4.

Он определяет пропускную способность модулей LPDDR4 на уровне 3200 МТ/с, а целевая скорость составит 4266 МТ/с, что вдвое больше, чем установлено для LPDDR3.

JEDEC

Для достижения этого архитектура была полностью переработана. В ней было заменено 16-битное одноканальное ядро на 32-битное двухканальное ядро (по 16 бит на канал). Ключевой особенностью новой памяти стала именно двухканальная архитектура, поскольку она позволяет снизить затраты энергии, необходимые для отправки больших объёмов данных, требуемых для интерфейса LPDDR4. Также были объединены тактовая и адресная шины, что позволило уменьшить тайминги.

На первый взгляд память LPDDR4 значительно превосходит по своим характеристикам прошлое поколения, и очень жаль, что мы не увидим лэптопов, основанных на ней, до середины будущего года.

DDR4, LPDDR, ноутбуки, оперативная память

«Softpedia»

Выпуск памяти LPDDR4 запланирован на 2014 год #

26 декабря 2013

Стандарт памяти LPDDR4 запланирован к финализации в 2014 году, однако даже в топовых устройствах его внедрение не будет проходить быстро в связи с высокой ценой и ограниченными объёмами производства.

Тем не менее, источник уверяет, что в самых дорогих моделях всё же будет использоваться новая память в связи с её высокой пропускной способн6остью, которая будет вдвое выше, по сравнению с LPDDR3, при на 50% меньшем энергопотреблении.

Дорожная карта JEDEC

В JEDEC сейчас считают, что стандарт LPDDR4 будет включать пропускную способность 3200 МБ/с, (3,2 ГГц эффективной частоты), максимальный уровень сигнала составит 350 mVpp с настраиваемым прерыванием, а питаться память будет напряжением 1,1 В. В дополнение в шину данных была добавлена инверсия, что должно повысить целостность сигнала. Однако, пожалуй, самым важным изменением в LPDDR4 по сравнению с прошлыми стандартами станет то, что она будет иметь двухканальную архитектуру x16 DRAM. Недавно обновлённый стандарт LPDDR3 предусматривает скорость 2133 МБ/с, в LPDDR4 в результате изменений она будет вдвое выше.

Память LPDDR используется в основном в смартфонах, планшетных ПК и прочих портативных устройствах. Фактически, даже Apple MacBook Air последнего поколения использует память LPDDR3 для снижения энергопотребления ноутбука. А поскольку современные смартфоны и планшеты в связи с ускорением вычислительной системы становятся всё более требовательными к скорости работы памяти, выпуск нового стандарта памяти с высокой пропускной способностью будет крайне важен для этой растущей отрасли. Но при этом хотелось бы ещё раз отметить, что внедрение стандарта будет медленным, ведь даже сейчас, спустя 2 года после финализации стандарта LPDDR3, большая часть производителей смартфонов предпочитает ставить в свои устройства память LPDDR2.

LPDDR, оперативная память, планшетные ПК, смартфон

«Xbit Labs»