Новости по теме «LeEco представила смартфон с 8 ГБ ОЗУ»

Эти микросхемы изготавливаются с высокой точностью с применением технологии EUV. По данным производителя, эти микросхемы на 16% быстрее прошлого поколения 12 ГБ LPDDR5, построенного по технологии 1y. Новая память обеспечивает скорость передачи данных в 6400 Мб/с.

Также память 1z LPDDR5 на 30% тоньше, чем прошлогодняя 1y, что обеспечит новым многокамерным смартфонам больше пространства.

Южнокорейский гигант пока не сообщает, когда же на рынке появятся первые смартфоны с 16 ГБ пакетами LPDDR5. Однако было сказано, что компания «будет и впредь усиливать своё присутствие на рынке флагманских мобильных устройств» в течение 2021 году, что может означать недолгое ожидание.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.

Компания Samsung, будучи одним из мировых лидеров отрасли, приступила к массовому производству модулей памяти LPDDR5 объёмом 12 Гб. Также компания анонсировала планы по комбинированию 8 из этих модулей для создания пакетов объемом 12 ГБ.

Выпустив память LPDDR5 10-нанометрового класса второго поколения, южнокорейский гигант надеется, что она найдёт своё применение во флагманских смартфонах следующего поколения. Новая память обеспечивает пропускную способность в 5500 Мб/с, что в 1,3 раза выше, чем у LPDDR4X. Кроме того, новые модули потребляют на 30% меньше электроэнергии.

В следующем же году компания планирует завершить разработку 16 Гб модулей LPDDR5.

В новом чипе компания упаковала шесть отдельных 1Y-нм ядер объёмом 16 Гб. Толщина полученного пакета составляет 1,1 мм, а пропускная способность — 34,1 ГБ/с. Хотя компания сообщила, что чип будет использоваться в новых флагманских смартфонах, пока она не назвала ни одной модели.

Новая микросхема выпущена вслед за аналогичным LPDDR4X решением объёмом 8 ГБ, в котором упакованы те же 16 Гб ядра, изготовленные по 1y нм процессу. Увеличение объёма ОЗУ компания связывает с возросшим спросом на такую память.

В любом случае, этим модулям компания уже готовит замену. Так, у Samsung уже есть образцы 8 ГБ пакетов LPDDR5, которые построены на ядрах объёмом 8 Гб, но пока у фирмы нет точных сроков её выпуска.

Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.

Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.

Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.

В ближайшем будущем смартфоны высшего класса уже обойдут настольные ПК по некоторым характеристикам. Так, компания Vivo готовит новый флагманский смартфон, который получит поразительные 10 ГБ ОЗУ.

По слухам, этот смартфон будет выпущен в августе. Он получит процессор Qualcomm Snapdragon 660 и 10 ГБ ОЗУ. Похоже, что в противостоянии Oppo и Vivo в этом году победит последняя. Однако это будет первый, но не единственный смартфон с такими характеристиками. Так, к концу года, а особенно к началу следующего, многие производители готовят свои аналогичные предложения, а вот насколько они будут востребованы, узнаем уже через месяц.

Разочаровывающие продажи смартфонов привели к большим накоплениям на складах. Поэтому спрос на мобильную DRAM был снижен на фоне падающих цен на ОЗУ.

На стоимость мобильной памяти также влияет цена на память для ПК, отмечает источник. Вместе со снижением памяти на PC DRAM, производители стали использовать своё оборудование для производства продукции для мобильной памяти.

Начиная с 2015 года, цена на оперативную память постоянно снижались, и сейчас чипы eTT DRAM объёмом 4 Гб стоят менее 2 долларов США. Причиной тому стал меньший, чем ожидалось, спрос, и большие объёмы поставок.

Источники также выразили пессимизм и касательно цен на память для серверов, а также для прочих нишевых рынков памяти.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

Тем не менее, источник уверяет, что в самых дорогих моделях всё же будет использоваться новая память в связи с её высокой пропускной способн6остью, которая будет вдвое выше, по сравнению с LPDDR3, при на 50% меньшем энергопотреблении.

В JEDEC сейчас считают, что стандарт LPDDR4 будет включать пропускную способность 3200 МБ/с, (3,2 ГГц эффективной частоты), максимальный уровень сигнала составит 350 mVpp с настраиваемым прерыванием, а питаться память будет напряжением 1,1 В. В дополнение в шину данных была добавлена инверсия, что должно повысить целостность сигнала. Однако, пожалуй, самым важным изменением в LPDDR4 по сравнению с прошлыми стандартами станет то, что она будет иметь двухканальную архитектуру x16 DRAM. Недавно обновлённый стандарт LPDDR3 предусматривает скорость 2133 МБ/с, в LPDDR4 в результате изменений она будет вдвое выше.

Память LPDDR используется в основном в смартфонах, планшетных ПК и прочих портативных устройствах. Фактически, даже Apple MacBook Air последнего поколения использует память LPDDR3 для снижения энергопотребления ноутбука. А поскольку современные смартфоны и планшеты в связи с ускорением вычислительной системы становятся всё более требовательными к скорости работы памяти, выпуск нового стандарта памяти с высокой пропускной способностью будет крайне важен для этой растущей отрасли. Но при этом хотелось бы ещё раз отметить, что внедрение стандарта будет медленным, ведь даже сейчас, спустя 2 года после финализации стандарта LPDDR3, большая часть производителей смартфонов предпочитает ставить в свои устройства память LPDDR2.

Судя по фотографиям, плата брендирована по заказу Kingston, по крайней мере, экран загрузки демонстрирует логотип Kingston Fury. На самом деле такая конфигурация не имеет смысла. Память SODIMM используется в ноутбуках и изредка в настольных миникомпьютерах, вроде серии NUC. При этом возможности модулей SODIMM всегда ниже, чем у полноценных DIMM.

Поэтому единственной целью, по всей видимости, эта плата создавалась специально для тестирования и разгона модулей оперативной памяти SODIMM. По этой же причине вряд ли эта плата поступит в розничную продажу, особенно с учётом того, что основана она на устаревшем чипсете Z590.

Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.

Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.

Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.

Начинал формат CAMM как проприетарный. Впервые он появился в ноутбуках Dell Precision 7670. Главным преимуществом памяти данного формата является её тонкий профиль, на 75% меньше, чем у SO-DIMM, а также возможность повышения скорости работы до 6400 МГц с дальнейшим «масштабированием к большим частотам».

Спецификация CAMM2 включает два варианта: с памятью DDR5 и LPDDR5(X). Примечательно, что стандарт предполагает варианты как с впаиваемой памятью DDR5, так и не с впаиваемой LPDDR5(X), правда, такие модули не взаимозаменяемые из-за их разного размера.

Ещё одним преимуществом CAMM2 является её работа в двухканальном режиме сразу, с единственным модулем, при том, что каждая планка SO-DIMM может работать лишь в одном канале.

Что касается недостатков, то они характерны для всех новых технологий. Это цена. Лишь по мере дальнейшего вывода с рынка SO-DIMM и постепенной заменой CAMM2 новые модули могут выйти на сравнимую стоимость.

К счастью, эмуляция x86 и Windows на системах Linux, включая запущенные на процессорах Arm, довольно успешно развивалась в последние годы. Типичным примером являются инструменты вроде Box86 и Box64. И вот теперь появлюсь приложение Winlator, благодаря которому можно запускать игры для ПК на устройствах Android и играть без заметных задержек.

Чтобы обеспечить работу игр утилита использует существующие инструменты сторонней разработки Wine и Box86. В версии Winlator 3.0 появилась возможность выбора разрешения, улучшенного управления, звука. Среди поддерживаемы игр доступна такая классика, как Fallout 3, The Elder Scrolls IV: Oblivion, Mass Effect 2 и Deus Ex Human Revolution.

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

По данным аналитиков всего на рынке сейчас насчитывается 250 активных производителей телефонов, против 700 в 2017 году. Они отмечают, что национальные бренды исчезли «практически полностью», а глобальные бренды продолжили существование.

Среди исчезнувших брендов отмечаются индийские (Micromax, Intex, Karbonn), ближневосточные и африканские (Injoo and Xtouch), китайские (Meizu, Meitu, Gionee и Coolpad), японские (Kyocera и NEC) и корейский (LG). Некоторые из них работали по всему миру, например, LG, Kyocera, а такие бренды как Meizu и Meitu обладали огромным потенциалом развития.

Причинами закрытия называют взросление пользовательской базы, удлинённые циклы обновления, растущий рынок отремонтированных устройств, проблемы с поставками и экономикой, включая проблемы из-за COVID-19, а также технологические переходы от 4G к 5G.

Аналитики отмечают, что в дальнейшем число активных брендом будет снижаться и далее, однако для маленьких производителей есть надежда. Так, Counterpoint Research считает, что им стоит уходить в премиальный сегмент. В качестве примера приводятся устройства Fairphone, Doro, и Sonim.

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.

Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.

Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.

Благодаря новому процессу производства чип Snapdragon 4 Gen 2 стал более энергоэффективным. При этом, конфигурация процессоров ничем не отличается от первого поколения и включает два производительных ядра частотой 2,2 ГГц и шесть энергоэффективных ядер частотой 2,0 ГГц. К сожалению, Qualcomm ничего не сообщила о конфигурации GPU Adreno, сказав лишь, что он поддерживает API OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan 1.1 и аппаратное кодирование H.265- и VP9-видео. Крупнейшим обновлением стал переход на память LPDDR5-3200 и накопитель UFS 3.1.

Кроме этого, SoC поддерживает экраны частотой 120 Гц и разрешением FHD+, имеется 12-битный процессор изображений Spectra с поддержкой двух камер разрешением 108 Мпикс и 32 Мпикс. при 30 к/с без задержки затвора (ну или сдвоенной камеры 16+16 Мпикс.). Представленный чип также содержит модем Snapdragon X61 5G с нисходящей скоростью 2,5 Гб/с и восходящей 900 Мб/с. Из модулей связи также есть Wi-Fi 5 и Bluetooth 5.1. поддерживается быстрая зарядка Qualcomm Quick Charge 4+.

Некоторые китайские производители уже заявили об использовании этой SoC в своих устройствах модельного ряда Redmi и Vivo. Они должны быть анонсированы во второй половине 2023 года.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Благодаря чипам 3D X-DRAM, NEO Semiconductor надеется создать микросхемы памяти объёмом 128 Гб (16 ГБ) при 230 слоях, обеспечив 8-кратный прирост плотности, по сравнению с 2D DRAM чипами. В пресс-релизе компании говорится: «Память 3D X-DRAM от NEO Semiconductor является первой в своём роде структурой подобной 3D-NAND DRAM, основанной на безъёмкостной технологии с плавающим телом. Её можно производить по процессу, подобному современному 3D-NAND с необходимостью изменения лишь одной маски и отверстий линии данных, чтобы формировать ячеестую структуру внутри отверстий. Ячеестая структура упрощает шаги процесса и обеспечивает высокую скорость, плотностью и низкую стоимость при высокой степени выпуска годной продукции».

В будущем же, к 2035 году, разработчики ожидают выпустить чипы DRAM объёмом 1 Тб (256 ГБ). Большие планы, особенно учитывая, что сейчас новые компьютеры редко оснащаются более 16 ГБ памяти. А вот в отрасли машинного обучения, где требуются огромные объёмы ОЗУ, такое решение придётся как нельзя кстати.

Исходящий вызов был совершён из сети AT&T в Мидлэнде, Техас, на японского мобильного оператора Ratuken посредством немодифицированного смартфона Samsung Galaxy S22 и спутника AST SpaceMobile's BlueWalker 3.

Компания AST SpaceMobile уверяет, что создаёт «первую в мире и единственную космическую широкополосную сотовую сеть». При этом компания с помощью своих спутников обеспечит сеть всех доступных стандартов, от 2G до 5G.

Пока не ясно, будет ли за спутниковое подключение взиматься дополнительная плата. Также пока AST SpaceMobile не может сообщить сроков коммерческого запуска услуги. И хотя пока пользоваться спутниковыми звонками с обычного телефона невозможно, успешно проведенный тест демонстрирует приближение глобально доступной связи.

В случае отказа Samsung от использования Google и перехода на Bing, первая, и её родительская компания Alphabet, потеряют порядка 3 миллиардов долларов ежегодно. По крайней мере таковы условия соглашения между ними. Безусловно, это вызовет проблемы у Google, которой придётся резко ускорить работы над своими сервисами ИИ.

И хотя 3 миллиарда долларов для Alphabet это не слишком большая сумма, потеря Samsung станет большим репутационным ударом. На этом фоне другой партнёр Google, компания Apple, также может отказаться от её услуг. Аналогичный контракт с Apple должен быть продлён в этом году, и сумма текущей сделки намного выше — 20 миллиардов.

Таким образом, передовая позиция Bing в области ИИ может привести Google к большим финансовым потерям и разрушить псеводмонополию последней. Google отчаянно нуждается в собственном средстве ИИ для поисковика, однако сможет ли компания быстро достичь со своим Bard тех же результатов, что и Bing с ChatGPT, пока совершенно не ясно.

Компания в партнёрстве с производителями материнских плат проводила целый ряд тестов, подтверждая работоспособность и стабильность на платформах Intel 700 и 600.

Наборы T-Force Delta RGB DDR5 предназначаются для геймеров и будут доступны в объёме 48 ГБ (2×24 ГБ) на скорости 6000 МГц, 6400 МГц, 6800 МГц, 7200 МГц, 7600 МГц, 8000 МГц с XMP 3.0. Для творчества же предлагается предлагаются наборы T-Create объёмом 64 ГБ (2×32 ГБ). Это модули DDR5-6000 и DDR5-6400 с дальнейшим расширением линейки. Кроме того, серия будет включать 64 ГБ наборы DDR5-6800 и 96 ГБ наборы (2×48 ГБ) DDR5-6800.

Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.