Новости про DDR4

Teledyne e2v представила первую стойкую к радиации память DDR4 для космоса

Компания Teledyne e2v анонсировала первые чипы памяти DDR4 стойкие к радиации — DDR4T04G72M.

Сейчас эти пакеты подтверждены для скорости 2133 МТ/с, однако в ближайшем будущем будет гарантирована скорость в 2400 МТ/с. Эти пакеты предлагаются в ультракомпактном форм факторе, но при этом обеспечивают низкие задержки, высокую надёжность и стойкость к излучению, что делает их идеальным решением для создания космической техники.

Пакет имеет размеры 15х20х1,92 мм. Он содержит массивы памяти от Micron, собранные с шиной шириной 72 бита, где 64 бита предназначены для передачи данных, а 8 бит — для коррекции ошибок. Разработчики провели на модулях тесты однократного облучения, и установили, что память выдерживает тест замыкания при облучении более 60 МэВ×см2/мг.

Пакеты стойкой к излучению памяти Radiation Tolerant 4 GB DDR4

Благодаря улучшенному теплоотводу в пакете обеспечивается ускоренное отведение тепла, что повышает стабильность работы и надёжность. Полётные модели памяти будут предлагаться с расширенным температурным диапазоном от -55° C до 125° C. Также память соответствует стандартам NASA Level 1 (NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs) и ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C).

Таким образом, Teledyne e2V заявляет, что «высокая стойкость к радиации, малый размер и надёжная конструкция делает память Radiation Tolerant 4 GB DDR4 крайне привлекательным решением для ориентированных на космос систем».

Память G.Skill Trident Z Royal разогнана до 6666 МГц

Компания G.Skill сообщила, что её память DDR4 установила новый рекорд частоты.

Два дня назад были выпущены процессоры Intel Core 10-го поколения, известные по названию микроархитектуры Comet Lake-S.

Оперативная память G.Skill Trident Z Royal

При проведении разгона оверклокеры использовали центральный процессор Intel Core i9-10900K. При поддержке команды Asus ROG, на материнской плате Asus ROG Maximus XII APEX с чипсетом Z490 и модулях памяти Trident Z Royal DDR4 была установлена частота памяти, равная 3332,7 МГц (DDR4-6666).

Bing體驗一下RD日常,NDA解禁前就是只能沒日沒夜"操" 分享intel+M12A+G.SKILL記憶體世界紀錄 DDR4-6666過程

Примечательно, что рекорд был установлен на прошлой неделе, однако только сейчас был опубликован.

Team Group представляет память T-Force Reveal Xtreem ARGB

Бренд Team Group представил новые наборы оперативной памяти T-FORCE XTREEM ARGB, которые обладают не только отличными спецификациями, но дизайном.

В новых планках памяти разработчики впервые в промышленности реализовали полноэкранную технологию подсветки. Изучив особенности работы со светодиодами, они разработали специальную адресную подсветку, которая позволяет с лёгкостью настраивать цвета в любых комбинациях. Ещё одной особенностью дизайна стала зеркальная поверхность памяти, что заставляет подсветку сиять ещё ярче. Управление подсветкой можно осуществлять с помощью ПО, поставляемого всеми известными брендами материнских плат.

Модуль памяти T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM

Однако память T-FORCE XTREEM ARGB предназначена не только для эстетов. Она предлагает работу на частоте до 4800 МГц. Микросхемы памяти для планок проходят жёстки отбор качества. Чтобы развить такую частоту разработчики предлагают встроенные профили разгона, которые можно использовать как на процессорах Intel, так и AMD.

Набор модулей T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM с выключенной подсветкой
Набор модулей T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM с включенной подсветкой

К сожалению, ни таблицы таймингов, ни информации о цене и доступности новых модулей пока нет.

Samsung анонсирует первые в мире чипы LPDDR4X объёмом 24 Гб

Компания Samsung объявила, что смогла создать первый в мире мультичиповый пакет памяти LPDDR4X на основе формата UFS. Этот пакет имеет объём 12 ГБ и уже готов к началу поставок.

Модуль 12 GB uMCP LPDDR4X будет производиться по 1y-нанометровому процессу. В нём комбинируются 4 чипа LPDDR4X объёмом по 24 Гб каждый и NAND накопитель eUFS 3.0. Всё это заключено в едином пакете.

Компания отмечает, что использование данных пакетов позволит предложить 12 ГБ оперативной памяти не только для смартфонов хай-энд класса, но и для телефонов среднего уровня. Этот объём необходим, поскольку производители смартфонов применяют экраны всё большего разрешения, и компаниям просто необходимо увеличение доступной ОЗУ, чтобы обеспечить высокую производительность и многозадачность.

Пакет Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X

Новая технология предлагает полуторное увеличение ёмкости оперативной памяти, по сравнению с прошлым поколением, при сохранении скорости в 4266 Мб/с. Этого достаточно для видео в разрешении 4K и средств искусственного интеллекта.

Модули Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X уже находятся в массовом производстве. Их поставки заказчикам начнутся в ближайшее время.

Micron устанавливает рекорд разгона DDR4 в 6024 МГц

Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.

На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.

Модули памяти Crucial Elite

Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.

Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц

Результаты разгона подтверждены CPU-Z.

Samsung приступает к производству чипов памяти типа A-Die

То, что компания Samsung работала над созданием микросхем памяти типа A-die, не является секретом. В связи с этим обозреватели ожидают дальнейшего удешевления памяти.

Сейчас южнокорейский гигант планирует разместить новые чипы DDR4, изготовленные по 10 нм нормам, в потребительских модулях. В Сети даже появились номера моделей этих модулей, M378A4G43AB2-CVF. Именно они и получат микросхемы типа A-die.

Оперативная память Samsung A-Die

Микросхемы B-die от Samsung считаются лучшими. Их предпочитают все оверклокеры, однако в настоящее время они сняты с производства, и постепенно им на смену будут приходить модули с микросхемами A-dies, которые основаны на более тонком 10 нм процессе. Переход на более тонкие технологии позволяет уплотнить память, разместить большее количество микросхем на одной пластине, а потому снизить себестоимость.

Представленная пара модулей имеет объём 32 ГБ, с 8 чипами на модуль. Однако у этих приятный изменений есть и ложка дёгтя. Дело в том, что из-за незрелости технологии пришлось снизить частоты работы памяти. Данный набора работает на частоте 2933 МГц, что очень слабо. Но ещё хуже тайминги: CL21-21-21. Этой памяти явно нужны улучшения до CL17 или CL16.

Corsair выпускает первую в мире память DDR4-4866

Компания Corsair с радостью сообщает о выпуске новых модулей памяти семейства Vengeance LPX, которые обладают поразительной рабочей частотой в 4866 МГц при таймингах, характерных для памяти DDR4-3600.

Наборы памяти CMK16GX4M2Z4866C18 уже поступили в продажу по цене 860–950 долларов США. Учитывая столь высокие характеристики, модулям требуется и высокое напряжение в 1,50 В. Этот вольтаж придётся использовать владельцам процессоров Ryzen серии 3000. В списке совместимых материнских плат числится несколько моделей на базе чипсета X570. Также потребуется и вентилятор, для активного охлаждения планок памяти.

Модули памяти Corsair Vengeance LPX

В дополнение к Vengeance LPX компания также выпустила модули Vengeance RGB Pro со светодиодной подсветкой. Эта память, имея CAS19, работает на частоте 4700 МГц.

Модули памяти Vengeance RGB Pro
Серия памятиVengeance LPXVengeance RGB Pro
Тип памятиDDR4DDR4
Объём памятиНабор 16 ГБ(2 x 8 ГБ)Набор 16 ГБ(2 x 8 ГБ)
Протестированные задержки18-26-26-4619-26-26-46
Протестированное напряжение, В1,51,5
Протестированная скорость, МГц48664700
Вентилятор включёнДаНет

Представлена материнская плата с чипсетом X99, поддерживающая DDR3 и DDR4

Популярный китайский производитель материнских плат Huananzhi анонсировал новую материнскую плату Gaming X99-TF, которая поддерживает модули памяти DDR3 и DDR4.

Новая материнская плата выполнена в чёрно-белых цветах. Она отвечает формату ATX и изготовлена из 10 слоёв. Питание она получает от 8-контактного разъёма EPS и 24-контактного ATX. Подсистема питания в Gaming X99-TF имеет 6 фаз. На плате, кроме радиаторов, имеется пара крошечных вентиляторов, которые охлаждают самые горячие места, позволяя снизить их температуру на 20—30 °С.

Процессорный сокет LGA 2011-v3 окружён четырьмя слотами типа DDR3 и DDR4. Максимальная частота памяти для DDR3 составляет 1866 МГц, а для DDR4 — 2400 МГц. При этом одновременно можно использовать лишь один тип памяти. Память DDR3 доступна исключительно для процессоров Haswell Xeon, включая модели E5-2678 v3, E5-2696 v3, E5-2629 v2, E5-2649 v3, E5-2669 v3, E5-2672 v3 и E5-2673 v3.

Материнская плата Huananzhi Gaming X99-TF

Для подключения накопителей на плате Gaming X99-TF предусмотрены 8 портов SATA III и два M.2 2280 для установки SSD. Плата не имеет средств беспроводной связи, однако в третий слот M.2 можно установить WiFi-карту. Для установки карт расширения имеется два слота PCIe 3.0x16, один PCIe 3.0x4 и пара PCIe 3.0x1.

Задняя панель имеет пару портов PS/2, четыре USB 2.0 и четыре USB 3.0, порт Ethernet, пять аналоговых аудиовыходов и оптический выход S/PDIF. На плате есть два хэдера USB 2.0 и один USB 3.0, позволяя подключать периферию на передней или верхней панелях корпуса.

Плата Gaming X99-TF продаётся в Китае за 700 юаней, что примерно равно 100 долларам. Гарантия составляет три года.

Память DDR4 от G.Skill установила мировой рекорд разгона до 6 ГГц

Один из ведущих производителей памяти в мире, компания G.Skill, с радостью сообщила об установлении рекорда разгона оперативной памяти DDR4, впервые в мире преодолев барьер 6 ГГц.

Профессиональный оверклокер TopPC из Тайваня использовал память G.Skill DDR4 Trident Z Royal на материнской памяти MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC с процессором Intel Core i9-9900K. Он сумел достичь частоты ОЗУ, равной 6016,8 МГц.

Модули памяти G.SKILL DDR4 Trident Z Royal

Всего три месяца назад этот же оверклокер поставил рекорд памяти в 5886 ГГц. Валидация результатов обеспечена CPU-Z и HWBot.

Подтверждение разгона памяти до 6016 МГц

Корпоративный вице-президент G.Skill Текила Хан прокомментировал это событие: «Достижение DDR4-6000MHz было нашей целью довольно давно, и мы крайне восхищены возможностью достижения этой важной вехи вместе с MSI».

Micron начинает массовое производство 16 Гб чипов DRAM по технологии 1z нм

Компания Micron объявила о своих достижениях в масштабировании памяти DDR4, достигнув объёма 16 Гб при использовании техпроцесса 1z нм.

Это значит, что кристаллы изготавливаются с размерами элементов от 13 до 10 нанометров. В компании сообщают, что новая память предлагает «заметно большую плотность», а также «значительное увеличение производительности при меньших затратах», по сравнению с поколением 1Y нм. Новая память предназначена для создания продуктов для настольных компьютеров (DDR4), мобильных компьютеров (LPDDR4) и графических продуктов (GDDR6). Также новая память будет использована в системах искусственного интеллекта, беспилотных автомобилях, 5G, мобильных устройствах, графической, игровой и сетевой инфраструктуре и серверах.

UFS-модуль от Micron

В Micron заявили, что 16 Гб чипы DDR4, изготовленные по 1z нм нормам обеспечивают снижение энергопотребления на 40%, по сравнению с продуктами объёмом 8 Гб.

Также компания сообщила о начале массового производства самой ёмкой (LPDDR4X) DRAM в мультичиповых пакетах на основе UFS (uMCP4). Эти пакеты разработаны для производителей мобильных устройств и позволяют обеспечивать смартфоны оперативной памятью до 16 ГБ в одном пакете.