Новости по теме «Elpida начала массовое производство 2-Гбит 40-нм чипов DDR3»

Такого результата в Elpida смогли достичь благодаря внедрению технологии производства микросхем с размером элементов равных 25 нм. Напомним, что ранее, в мае этого года, японская компания объявила о разработке 25 нм микросхем памяти ёмкостью 2 Гб.

Новый чип Elpida потребляет на 25—30% меньше операционного тока, при этом сила тока в режиме ожидания также снижается на 30—50%, по сравнению с модулями памяти такого же объёма, но изготовленных по нормам 30 нм техпроцесса. Кроме превосходств, связанных с пониженной мощностью, изготовитель также заявил, что благодаря 25 нм техпроцессу новые 4 Гб чипы имеют на 45% большую производительность, чем 30 нм решения их же производства.

Новые 4 Гб микросхемы памяти могут работать на частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В или 1,5 В и предназначены для применения в модулях памяти для всех устройств, начиная от настольных ПК и серверов и заканчивая нетбуками.

Первые образцы памяти, изготовленной по усовершенствованному техпроцессу, а также коммерческое производство чипов, компания планирует начать уже в конце этого года.

Продукты, построенные на основе таких кристаллов, как отмечает производитель, отличаются от 50-нм решений возросшей на 60 % эффективностью. Также Hynix отмечает, что при аналогичной частоте новая память будет потреблять на 40 % меньше энергии, а также обладать более высоким разгонным потенциалом.

Также главный маркетолог компании, господин Д.Б. Ким, отметил, что благодаря переходу на новый техпроцесс, самыми массовыми чипами станут 2-гигабитные, которые заменят существующие 1-гигабитные кристаллы.

Компания надеется, что полную сертификацию чипы пройдут до конца года.

Как оказалось, новые CPU совместимы с памятью DDR3L напряжением 1,35 В и памятью DDR4 напряжением 1,2 В. Обычная же память DDR3 питается напряжением 1,65 В, и она может повредить процессор.

В результате память, работающая на этом напряжении, может работать в материнской плате без её непосредственного повреждения, но со временем, скорее всего, повредит CPU. Так что если у вас нет в наличии DDR3L, вам лучше не продолжать пользоваться имеющейся памятью, а перейти на более дорогую DDR4.

Кроме того стало известно, что контроллер памяти в Skylake не поддерживает частоты выше 4133 МГц. Наборы памяти работающие с частотой выше 4133 МГц скорее всего будут допускать больше ошибок, чем прочая DDR4, так что лучше ограничиться памятью ниже этой частоты. DDR4 на больших частотах будет успешно работать в будущем, когда Intel улучшит IMC для поддержки более быстрой ОЗУ, однако это вряд ли случится до выхода обновлённого Skylake или Cannonlake.

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

Инновационный форм-фактор от SMART предназначен для устройств видеовещания, мобильных роутеров, видеокарт хай-энд класса и встраиваемых вычислительных решений, где потребление энергии, производительность и занимаемое место являются ключевыми параметрами.

Несмотря на то, что модуль MIP от SMART в пять раз меньше обычного SO-DIMM, он имеет большую производительность при меньшем энергопотреблении. Ключевыми факторами, которых добились инженеры SMART, являются 42% сбережение энергии, 42% снижение помех и 39% снижение пиковых помех.

Модули MIP являются впаиваемыми, поэтому в отличие от SO-DIMM им не требуется дополнительный интерфейсный разъём. Память от SMART работает как с проверкой чётности, так и без таковой. Компания предлагает модули объёмом 2 и 4 ГБ при скорости работы DDR3-2133.

Компания-разработчик пообещала продемонстрировать работу MIP памяти 25 февраля на конференции Embedded World 2014 Exhibition & Conference, которая пройдёт в немецком Нюрнберге.

HyperX — это подразделение Kingston Technology Company, которое является самостоятельным и при этом лидирует в области продуктов оперативной памяти. И вот это подразделение представило новый набор оперативной памяти Predator, которая работает с частотой 2800 МГц. Эта память нацелена на вершину рынка игровых систем и специально предназначена для опытных оверклокеров, энтузиастов производительности и создателей машин с экстремальной скоростью работы.

Таким образом, память HyperX Predator, по утверждениям разработчиков, является самой быстрой в мире памятью. Кроме высокой скорости работы новые наборы имеют агрессивный дизайн, который не только придаёт плате солидный внешний вид, но и помогает улучшить теплоотвод в современных высокопроизводительных системах, оптимизируя надёжность работы памяти. Новая память поддерживает Intel XMP и была полностью протестирована и проверена на широком спектре материнских плат, представленных на рынке. Так что эти платы будет легко разогнать, используя готовые профили в BIOS материнской платы.

Оперативная память HyperX Predator частотой 2800 МГц представлена в наборах объёмом 8 и 16 ГБ, состоящем из 2-х или 4-х модулей DRAM. Цена пока неизвестна.

Конечно, все эти сведения лишь слухи, но они довольно интересны. Итак, первый слух сообщает, что WD хочет в своих гибридных винчестерах использовать RAM, вместо флэш-памяти. Скорее всего, это будет память DDR3 SDRAM, возможно LP-DDR3 с функцией записи данных с питанием от конденсаторной батареи.

Подобная конструкция гибрида несомненно резко увеличит скорость работы HDD, поскольку ОЗУ намного быстрее твердотельной памяти. Безусловно, скорость работы будет ограничена интерфейсом, который сейчас составляет для SATA 6 Гб/с теоретическим пределом 600 МБ/с, либо 1600 МБ/с в интерфейсе SATA 16 Гб/с, когда он всё же будет запущен.

Также скорость работы диска будет завесеть и от объёма используемой ОЗУ. Чем больше объём памяти — тем быстрее будет работать гибрид, но в то же время тем выше будет его цена и тем дольше будет осуществляться резервное копирование данных после отключения питания, а значит, потребуются батареи большей ёмкости.

Вторая идея, посетившая инженеров WD, это использование встроенного антивируса. Так, по слухам, будущие портативные жёсткие диски могут поставляться с интегрированным антивирусным ПО. Это может быть аппаратный сканер, использующий эвристический анализ, или программное решение, устанавливаемое при первом использовании диска.

Третье решение касается гарантии производителя на восстановление данных. Безусловно, что одной из важнейших проблем при выходе из строя накопителя является потеря данных, на нём содержащихся, и если для рядовых пользователей это не сильно большая проблема, то для бизнеса такая потеря может оказаться фатальной. Поэтому Western Digital может заключить договор с одной или несколькими компаниями, занимающимися восстановлением данных. В результате, купив гарантию на восстановление данных, потребители смогут рассчитывать на бесплатное восстановление информации с вышедших из строя винчестеров в течение гарантийного периода. Конечно, компании будут уверять, что шанс поломки винчестера крайне мал, так что для фирм, занимающихся восстановлением, это вряд ли станет хорошим бизнесом.

Что ж, можно подытожив и сказать, что Western Digital предлагает довольно интересные решения, но как всегда не стоит забывать о том, что это всего лишь слухи.

По информации DRAMeXchange контрактные цены на модули памяти DDR3 объёмом 4 ГБ в сентябре уже выросли на 14,3% до 32 доллара за планку. Это стало следствием пожара на заводе по производству памяти компании Hynix.

И хотя завод производит память для видеокарт GDDR5, а руководство уверяло в том, что производство при инциденте не пострадало, в октябре цены на оперативную память DDR3 вновь вырастут, ещё на 10%.

Если это предсказание верно, то может случиться, что к концу октября 4 ГБ модули памяти DDR3 будут стоить от 35 до 38 долларов США.

Сейчас, по существующим оценкам, повреждения на заводе Hynix повлияли на 50% всего производства ОЗУ. Таким образом, до конца этого года вполне стоит ожидать дальнейшего подорожания памяти.

Месяц назад на заводе Hynix в китайском Уси произошёл пожар. И хотя руководство компании утверждало о том, что особых проблем с отгрузкой не будет, и что производство практически не пострадало, сейчас цены на оперативную память оказались самыми высокими за последние два года. Такую информацию распространило агентство Bloomberg.

Аналитики ожидают, что цены на чипы памяти продолжат свой рост на протяжении всего четвёртого квартала, либо же до тех пор, пока производство не возрастёт до нормальных объёмов. Так, на прошлой неделе, цена на 2 гигабитный чип памяти DDR3 составила 2,27 доллара, по сравнению с 1,60 доллара 4 сентября, когда пожар на заводе Hynix привёл к остановке производства. Таковы данные DRAMeXchange, крупнейшего азиатского рынка комплектующих.

Компания Hynix является вторым крупнейшим мировым поставщиком чипов памяти. В списке её клиентов присутствуют такие гранды IT как Apple, Dell и Sony. Сейчас фирма значительно нарастила производство на заводе Южной Кореи, чтобы снизить влияние произошедшего пожара на рынок.

Среди прочих характеристик внимания заслуживают тайминги CL12-14-14-36 и напряжение питания в 1,65 В, при этом планки поставляются в наборах по две штуки для работы в двухканальной конфигурации, общим объёмом 8 ГБ.

Вообще же, анонсированная компанией линейка XPG V2, предназначена для оверклокеров, но об этом не трудно и догадаться. По заявлению компании, этот двухканальный продукт разработан специально для создания превосходной производительности с процессорами Intel Core четвёртого поколения и платформы Z87.

Память XPG 3100 V2 является плодом совместной работы с Asrock и применима ко всем материнским платам, в которых использован ориентированный на энтузиастов чипсет Z87.  Однако в случае придерживания строгим тестам совместимости и соответствия списку сертификации квалифицированных поставщиков, модули могут быть легко разогнаны с использованием XMP (EXtreme Memory Profile) до достижения максимальной для них частоты в 3100 МГц. Эта беспрецедентная скорость безусловно удовлетворит тех, кто всегда ищет предел в увеличении производительности своей системы.

Кроме того, по информации Adata, память, прекрасно подходящая для видеоигр, не только может работать с частотой 3100 МГц, но и достигать скоростей передачи данных в 24800 МБ/с, вновь выходя на вершину самых производительных решений в этом секторе.

Конечно, AMD не выпускает память самостоятельно, а просто продаёт готовые DIMM модули проверенных поставщиков под собственным брендом Radeon.

В настоящее время существует три модельных ряда оперативной памяти AMD Radeon: Radeon Value Series, Radeon Entertaiment Series и Radeon Performance Series, которые работают на частотах 1333, 1600 и 1866 МГц соответственно. Теперь же портфолио компании расширится ещё одним модельным рядом — Radeon Gaming Series с частотой 2133 МГц.

По уверениям компании, оперативная память этой серии позволяет на 22% увеличить частоту кадров в играх, по сравнению с памятью линейки Entertainment. Это утверждение основано на тестах, проведённых AMD на APU, так что в системах с дискретной графикой результат наверняка будет менее заметным. Также компания уверяет, что используя ПО RamDISK и новую линейку ОЗУ можно на 65% увеличить производительность в операциях чтения и записи.

Новые модули памяти получили номер модели RG2133 и будут поставляться в наборах из четырёх модулей по 4 ГБ. Тайминги памяти составят 10-11-11-30, а напряжение питания равно 1,65 В. Наборы поступят в продажу уже в мае по цене в 155 долларов США.

И сейчас фирма занята тем, чтобы можно было использовать в основной памяти системы оба типа DRAM — традиционную DDR и намного более быструю GDDR.

Джон Густафсон (John Gustafson), главный архитектор графических продуктов AMD заявил, что фирма ищет возможности увеличить полосу пропускания между CPU и системной памятью, но их останавливает цена.

Он сообщил: «Все ищут способы использования сверхбыстрой памяти в комбинации с более медленной дешёвой памятью, просто как вы это делаете со всеми уровнями памяти. Это новый уровень памяти. Давным-давно в ПК вы всегда хотели иметь статическую ОЗУ сразу за процессором и DRAM где-то дальше, и теперь мы снова возвращаемся к этой ситуации».

Главный конструктор подытожил, что подобная система памяти непременно найдёт место в будущем, но только после того, как быстрая память станет дешевле и будет приемлемой для массового применения.

Напомним, что компания NVIDIA также объявила о функциях совместного использования памяти DDR и GDDR5 в будущих графических процессорах.

Новый комплект памяти добавляет модули памяти общим объёмом в 32 ГБ в самый быстрый модельный ряд — G.SKILL Trident X. Так, набор Trident X 32GB — F3-2800C11Q-32GTXD состоит из 4-х планок по 8 ГБ каждая, что, учитывая конфигурацию, рекомендуется для установки в материнские платы с чипсетом Z77 и процессором Ivy Bridge. Главным же преимуществом данного комплекта памяти разработчики считают способность этих модулей работать на частоте 2800 МГц CL11, что по заявлению G.Skill не имеет аналогов на сегодняшнем рынке.

К сожалению, цена на самый быстрый в мире комплект памяти пока не называется.

Но теперь, по мнению аналитиков DigiTimes, цена на DDR3 пойдёт вверх. В попытках создать дефицит производители ОЗУ давно снижают объёмы производства DDR3, переводя мощности на выпуск памяти для серверных систем и растущего мобильного рынка. В начале января 4 ГБ модули DDR3 на контрактном рынке продаются по цене от 17 до 17,5 долларов за штуку.

Однако комбинация различных факторов, включая снижение объемов производства памяти для PC и переход на производство мобильных чипов, к концу января позволила повысить цены на оперативную память на 10%. При этом тенденция роста сохранится и на февраль благодаря усилиям поставщиков, отмечает источник.

Эксперты отмечают, что данный рост цен наконец-то позволит производителям чипов «перекрасить» свои бухгалтерские отчёты из красного в чёрный, поскольку новая цена должна обеспечить прибыльность производства DDR3 в 2013 году.

В мая месяце Micron получили эксклюзивное право на участие в торгах после того, как они пообещали не отказываться от японской рабочей силы. Теперь же сообщается, что сделка завершена и Micron заплатит 200 млрд. иен — порядка 2,5 млрд. долларов. При этом около 140 млрд. сразу уйдут на погашение долгов фирмы, что означает, что 67% из 420 млрд. всех кредитов Elpida не будут погашены. Остальная сумма транша пойдёт на выплату долгов подрядчикам и контрактным партнёрам компании.

После того, как Micron получит контроль над Elpida, первая компания займёт второе место в мире по объёмам производства DRAM. Кроме того, Micron заявляет о планах по вложению дополнительных 100 млрд. иен в старые производства японской компании. Это позволит увеличить производство памяти для мобильных устройств, таких как LPDDR, LPDDR2 и недавно анонсированной LPDDR3.

До тех пор, пока не будет опубликован пресс-релиз, сделка не будет считаться официальной.

Компания имеет планы по повышению контрактной цены на модули DDR3 объёмом 4 ГБ к концу нынешнего года до 25—27 долларов США. При этом ряд рыночных обозревателей не считают мировую экономическую ситуацию подходящей для такого шага.

В настоящее время, со второй половины января, наблюдается умеренный рост цены на DRAM модули, однако он начал заметно замедляться к концу мая. Сейчас модуль памяти DDR3 объёмом 4 ГБ стоит на оптовом рынке 21,5 доллара.

Поставщики чипов по-прежнему ведут переговоры со своими OEM клиентами по поводу январских квот, что должно сохранить цены или позволит им вырасти крайне незначительно. Спрос на конечном рынке продолжает слегка обескураживать OEM поставщиков ПК своим уверенным повышением.

Несмотря на это, производители ПК придерживаются традиционных оценок спроса на ПК в третьем квартале. Некоторые из них, например Hewlett-Packard, даже уменьшили заказы на чипы памяти.

Промышленные источники полагают, что цены на оперативную память во втором полугодии будут, наиболее вероятно, расти постепенно, без всплесков стоимости.

Весной этого года Intel выпускает очередное поколение процессоров Core i-. И мы можем сосчитать, что от начала применения памяти этого типа с процессорами Core 2 Quad до Ivy Bridge прошло 6 поколений CPU. Причём тенденция продолжится ещё минимум два года. Это куда дольше, чем те четыре года, которые просуществовали DDR1 и DDR2.

В любом случае, наследник уже виден на горизонте. Стандарт DDR4 был утверждён и ожидается, что первые образцы памяти этого типа появятся уже через два года. Так что он нам даст?

Введение четвёртого поколения DDR в первую очередь обеспечит значительный рост скорости. Базовый уровень предложит DDR4-2667 и DDR4-3200, а в будущем, в течение полугода после выпуска, появятся DDR4-4000 и 4266. Для снижения задержек первые чипы DDR4 будут иметь целых 16 банков на каждой пластине, таким образом, большее число одновременно открытых страниц должно привести к снижению задержек.

Во вторую очередь новая память обеспечит лучшее энергосбережение. Стандартным напряжением станет 1,2 В, при этом опционально будут предложены модули напряжением 1,05 В. В свою очередь снижение мощности приведёт к меньшему нагреву модулей.

В-третьих, изменится конструкция модулей памяти и материнских плат. Память DDR4 будет сходна с памятью Rambus в интерфейсе «точка-точка» с меньшей нагрузкой на каждый канал, что ускорит передачу данных и уменьшит задержки. Ожидается, что все первые модули памяти будут иметь двузначные CL задержки. Как думаете, вам понравится CL15 на DDR4-3200?

И напоследок стоит отметить, что будет улучшена коррекция ошибок, т. к. DDR4 имеет лучшие способы контроля чётности и ECC ошибок, по сравнению с памятью прошлых типов, что положительно скажется на стабильности работы серверов.

Что ж, ждать осталось не так и долго. Судя по приведенной диаграмме, в производительных системах эта память будет широко использоваться уже в 2015 году, однако ряд производителей памяти, в частности Samsung, толкают Intel к скорейшему введению нового стандарта, поскольку только в этом производители видят для себя выход из кризиса.

В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.

Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.

На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.

Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.

Для этого он использовал набор памяти G.SKILL RipjawsZ. Применив 4 ГБ модуль памяти, Нэй достиг частоты DDR3 в 3736 МГц.

О своём эксперименте Нэй заявил: «Настраивать память SKILL было очень весело. Вы можете почувствовать неограниченный потенциал, и всё время хотите гнать выше и выше».

Для проведения разгона швед использовал материнскую плату GA-A75-UD4H от Gigabyte с зарекомендовавшим себя в разгоне процессором AMD. В данном случае был установлен APU A8-3870, работавший с частотой 1600 МГц.

Новый рекорд максимальной частоты работы памяти был подтверждён HWBOT, широко известной среди оверклокеров организацией.

Новые наборы ОЗУ предназначены для работы в четырёхканальном контроллере и должны работать с новыми процессорами, которые устанавливаются в сокет LGA 2011, наряду с оригинальными 32 ГБ модулями анонсированных компанией месяц назад.

Комплекты Dominator и Vengeance будут использовать технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP) версии 1.3, которая позволяет легко подстраивать производительность модулей. В наборах Dominator используются обычные радиаторы DHX+, в то время как в модулях Vengeance алюминиевый тепловой спредер.

Модули Dominator доступны в частотных вариантах от 1600 МГц до 2400 МГц, с ёмкостью от 8 ГБ (4 модуля по 2 ГБ) до 32 ГБ (4 модуля по 8 ГБ). Vengeance доступны в частотах от 1600 МГц до 1866 МГц и тех же объёмах.

Dominator

Vengeance

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Компания начала производство модулей памяти с самым большим объёмом в 8 ГБ под названием Vengeance и Value. Модель Vengeance заявлена как DDR3-1600 при задержках 10-10-10-27. Вторая модель должна работать на частоте 1333 МГц при формуле задержек 9-9-9-27. Для обеих моделей номинальное напряжение питания равно 1,5 В.

Представленные планки памяти не будут стоить дешево. Заявленная цена на старшую модель составляет 270 долларов США, что означает, что 32 ГБ комплект для двухканальных платформ обойдется в 1 080 долларов. В то же время 64 ГБ комплект для X79 и процессора Jaketown обойдется в 2 160 долларов.

Наши коллеги с сайта BSoN имели возможность пообщаться с представителями Corsair, которые сообщили, что их модули памяти большого объёма, в своём следующем поколении, будут иметь меньшую стоимость, однако компания, безусловно, выйдет на рынок ёмкой памяти до того, как более дешевая память станет доступной. И в этом есть смысл, ведь модули Vengeance 8 ГБ имеют самый большой, на сегодняшний день объём.

Факт в том, что теперь у каждого появилась возможность оснастить свой компьютер 32 ГБ оперативной памяти, и такое технологическое достижение должно вызвать большой ажиотаж у энтузиастов, стремящихся получить максимальную производительность своей системы.

Некоторые из компаний-производителей памяти даже были вынуждены изменить свои рыночные планы на оставшийся период 2011 года.

По информации Digitimes, котировка мейнстрим модулей памяти DDR3 ёмкостью 2 Гб упала ниже 1 доллара, но ещё хуже то, что существующая тенденция по снижению уровня продаж вряд ли изменится в обозримом будущем.

Одной из возможных причин снижения спроса на микросхемы памяти является слабые продажи ПК и ноутбуков. В то же время планшетные компьютеры и сервера не обеспечивают объём продаж достаточный для преодоления кризиса.

Некоторое время назад Samsung начали активное продвижение памяти изготавливаемой по технологии 20 нм класса, что позволило снизить стоимость производства и смягчить предстоящий удар по промышленности DRAM.

Похоже, что в результате нынешнего кризиса перепроизводства многим, не очень богатым компаниям, придётся покинуть рынок, как это сделали Siliconware Precision Industries (SPIL). Другие же заводы, вроде ChipMOS Technologies, будут вынуждены уменьшать свои операционные расходы, стараясь просто выжить.

Со ссылкой на PCWatch, сайт Bright Side of News сообщает, что планки памяти уже продаются в Японии. В настоящее время для приобретения доступны модули памяти объёмом 2 ГБ. Компания представила три модели модулей памяти отличающихся рабочей частотой и таймингами. Так, серия Entertainment содержит чипы DDR3-1333 с таймингами 9-9-9, более быстрая «ULTRAPRO Gaming» имеет память DDR3-1600 и тайминги 11-11-11. Характеристики третьей модели модулей Radeon под названием Enterprise, пока еще не объявлены.

Большая часть модулей памяти имеет традиционный зелёный цвет, однако на сайте AMD представлены и модули голубого цвета, хотя оба этих цвета нельзя назвать характерными для торговой марки Radeon.

Безусловно, компания AMD не производит эту память самостоятельно, однако фирма-изготовитель модулей на сегодняшний день остаётся неизвестной.

Прочие фирмы-производители оперативной памяти также последовали примеру Kingston Technology, заявив цену на 2 ГБ модули на уровне 10 долларов, сообщают источники близкие к производству.

Ожидается, что поставки памяти вырастут благодаря более привлекательным квотам. Однако источники также отмечают, что ввиду довольно мягкого розничного рынка, планируемый конечный объём продаж всё ещё слишком оптимистичен.

По данным, собранным DRAMeXchange, контрактные цены на память упали более чем на 15% в июле этого года, и при этом маловероятно, что данное снижение цены прекратится в августе.

Согласно отчётам DRAMeXchange, средняя контрактная цена на модули DDR3 памяти объёмом 2 ГБ уменьшилась на 9,4% до US$14,50 во второй половине июля, в то же время 4 ГБ модули упали в цене еще сильнее ─ на 9,7% до US$28. Цены на 1 Гб и 2 Гб чипы составили соответственно 0,75 и 1,59 доллара США.