Новости по теме «Цены на DDR3 самые высокие за 2 года»

И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.

Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».

Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.

Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.

Сообщается, что на китайском заводе Hynix в Уси произошёл пожар, который стал следствием мощного взрыва химикатов. Уже сейчас цены на память подскочили на 10%.

По информации Kitguru, пострадавший завод выпускал память GDDR5, которая предназначалась для видеокарт NVIDIA, а значит произошедшая катастрофа заметно повлияет на мировые цены на память, а также на продукты, выпускаемые под брендом NVIDIA и наверняка опустошит складские запасы производителей видеокарт.

На территории, где бушевал пожар, Hynix изготавливала 30% от мирового объёма памяти, и теперь она потеряет половину своего производства, а значит, мировое производство чипов памяти снизится на 15%.

Сейчас компания занята выяснением есть ли пострадавшие, а также проводит расследование причин возникновения пожара. Об этом заявил в телефонном интервью Сон Хее Ёоун, представитель Icheon, южнокорейского филиала Hynix. Огонь, вспыхнувший в 15:50 по местному времени в ходе монтажа оборудования был погашен к 17:20, сообщает источник.

Но теперь, по мнению аналитиков DigiTimes, цена на DDR3 пойдёт вверх. В попытках создать дефицит производители ОЗУ давно снижают объёмы производства DDR3, переводя мощности на выпуск памяти для серверных систем и растущего мобильного рынка. В начале января 4 ГБ модули DDR3 на контрактном рынке продаются по цене от 17 до 17,5 долларов за штуку.

Однако комбинация различных факторов, включая снижение объемов производства памяти для PC и переход на производство мобильных чипов, к концу января позволила повысить цены на оперативную память на 10%. При этом тенденция роста сохранится и на февраль благодаря усилиям поставщиков, отмечает источник.

Эксперты отмечают, что данный рост цен наконец-то позволит производителям чипов «перекрасить» свои бухгалтерские отчёты из красного в чёрный, поскольку новая цена должна обеспечить прибыльность производства DDR3 в 2013 году.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.

Некоторые из компаний-производителей памяти даже были вынуждены изменить свои рыночные планы на оставшийся период 2011 года.

По информации Digitimes, котировка мейнстрим модулей памяти DDR3 ёмкостью 2 Гб упала ниже 1 доллара, но ещё хуже то, что существующая тенденция по снижению уровня продаж вряд ли изменится в обозримом будущем.

Одной из возможных причин снижения спроса на микросхемы памяти является слабые продажи ПК и ноутбуков. В то же время планшетные компьютеры и сервера не обеспечивают объём продаж достаточный для преодоления кризиса.

Некоторое время назад Samsung начали активное продвижение памяти изготавливаемой по технологии 20 нм класса, что позволило снизить стоимость производства и смягчить предстоящий удар по промышленности DRAM.

Похоже, что в результате нынешнего кризиса перепроизводства многим, не очень богатым компаниям, придётся покинуть рынок, как это сделали Siliconware Precision Industries (SPIL). Другие же заводы, вроде ChipMOS Technologies, будут вынуждены уменьшать свои операционные расходы, стараясь просто выжить.

Эти изменения коснуться в первую очередь Apple, поскольку память Micron ставится на их машины.

Компания Micron производит как микросхемы NAND для хранения данных, так и чипы оперативной памяти DRAM, которые применяются во всех отраслях вычислительной техники. Фирма является одним из крупнейших мировых производителей, и она уверяет, что заметно сократит объёмы производства микросхем обоих типов.

Исполнительный директор компании Санджай Мехрота заявил, что некоторые заказчики на рынке PC скорректировали свои заказы на оперативную память и накопители из-за дефицита других комплектующих, не связанных с памятью. «Мы считаем, что эти корректировки наших PC-клиентов будут по большей части разрешены в ближайшие месяцы», — заявил директор.

Сейчас компания ожидает, что в текущем квартале её прибыль составит 7,65 миллиарда, в то время как аналитики прогнозировали 8,57 миллиардов долларов.

Сама суть производства микросхем — это тонкий баланс между поставками материалов, почти беспрерывным производством, очисткой, проверкой и тестированием. Производство микросхем может занимать месяцы между началом и выходом годного изделия. Это значит, что любые сбои крайне негативно скажутся на выпускаемой продукции.

По информации DigiTimes на одном из заводов Micron в Тайване произошло отключение электропитания длительностью в 1 час. Это может привести к потерям 10% мировых поставок DRAM, поскольку отключение коснулось всех этапов производства.

Учитывая повышенный интерес к памяти, вызванный пандемией COVID-19, и ростом спроса на продукты, где используется DRAM, игроки рынка теперь ожидают всплеск цен на память, вызванный сбоем на заводе Micron.

Сейчас на рынке памяти наблюдается перепроизводство, как и насколько 10% спад поставок повлияет на цену мы узнаем уже через пару месяцев.

В текущем году рынок NAND споткнулся с перепроизводством. Производители приняли решение замедлять темпы расширения складских запасов и даже снижать объёмы производства, чтобы лучше управлять запасами.

Так, Micron Technology раскрыла планы по 10% сокращению производства NAND-памяти, в то время как SK Hynix прогнозирует снижение количество произведенных пластин с микросхемами на более чем 10%, по сравнению с 2018 годом.

Южнокорейская Samsung Electronics также скорректирует своё производство в краткосрочной перспективе в ответ на разворачивающуюся торговую войну между Японией и Южной Кореей.

Отмечается, что многие производители NAND уже подготовили образцы стековой памяти, состоящей из 120 или 128 слоёв. Гонка технологий по промышленному выпуску 128-слойной памяти между крупными производителями памяти начнётся уже ближайшей зимой.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Южнокорейская компания сократит производство ОЗУ на 30%. В связи с этим снижением выпуска аналитики ожидают рост цены, который произойдёт уже в августе или сентябре.

Новые смартфоны iPhone будут включать 2 ГБ памяти LPDDR4 вместо 1 ГБ в прошлых моделях, что означает резкое увеличение количество приобретаемой памяти, по сравнению с прошлыми годами. Чтобы гарантировать себе достаточное количество микросхем памяти, Apple решила приобретать её не только у Samsung, но и у SK Hynix и Micron.

Сейчас наиболее совершенные технологии, доступные SK Hynix, включают размеры элементов 25 и 29 нанометров. Более тонкий производственный процесс позволит производителям выпускать на 30% больше чипов ОЗУ на пластинах того же диаметра в 300 мм, которые использовались ранее. В результате себестоимость каждой такой микросхемы будет ниже, что означает большую прибыль для компании.

Некоторые эксперты считают, что 20 нм техпроцесс крайне важен для производителей памяти, поскольку позволит выйти на плотности равные 8 Гб на чип, такие же, как существуют в памяти DDR4.

По информации крупнейшего в мире трекера памяти, DRAMeXchange, SK Hynix за второе полугодие 2014 значительно продвинулась в качестве производства по 25 нм технологии, что позволило фирме существенно увеличить прибыль. Ранее сообщалось, что Samsung Electronics, мировой лидер в области памяти, в этом году будет использовать 20 нм технологию для более чем половины всей производимой памяти. Эта компания приступила к массовому производству в конце прошлого года.

Третий крупнейший игрок рынка, Micron Technology, начал опытное 20 нм производство микросхем в четвёртом квартале 2014 года. Компания планирует увеличить массовое производство по 20 нм технологии также в этом году, однако объёмы будет относительно малыми.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Производитель процессоров делает ставку на APU, ведь использование подобной памяти положительно скажется на скорости работы их чипов, поскольку позволит использовать одинаковые пакеты для GPU и CPU. Как бы то ни было, но APU требуют высокой пропускной способности, так что даже ускоренные процессоры начального уровня получат выигрыш при использовании памяти с высокой скоростью работы, и не стоит забывать о GDDR5, которая по слухам будет распределённо использоваться в Kaveri.

Память, собранная в 3D блоки, может быть использована как память с высокой пропускной способностью, ещё большей, чем у GDDR5. Она может использоваться как системная и как видеопамять, хотя изначально такие модули разрабатывались как память для графических приложений. Новая память, построенная с использованием новых технологий Wide I/O и TSV, должна поддерживать пропускную способность на уровне от 128 ГБ до 256 ГБ, и в свет она должна выйти уже в 2015 году. В настоящее время основным применением для памяти с высокой пропускной способностью считается GPU, так что и AMD, и NVIDIA планируют начать её использование со своими продуктами, изготовленными по 20 нм техпроцессу, однако, возможно, не с первым их поколением.

В настоящее время остаётся неизвестным, каким образом AMD планирует использовать эту технологию для APU. Ведь применение памяти нового типа в потребительских продуктах потребует переделки архитектуры и отказа от обратной совместимости, что значительно замедлит популяризацию новой технологии.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

По информации DRAMeXchange контрактные цены на модули памяти DDR3 объёмом 4 ГБ в сентябре уже выросли на 14,3% до 32 доллара за планку. Это стало следствием пожара на заводе по производству памяти компании Hynix.

И хотя завод производит память для видеокарт GDDR5, а руководство уверяло в том, что производство при инциденте не пострадало, в октябре цены на оперативную память DDR3 вновь вырастут, ещё на 10%.

Если это предсказание верно, то может случиться, что к концу октября 4 ГБ модули памяти DDR3 будут стоить от 35 до 38 долларов США.

Сейчас, по существующим оценкам, повреждения на заводе Hynix повлияли на 50% всего производства ОЗУ. Таким образом, до конца этого года вполне стоит ожидать дальнейшего подорожания памяти.

При этом некоторые сборщики, дела у которых идут совсем плохо, уже имеют на своих складах практически полугодовой запас планок оперативной памяти, отмечает источник. Спрос на рынке ПК сейчас весьма слабый, что нехарактерно для третьего квартала, ведь сейчас как раз идёт подготовка к учебному году.

Выход  Windows 8 в конце октября, безусловно, несколько улучшит ситуацию, так что OEM сборщики получат возможность использовать свои запасы, разгрузив склады.

Обычно, OEM сборщики ПК перед третьим кварталом пиковых продаж всегда пополняют свои запасы. Свою роль в росте запасов сыграло и банкротство Elpida. Многие OEM сборщики просто побоялись, что компания прекратит производство из-за нехватки средств и не сможет выполнить свои контрактные обязательства по поставкам.

Вместе с ростом запасов, цена на DRAM память в третьем квартале продолжит снижаться, отмечает источник. Лишь в августе контрактная цена на DRAM память упадёт на 10%. На фоне этого некоторые производители памяти продолжили снижение объёмов производства, стараясь искусственно создать дефицит. Сообщается, что Elpida и Rexchip Electronics уменьшили своё производство на 25—30%. Другие гиганты рынка, такие как Samsung Electronics и SK Hynix не снижали производство, а просто перенаправили продукцию не на рынок персональных компьютеров.

Компания имеет планы по повышению контрактной цены на модули DDR3 объёмом 4 ГБ к концу нынешнего года до 25—27 долларов США. При этом ряд рыночных обозревателей не считают мировую экономическую ситуацию подходящей для такого шага.

В настоящее время, со второй половины января, наблюдается умеренный рост цены на DRAM модули, однако он начал заметно замедляться к концу мая. Сейчас модуль памяти DDR3 объёмом 4 ГБ стоит на оптовом рынке 21,5 доллара.

Поставщики чипов по-прежнему ведут переговоры со своими OEM клиентами по поводу январских квот, что должно сохранить цены или позволит им вырасти крайне незначительно. Спрос на конечном рынке продолжает слегка обескураживать OEM поставщиков ПК своим уверенным повышением.

Несмотря на это, производители ПК придерживаются традиционных оценок спроса на ПК в третьем квартале. Некоторые из них, например Hewlett-Packard, даже уменьшили заказы на чипы памяти.

Промышленные источники полагают, что цены на оперативную память во втором полугодии будут, наиболее вероятно, расти постепенно, без всплесков стоимости.

Новые наборы ОЗУ предназначены для работы в четырёхканальном контроллере и должны работать с новыми процессорами, которые устанавливаются в сокет LGA 2011, наряду с оригинальными 32 ГБ модулями анонсированных компанией месяц назад.

Комплекты Dominator и Vengeance будут использовать технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP) версии 1.3, которая позволяет легко подстраивать производительность модулей. В наборах Dominator используются обычные радиаторы DHX+, в то время как в модулях Vengeance алюминиевый тепловой спредер.

Модули Dominator доступны в частотных вариантах от 1600 МГц до 2400 МГц, с ёмкостью от 8 ГБ (4 модуля по 2 ГБ) до 32 ГБ (4 модуля по 8 ГБ). Vengeance доступны в частотах от 1600 МГц до 1866 МГц и тех же объёмах.

Dominator

Vengeance

Такого результата в Elpida смогли достичь благодаря внедрению технологии производства микросхем с размером элементов равных 25 нм. Напомним, что ранее, в мае этого года, японская компания объявила о разработке 25 нм микросхем памяти ёмкостью 2 Гб.

Новый чип Elpida потребляет на 25—30% меньше операционного тока, при этом сила тока в режиме ожидания также снижается на 30—50%, по сравнению с модулями памяти такого же объёма, но изготовленных по нормам 30 нм техпроцесса. Кроме превосходств, связанных с пониженной мощностью, изготовитель также заявил, что благодаря 25 нм техпроцессу новые 4 Гб чипы имеют на 45% большую производительность, чем 30 нм решения их же производства.

Новые 4 Гб микросхемы памяти могут работать на частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В или 1,5 В и предназначены для применения в модулях памяти для всех устройств, начиная от настольных ПК и серверов и заканчивая нетбуками.

Первые образцы памяти, изготовленной по усовершенствованному техпроцессу, а также коммерческое производство чипов, компания планирует начать уже в конце этого года.

Прочие фирмы-производители оперативной памяти также последовали примеру Kingston Technology, заявив цену на 2 ГБ модули на уровне 10 долларов, сообщают источники близкие к производству.

Ожидается, что поставки памяти вырастут благодаря более привлекательным квотам. Однако источники также отмечают, что ввиду довольно мягкого розничного рынка, планируемый конечный объём продаж всё ещё слишком оптимистичен.

По данным, собранным DRAMeXchange, контрактные цены на память упали более чем на 15% в июле этого года, и при этом маловероятно, что данное снижение цены прекратится в августе.

Согласно отчётам DRAMeXchange, средняя контрактная цена на модули DDR3 памяти объёмом 2 ГБ уменьшилась на 9,4% до US$14,50 во второй половине июля, в то же время 4 ГБ модули упали в цене еще сильнее ─ на 9,7% до US$28. Цены на 1 Гб и 2 Гб чипы составили соответственно 0,75 и 1,59 доллара США.

Продукты, построенные на основе таких кристаллов, как отмечает производитель, отличаются от 50-нм решений возросшей на 60 % эффективностью. Также Hynix отмечает, что при аналогичной частоте новая память будет потреблять на 40 % меньше энергии, а также обладать более высоким разгонным потенциалом.

Также главный маркетолог компании, господин Д.Б. Ким, отметил, что благодаря переходу на новый техпроцесс, самыми массовыми чипами станут 2-гигабитные, которые заменят существующие 1-гигабитные кристаллы.

Компания надеется, что полную сертификацию чипы пройдут до конца года.

Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.

Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.

Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.

По информации TrendForce мировые цены на DRAM в I квартале упали на 20%, а во II квартале это падение продолжится и составит 10—15%. Это также привело к снижению цен на VRAM.

Причиной падение стало снижение спроса, которое вынудило крупнейших производителей DRAM, таких как Samsung, Micron и SK Hynix даже сократить объёмы производства. Причём это падение даже ниже того, что было вызвано пандемией.

Кроме того, производители электроники обладают неплохими собственными запасами чипов, а значит, они не станут покупать новые партии микросхем во II квартале. Потребительский же спрос не ожидается высоким, потому цена продолжит снижаться.

Конечно же, это хорошая новость для потребителей. За последний год стоимость модулей DDR4 снизилась на треть. Но если апгрейд вам не к спеху, то лучше ещё пару месяцев подождать.

При этом такие уменьшения размеров элементов не дают такого же эффекта, как для большинства полевых транзисторов, используемых для системной логики. Тем не менее, SK Hynix начала отправку партнёрам пятогого поколения своей памяти DRAM, с техпроцессом 1β. Целью этой отправки стала проверка работы новой памяти с системами крупнейших производителей. Что такое 1β? Это процесс, в котором размер элементов составляет 12 нм.

По информации корейской Chosun Media, в процессе верификации будет принимать участие Intel, которая уже завершила этот процесс для четвёртого поколения памяти 1α от той же SK Hynix. Процесс проходил на процессорах Xeon Scalable, а поскольку память 1β также предназначена для применения в серверах, стоит ожидать, что те же процессоры будут применены и для верификации новой памяти.

Память 1β DRAM покажет на 40% большую эффективность, однако касается это энергетической эффективности или какой-то ещё, не ясно.

Примечательно, что SK Hynix — это не единственная компания, которая выпускает память по технологии 1β. В декабре прошлого года Samsung также анонсировала технологию 1β для памяти DRAM, используя для производства процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии.