Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. подготовила новую дорожную карту, согласно которой массовое производство чипов по 20 нм технологии начнётся в следующем году. Как и ожидалось, в этом процессе компания предложит заказчикам лишь одну версию, в отличие от четырёх, существующих сейчас.
В ходе телефонной конференции по финансовым вопросам, исполнительный директор NVIDIA Дзень-Сунь Хуан отметил, что его фирма имеет тесные связи с TSMC на многие будущие поколения технологии производства. Сейчас сотрудничество происходит по 20 нм технологии и перейдёт на 16 нм.
Он добавил, что NVIDIA всегда ищет для себя новых производителей, поскольку конкуренция заставляет всех прогрессировать, при этом он отметил, что TSMC является главным партнёром и нет признаков того, что ситуация в ближайшее время изменится.
«Мы постоянно оцениваем изготовителей, но мы много заказываем у TSMC, основную массу наших пластин мы покупаем у TSMC. Мы находимся на 20 нм, и мы ожидаем перехода на 16 нм. Мы глубоко повязаны с TSMC на многие, многие технологии производства вперёд, включая 10 нм», — заявил Хуан.
«У нас есть очень много путей для обеспечения энергетической эффективности и производительности. Я бы не стал зацикливаться непосредственно на технологии производства. Но мы всегда ищем новых поставщиков, а конкуренция заставляет всех прогрессировать. Однако для всех целей и направлении TSMC является нашим основным партнёром».
Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) проиграет конкурентам в сегменте 14/16 нм производства в 2015 году, однако ожидает вернуть свои позиции в 2016—2017 годах. Об это заявил глава TSMC Моррис Чан.
В третьем квартале 2015 года 16 нм производство будет занимать незначительную долю от общей прибыли. Чан не сообщил, какая именно компания обойдёт TSMC по производству в 2015 году, но промышленные источники говорят, что Samsung Electronics станет лидером в 14/16 нм сегменте, после того, как смогла заполучить у Qualcomm заказ на производство микросхем по 14 нм процессу.
Тем не менее Чан заявляет, что 16/20 нм процесс приведёт к росту прибыли его компании в следующие три года. При этом 20 нм процесс сможет обеспечить 10% общей прибыли уже в третьем квартале 2014 года с дальнейшим ростом до 20% в третьем квартале. В 2015 году ожидается дальнейший рост прибыли от 20 нм производства.
16-нанометровый процесс производства от TSMC будет конкурентоспособным при производстве систем радиосвязи, потребительских микросхем, GPU, сетевых решений, программируемых вентильных матриц и серверных чипов.
Тем не менее, компания TSMC ожидает продолжение роста квартальной прибыли на 12,6—14,2% до 6,86—6,96 миллиардов долларов США за третью четверть этого года.
В третьем квартале валовая прибыль составит 48,5—50,5%, в то время как операционная прибыль достигнет 38,5—40,5%, отметил руководитель компании.
Сайт DigiTimes сообщает, что в третьем и четвёртом кварталах этого года Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) будет работать с полной загрузкой.
При этом 10% прибыли будет приносить новое 20 нм производство в третьем, и 20% в четвёртом кварталах. Такую информацию распространил глава компании Моррис Чан.
Что касается перспектив самой компании, то Чан отметил, что он ожидает в течение ближайших пяти лет ежегодный рост на уровне 3—5%, при этом показатели TSMC будут лучше, чем в среднем по промышленности, заверил директор акционеров.
В прошлом году производство пластин компанией в 8-и дюймовом эквиваленте составило 15,67 миллиона штук, что больше 14,04 миллиона штук, произведённых в 2012 году. В настоящее время половину прибыли компании приносит производство чипов с размером элементов в 40 и 45 нм. При этом уже сейчас компания обладает контрактами на производство 16 нм FinFET чипов 20 заказчикам.
В то же время компания планирует организовать специальное исследовательское подразделение, состоящее из 300—400 человек, которое займётся разработкой 10 нм технологии. Опытное же производство таких микросхем запланировано на 2015 год, а выход на рынок технологии состоится в 2016 году.
Всё это не может не радовать нас, простых покупателей. Во-первых, AMD и NVIDIA наконец-то смогут выпустить свои GPU по новой технологии, а во-вторых, конкуренция с Intel, как с лидером рынка, продолжится на достаточно высоком уровне.
Контрактный производитель процессоров, компания TSMC, приступила к опытному производству микросхем с использованием 16 нм FinFET процесса. Такую информацию сообщил сам производитель микросхем.
Недавно назначенный исполнительный содиректор Марк Лиу в ходе ежегодного форума с поставщиками отметил, что завод хочет начать производство по 16 нм процессу с опережением графика. Ранее компания заявляла о начале попыток изготовления таких микросхем только в первом квартале 2015 года.
Лиу также отметил, что в следующем месяце TSMC приступит к массовому производству SoC на основе 20 нм технологии.
В дополнение Лиу рассказал и о финансовых результатах деятельности компании. Он сообщил, что благодаря 28 нм процессу в 2013 году было заработано 5,4 миллиарда долларов США, и этот процесс к концу года составит 23% от общего производства отпечатков компании.
Также был дан и прогноз развития отрасли в 2014 году. Ожидается, что мировой рынок полупроводников в 2014 году вырастет на 5%, что на процент больше ожидавшегося в 2013 году. Что же касается непосредственно производства полупроводниковых пластин, то здесь ожидается снижение роста с 11% в текущем году до 9% в наступающем. При этом рост самой TSMC будет опережать средние показатели. Содиректор считает, что после показанного в этом году роста на уровне 17—18%, TSMC ожидает также получить двухзначное число роста объёмов производства.
Компания TSMC огласила свои планы по производству пластин по 20 нм техпроцессу. Так, компания начнёт их производство в первом квартале 2014 года. Кроме того тайваньская компания заявила, что 16 нм FinFET производство будет начато вслед за 20 нм.
«Мы начнём массовое производство по 20 нм в первой четверти 2014 года. Это в 90 днях от современности. 16 нм последуют за 20 нм через год. Мы видим оба процесса 20 нм и 16 нм как виртуально один размер», — заявил Моррис Чэн, исполнительный директор и глава TSMC, в ходе конференции с финансовыми аналитиками.
«Собственно по 20 нм мы получили заказ на 5 отпечатков и запланировали более чем 30 отпечатков в этом и следующем году от сегментов мобильных вычислений, CPU и PLD [programmable logic device]. И все эти отпечатки представлены в больших объёмах. Конструкция 20 нм экосистемы была подтверждена в реальных продуктах, и она готова поддерживать клиентов. Процесс подготовки производства равнозначен, или даже лучше, чем был у 28 нм. Мы ожидаем большое развитие 20 нм в следующем году, с прибылью от 20 нм в 2014 году большей, чем была с 28 нм в 2012 году. Вы видите, что 20 нм стартует вначале следующего года, в то время как 28 нм стартовали в третьем-четвёртом квартале 2011 года. Таким образом, точкой отсчёта для 28 нм был 2012 год. Однако наш рост с 20 нм в 2014 году будет более быстрым, чем рост с 28 нм в 2012 году. И хотя рост 28 нм процесса был рекордным для TSMC, 20 нм рост будет на 30% быстрее», — заявил господин Чэн.
Моррис Чан, исполнительный директор Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. заявил, что его компания планирует начать производство чипов по 20 нм техпроцессу в феврале 2014 года, для чего выбран завод Fab 14/phase 5, а с мая производство откроется и на заводах Fab 15/phase 3 и 4.
«В 20 нм техпроцессе мы видим малую конкуренцию. Опытное производство началось в первом квартале 2013 г. и массовое производство начнётся в начале следующего года. Оборудование уже будет смонтировано, оборудование поставляется и будет смонтировано», — заявил Моррис Чан в ходе квартальной конференции с финансовыми аналитиками.
TSMC начала строительство производства Phase 5 на заводе Fab 14 ещё в апреле прошлого года. Конструкция цеха уже готова и установка оборудования началась в апреле этого года. Обычно, на полное оснащение завода по производству микросхем уходит от 6 до 12 месяцев. Кроме перечисленных заводов TSMC также планирует позднее начать производство 20 нм микросхем на заводе Fab 12/phase 6.
Также интересным фактом является то, что большую часть оборудования, которое будет использовано для производства 20 нм чипов, будет позднее применяться для 16 нм FinFET техпроцесса. Случится это где-то в 2015 году.
«По 16 нм FinFET процессу массовое производство начнётся примерно через год после 20 нм SoC, другими словами, в начале 2015 года. Наш научно-исследовательский процесс производства 16 нм FinFET идёт хорошо, есть новые усовершенствования, и они лучше, чем планировались и он лучше, чем 20 нм год назад. Мы работаем с несколькими крупными клиентами и много изготавливаем, многие продукты изготавливаются», — несколько путано заключил Чан.
Сайт DigiTimes сообщает, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и её служба разработки микросхем Global UniChip заключили трёхлетнее соглашение с Apple по которому со следующего года производитель обязуется изготавливать чипы серии A используя 20 нм, 16 нм и 10 нм техпроцесс.
Таковы данные источников, близких к производству, при этом ни сам производитель TSMC ни дизайнер Global Unichip не захотели как-либо комментировать ситуацию.
В малом объёме TSMC начнёт производство A8 уже в июле 2013 года и существенно повысит своё 20 нм производство после декабря, отмечает источник. Полноценно же завод сможет изготавливать чипы после запуска нового оборудования в первом квартале 2014 года.
Объём производства нового оборудования составит 50000 блинов, при этом часть из этого оборудования может позже быть использована для выпуска 16 нм чипов. Так, по имеющимся данным, TSMC начнёт выпуск процессоров Apple A9 и A9X в конце третьего квартала 2014 года.
Процессор A8, который сейчас готовится к выпуску, будет устанавливаться в iPhone, которые поступят в продажу в начале следующего года, в то время как процессоры A9/A9X предназначены для новейшего поколения iPhone и iPad. При этом начало поставок этих чипов для производителей смартфонов и планшетов источник не обозначил.
Ранее исполнительный директор и глава TSMC Моррис Чан отмечал, что его заводы начнут выпуск продукции по 16 нм FinFET процессу менее чем через год после начала массового производства 20 нм микросхем. Опытное же производство 20 нм изделий прошло ещё в первой четверти этого года.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company возобновила планы по производству микросхем с использованием 20 нм технологического процесса, однако отмечает, что объёмы этого производства будут низкими.
Но при этом глава TSMC уверен, что крупнейшее в мире производство полупроводников начнёт выпуск чипов с применением 20 нм технологии только в 2014 году.
«Мы начнём выпуск 20 нм чипов в некотором объёме в следующем году, но в малом масштабе, очень мало, в основном это будет называться опытным производством. 2014 год будет основным в развитии производства 20 нм SoC»,— заявил Моррис Чен, исполнительный директор TSMC.
При этом компания планирует представить унифицированную версию 20 нм процесса, которая будет применима как для сверхмобильных чипов смартфонов, так и для высокопроизводительных процессоров графических плат.
В настоящее время TSMC предлагает 4 версии 28 нм технологии: 28LP (poly/SiON) для слабомощных экономичных чипов, 28HPL (HKMG) для низкоэнергетичного применения, 28HP (HKMG) для высокопроизводительных микросхем и 28HPM (HKMG), которые объёдиняют элементы высокопроизводительных и слабомощных чипов и находят применения в микропроцессорах для планшетов, суперфонов и ноутбуков. С 20 нм технологией заказчикам не придётся делать выбор, т. к. будет доступна лишь одна опция.
Кроме того TSMC анонсировали планы по применению технологии FinFET с размером элементов 16 нм. Этот техпроцесс будет внедрён в 2015 году. Чен отметил: «Мы верим, что 16 нм FinFET получит развитие в, вероятно, второй половине 2015 года».
По информации тайваньскиого издания TechNews.tw, компания TSMC может отложить внедрение техпроцесса 2 нм до 2026 года.
Если эти слухи окажутся правдой, то это непременно скажется на всей индустрии. Причиной же задержки могут быть несколько факторов, включая архитектурный переход от FinFET к Gate-All-Around (GAA), а также возможные инженерные вызовы при уменьшении транзисторов до 2 нм. Как известно, TSMC является лидером рынка, однако она находится под постоянным прессингом конкурентов, так что потенциальная задержка позволит Samsung усилить свои позиции, тем более что корейский гигант уже перешёл на транзисторы GAA, начиная с 3 нм процесса.
Однако вполне возможно, что пока просто слишком рано задумываться о процессах, которые возможны только в 2025 году и позднее. Сама TSMC отрицает проблемы и готовится к пилотному выпуску 2 нм микросхем уже в 2024 году и массовому производству в 2025 году. Возможные задержки в реализации планов заставит заказчиков скорректировать свои стратегии развития или искать других поставщиков.
По сообщениям обозревателей новый технологический процесс производства микросхем с размером элементов 3 нм от Samsung готов к тому, чтобы отбивать клиентов у TSMC.
За последние годы Samsung Foundry потеряла ряд клиентов из-за высокого процента производственного брака и проблем с теплоотводом.
И вот теперь инвестиционная фирма Hi Investment & Securities опубликовала отчёт, согласно которому выход годной продукции по 4 нм процессу Samsung Foundry превысил уровень 75%. У TSMC этот уровень составляет 80%. В то же время при производстве по 3 нм нормам у корейской компании дела идут лучше. Так, выход годной продукции у Samsung составляет 60%, в то время как у TSMC — 55%. Это значит, что Samsung добилась лучших результатов и большей эффективности производства, что может позволить ей вернуть клиентов, потерянных на этапах лидерства 4 нм и 5 нм технологий.
NVIDIA и Qualcomm сообщают, что рассматривают вариант возвращения к Samsung на второе поколение 3 нм процесса (SF3), в основном из-за того, что производственные мощности TSMC выкуплены Apple. Кроме того, чипы TSMC, которые будут производиться на заводах в Японии и США, будут на 15—30% дороже тайваньских, что также подталкивает заказчиков к смене подрядчика.
Как известно, компания TSMC начала производство микросхем по 3 нм нормам. Этот техпроцесс включает все последние достижения науки, однако он же стал предвестником больших проблем дальнейшего развития.
Дело в том, что по данным самой TSMC, плотность кэш-памяти SRAM в новой технологии 3NE будет точно такой же, как и у 5 нм предшественника.
Более совершенная версия 3NB является более нишевой, и она уже будет иметь некоторое масштабирование SRAM, правда, всего на 5% по сравнению с 5 нм. При этом транзисторы в ядрах будут уменьшены в традиционные 1,6—1,7 раза, хотя этот процесс весьма сложен и эти цифры говорят о Законе Мура весьма приближённо.
Проблема заключается в том, что уменьшить размер процессора, не уменьшая физический размер кэша — невозможно. Процессор настолько большой, насколько большой у него кэш. Место на кристалле, занятое кэшем, не может быть использовано под размещение логики, а учитывая рост числа логических транзисторов производителям микросхем нужно продолжать наращивать размер кэша, чтобы избежать узкого места, связанного с памятью.
И размер транзисторов, с каждым производственным поколением, продолжает сокращаться, а вот компенсировать увеличение кэша за счёт уменьшения SRAM — не удаётся. И именно этот процесс может стать началом конца Закона Мура.
Полупроводниковое производство требует больших инвестиций и постоянных улучшений, процесс разработки тянется долгие годы. Неудивительно, что, на фоне мировой инфляции, компания TSMC готовится поднять стоимость микросхем.
Сайт DigiTimes сообщает, что блины, которые будут изготовлены по 3 нм нормам, обойдутся заказчикам в 20 000 долларов, на 25% дороже, чем по 5 нм технологии. Что касается процесса 5 нм, то такие блины будут стоить 16 000 долларов, а 7 нм — 10 000 долларов.
20 000 долларов за один блин с микросхемами — это рекордная цена. Однако «TSMC вкладывает огромные средства в развитие, и прикладывает все силы, чтобы клиенты имели доступ к лучшим технологиям в мире».
Сейчас технологические гиганты вроде Apple, AMD и NVIDIA бронируют производство для своих самых современных микросхем. А учитывая, что цена производства вырастет на 25%, нас ожидает заметное подорожание всей электроники.
Пиковый спрос на электронику, вызванный COVID-19, уже закончился. На фоне нарастающего кризиса и инфляции многие страны вводят новые ограничения, из-за чего спрос на потребительскую электронику начинает снижаться. Следствием этого является и снижение заказов на производство микросхем со стороны заказчиков.
Согласно сведений DigiTimes, Apple, AMD и NVIDIA планируют скорректировать свои заказы TSMC в соответствии со спросом.
Так, компания из Купертино планирует сократить целевые поставки iPhone 14 на 10% до 90 миллионов штук.
Что касается производителей видеокарт, то сейчас этот рынок пересыщен предложениями б/у ускорителей из-за резкого спада доходности от майнинга. На фоне этого AMD сократила заказы 7/6 нм блинов на 20 000 штук в период с IV квартала 2022 года по I квартал 2023 года. Заказы по 5 нм нормам остались неизменными.
Другой поставщик GPU, компания NVIDIA, сменил основного производителя чипов с Samsung на TSMC, и теперь на пересыщенном рынке компания решила затянуть момент выпуска новых GPU на 1 квартал, на начало 2023 года. Однако NVIDIA ещё предстоит найти клиентов на свои заказы у TSMC.
Компании Apple и Intel станут первыми получателями микросхем, изготовленных по новой технологии TSMC, 3 нм, и произойдёт это раньше, чем технология станет доступной остальным игрокам рынка.
Сайт Nikkei Asia сообщает, что Apple и Intel уже тестируют конструкцию своих микросхем с производственной технологией 3 нм от TSMC. Суть процесса заключается в получении готовых микросхем во второй половине следующего года.
По данным TSMC, технология 3 нм может увеличить производительность вычислений на 10—15%, по сравнению с 5 нм, при этом снизив энергопотребление на 25—30%.
По всей видимости, первым устройством с 3 нм процессором станет Apple iPad. Телефоны iPhone, которые выйдут в следующем году, должны использовать 4 нм процессоры из-за графиков планирования.
Что касается Intel, то она работает над двумя 3 нм проектами с TSMC, которые нацелены на ноутбуки и центры обработки данных. Массовое производство этих процессоров запланировано на конец 2022 года.
Компания TSMC быстро развивает своё производство. На фоне глобального дефицита микросхем мировой лидер стремится сохранить свою позицию, активно внедряя новые технологии и высвобождая имеющиеся мощность для менее требовательных заказчиков.
Новый технологический процесс N4, также называемый 4 нм, TSMC планирует опробовать уже в III квартале 2021 года. В ближайшие месяцы фирма начнёт рисковое производство микросхем.
Следующим же этапом станет технология N3, 3 нм. Она будет запущена на совершенно новом заводе во второй половине 2022 года и станет первой в мире технологией производства такого уровня.
И хотя такая модернизация стоит очень дорого, вряд ли компания испытывает проблемы с финансами. На фоне продолжающегося дефицита микросхем TSMC уже уведомила своих клиентов об очередном повышении цены на производство.
Лидер в области производства микросхем, компания TSMC, уже массово производит маломощные чипы по технологии N5. Её модификацией станет N4, однако уже на следующий технологический этап, N3, у компании есть множество заказов.
Технология N3 позволит поднять производительность на 10—15%. При этом массовое производство по технологии с элементами 3 нм начнётся во второй половине 2022 года. Этот основанный на FinFET процесс обещает заметный прорыв, по сравнению с N5 первого поколения. Он не только обеспечит прирост производительности в 10—15%, но и снизит энергопотребление на 25—30% при той же скорости. Плотность транзисторов увеличится в 1,7 раза, а памяти SRAM в 1,2 раза. Плотность аналоговых устройств возрастёт в 1,1 раза.
Спрос на эту технологию будет крайне высоким. Компания ожидает, что по этому процессу будет произведено вдвое больше микросхем, чем по N5.
Следующий шаг, N2, станет самым значим прорывом в производстве микросхем за последние годы. В этом процессе TSMC откажется от FinFET в пользу нанолистовой технологии. По словам компании, нанолистовые транзисторы имеют на 15% меньше Vt-вариаций, что «очень хорошо», по сравнению с FinFET.
Также говоря о 2 нм технологии, компания сообщила, где будет находится это предприятие. Его построят в тайваньском Синьчжу. Называться предприятие будет Fab 20. Пока же возведение завода находится на этапе приобретения земли.
Расчётная производительность микросхем на заводах TSMC по технологии 5 нм составляет около 55 000 — 60 000 блинов в месяц. Крупнейшим заказчиком на технологию N5 является Apple, по которой она производит новейшие чипы для iPhone (A14 Bionic), а также SoC, такие как M1.
Однако позднее в этом году Apple представит новый iPhone, возможно и появление новых SoC для компьютеров. Также этим процессом хотят воспользоваться AMD и Qualcomm, у которых также будут объёмные заказы. Всё это вынуждает TSMC подготовиться.
Китайская аналитическая компания China Renaissance Securities сделала прогноз, согласно которому тайваньский производитель удвоит свои мощности по технологии N5 и родственным (включая N5, N5P и N4) до 120 000 блинов в месяц. В отчёте сообщается, что большая часть капитальных затрат TSMC в этом году была направлена на подготовку для масштабирования производства.
Следующим техпроцессом TSMC, который будет использоваться длительное время, станет N3. Рисковое производство по этой технологии должно начаться уже в этом году. Массовое же производство по этой технологии стоит ожидать лишь во второй половине 2022 года. Вполне возможно, что Apple сможет использовать технологию TSMC N3 для выпуска процессоров для iPhone 14.
Компания TSMC дополнила свою дорожную карту на 2023 год новой технологий производства — 3nm Plus.
Это будет улучшенная версия технологии 3 нм. Наверное, никого не удивит, что одним из первых клиентов на неё будет Apple. Это компания всегда отличалась большими аппетитами на производственные мощности. И теперь эти аппетиты выросли, ведь к SoC для iPhone и iPad теперь добавились ещё и процессоры для ПК.
Массовое производство по 3 нм технологии начнётся уже во второй половине 2022 года. А уже годом позднее появится улучшенная версия этой технологии.
В настоящее время тайваньский производитель микросхем является лидером рынка и предлагает удобные для разработчиков решения и передовые технологии производства. На втором месте находится Samsung, однако её технологии не столь совершенны, как у TSMC. Остальные же производители уже несколько лет не могут угнаться за лидерами.
Японское издание Nikkei опубликовало своё расследование, согласно которому китайские компании-производители микросхем, под названием Quanxin Integrated Circuit Manufacturing (QXIC) и Hongxin Semiconductor Manufacturing Co (HSMC), за прошлый год переманили к себе более 100 ветеранов из TSMC.
Обе китайские компании щедро финансируются правительством Китая и пытаются реализовать амбициозный план по полной независимости индустрии аппаратного обеспечения к 2025 году. Обе компании появились в 2017 году и начали нанимать специалистов и директорат, работавший в полупроводниковой индустрии. Фирмы начали разработку технологии производства FinFET по 14 нм классу, которая будет применяться для выпуска широкого спектра продукции, включая SoC, ASIC, коммуникационные чипы и накопители.
Журналисты отмечают, что за последнее время Тайвань потерял более 3000 инженеров в области полупроводников, которые перешли в различные стартапы и предприятия на большой земле. И хотя в TSMC выразили «крайнюю обеспокоенность» переезду талантов в Китай, компания не видит в этом угрозы на ближайшее время. При этом отмечается необходимость национальной стратегии по удержанию специалистов предложением лучшей оплаты, чем у конкурентов.
Филип Вон, корпоративный вице-президент компании TSMC, сообщил, что сейчас его компания практически достигла 3 нм технологии, и теперь она уже видит способы перехода к 2 нм и даже к 1 нм процессу. Только эти числа ничего уже не значат.
Мы все считаем, что уменьшение техпроцесса приводит к росту плотности транзисторов на пластине за счёт того, что ключевые элементы становятся всё меньших размеров. Однако Вон заявил, что современные схемы наименования техпроцессов не имеют отношения к технологическим решениям, реализованным в микросхемах. Он отмечает, что это лишь брендинг.
«Раньше было так, что технологический узел, величина узла, что-то означала, как-то выражалась технологически на пластине. Сегодня эти значения — просто числа. Они как модели автомобилей. Как BMW пятой серии, или Mazda 6. Не имеет значения, что значат эти числа, это просто цель для следующей технологии, имя для неё. Так что давайте не путать наименования узлов с тем, что эта технология на самом деле предлагает».
Большие и мощные процессоры наконец-то начали выпускаться по 7 нм технологии, однако TSMC смотрит в будущее и уже готовится к разработкам 2 нм технологии.
На замену 7 нм процессу придёт 5 нм, а затем — 3 нм. Эти технологии уже активно разрабатываются как TSMC, так и Samsung. Но то, что тайваньская компания уже готовится к 2 нм поколению — просто удивительно.
Жуан Зишоу, старший директор TSMC, пояснил тайваньским СМИ, что новый 2 нм завод будет находится вместе с другими заводами будущих поколений в тайваньском Синьчжу. В этом городе расположен гигантский научный парк, в котором расположены 400 технологических компаний, включая TSMC.
Компания рассчитывает, что новый завод начнёт выпуск продукции к 2024 году.
Taiwan Semiconductor анонсировала внедрение технологии производства объёмных стековых чипов. Эта технология была названа пластина-на-пластине (Wafer-on-Wafer, или WoW). Также компания пообещала готовность 7 нм+ процесса в этом году и 5 нм процесса в следующем.
Современные микросхемы очень сложно уменьшать, поэтому переход на более тонкие техпроцессы занимает много времени. Однако промышленность требует увеличения числа транзисторов в чипе, и в TSMC придумали как удвоить их количество, применив стеки. Многослойные конструкции давно используются в микросхемах памяти, но только теперь TSMC стала готова предложить эту технологию для всех типов чипов.
Технология, созданная в партнёрстве с Cadence Design Systems, основана на существующих техниках чип-на-пластине-на подложке (Chip-on-Wafer-on-Substrate — CoWoS) и интегрированного разветвления (Integrated Fan-Out — InFO). По сути, технология WoW заключается в изготовлении двух обычных пластин микросхем, которые производятся перевёрнутыми, так, что сверху и снизу оказывается подложка. Затем традиционные пластины связываются сквозными проводниками по технологии through-silicon via (TSV), образуя пакеты.
Кроме технологии WoW в компании также подтвердили, что в этом году она будет готова выпустить усовершенствованный 7 нм процесс, в то время как 7 нм технология первого поколения будет доступна для массового производства. В следующем же году TSMC готовится выпустить 5 нм микросхемы.
Компания TSMC сообщила о том, что будет готова начать производство микросхем с размером элементов 5 нм через два года, после освоения 7 нм технологии.
При этом начать выпуск чипов по 7 нм нормам фирма планирует начать уже в 2018 году. Такую информацию распространил в ходе встречи с инвесторами соисполнительный директор Марк Лиу. При этом идёт ли речь об опытном, или о массовом производстве, директор не уточнил.
Также глава отметил, что TSMC уже занимается исследованиями, направленными на 5 нм технологию производства уже в течение года, добавив, что технология будет готова к запуску в первой половине 2020 года.
Отмечается, что выпускаться 5 нм микросхемы будут при помощи экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV): «мы добились значительного прогресса с EUV для подготовки к внедрению, подобному 5 нм».
Что касается 10 нм, то компания отметила, что уже в первом квартале этого года она будет готова отпечатать микросхемы на заказ. Новая версия 16 нм FCC, менее энергоёмкая и менее дорогая версия 16 нм FinFET, будет готова для массового производства также в первом квартале.
В дополнение компания отметила, что во втором квартале 2016 года TSMC внедрит новую более плотную технологию пакетирования InFO, которая найдёт применение у крупных заказчиков. «Мы не ожидаем распространения среди большого числа заказчиков. Правда, мы ожидаем нескольких очень больших заказчиков». Одним из первых заказчиков продукции по технологии InFO станет Apple.
Компания TSMC без громких анонсов ввела в действие новый производственный процесс FinFET Compact с размером элементов в 16 нм (16FFC). Данная технология предназначена для среднего и бюджетного мобильных сегментов, носимой электроники и устройств IoT. Таким образом, новый недорогой процесс предназначен для компактной слабомощной электроники.
Ранее в этом году TSMC говорила о планах по выпуску ещё одной 16 нм FinFET технологии, созданной специально для выпуска SoC для мобильных устройств среднего и нижнего ценового сегментов. Для своих клиентов TSMC представит технологию 16FFC в четвёртом квартале этого года.
Ранее президент и соисполнительный директор TSMC господин Веи предполагал, что технология 16FFC начнёт массово применяться лишь во второй половине 2016 года. Также дал оценку, что всего 16 нм технология FinFET от TSMC получит заказ примерно на 50 продуктов. Общий объём 16 нм производства TSMC к концу 2016 года, по мнению господина Веи, увеличиться в три раза, по сравнению с нынешним годом.
Компания TSMC объявила о том, что в третьем квартале она планирует начать производство микросхем по 16 нм технологии.
Представитель предприятия сообщил Тайваньской фондовой бирже, что компания собирается «плавно перейти» на массовый выпуск 16 нм чипов, как и планировалось.
Производство по 16 нм FinFET+ технологии уже давно в планах компании, и больший выход отпечатков уже ожидался в этом квартале. В то же время процессоры большой мощности фирма планирует производить позднее. К примеру, NVIDIA ожидает в следующем году выпустить свои GPU микроархитектуры Pascal по 16 нм технологии.
Техпроцесс 16nm FinFET+ сможет обеспечить вдвое большую плотность и на 65% большую скорость работы, при 70% снижении энергопотребления, по сравнению с 28% технологией производства.
Поскольку о сроках выпуска новых микросхем ничего сказано не было, можно ожидать их появление в первом квартале 2016 года, а конечные устройства поступят в продажу во втором квартале следующего года.
В любом случае, TSMC будет отставать от Samsung, которая запустит 14 нм очень скоро.