Новости по теме «Intel продаёт свой бизнес NAND»

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

К счастью, в ближайшие месяцы цена на SSD должна снизиться. Согласно информации TrendForce, на рынке скоро сложится ситуация, которая приведёт к снижению цены.

Во-первых, наблюдается перепроизводство NAND-памяти, и склады производителей заполнены. Во-вторых, потребительский спрос на накопители резко снизился, что приведёт к накоплению на складах готовых изделий, а значит, стремлению производителей от них избавиться, для чего нужно будет снизить цену.

Учитывая эти два фактора аналитики прогнозируют, что к концу текущего квартала цена на SSD снизится (по крайней мере должна) на 8—10%.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

В мире 3D NAND оптимальным путём повышения плотности является увеличение числа слоёв в стековой структуре NAND. Компания SK Hynix сообщила, что она первой в мире приступила к производству 128-слойных чипов TLC NAND объёмом 1 Тб, используя 4D структуру. Конечно, инженеры не открыли четвёртое измерение, а просто разместили слой периферии под стеком 3D NAND.

С переходом на 128-слойные стеки компания может увеличить продуктивность на 40%, по сравнению с нынешней 96-слойной структурой. Кроме того, переход на новую технологию позволяет на 40% сократить себестоимость производства.

Компания планирует начать поставки 4D NAND памяти во второй половине этого года, обещая скорости передачи данных на уровне 1400 Мб/с при напряжении 1,2 В. Эти чипы окажутся крайне полезными для мобильных устройств.

Также компания сообщила, что планирует создавать собственные клиентские SSD объёмом до 2 ТБ на базе собственных контроллеров. Для корпоративного рынка SK Hynix будет разрабатывать накопители объёмом 16 ТБ и 32 ТБ.

Следующим шагом компании станет создание 176-слойных чипов NAND.

Компания отметила, что она применяет собственную QLC технологию для построения 96-слойных 4D чипов. Она отмечает, что её новые микросхемы объёмом 1 Тбит будут доступны производителям «как раз к открытию рынка QLC».

При этом фирма сообщает, что занимается разработкой собственного программного алгоритма по работе с памятью QLC и контроллера, и планирует выпустить соответствующие решения вовремя, чтобы отвечать требованиям клиентов.

«Мы планируем выпускать собственные SSD на основе QLC со следующего года, когда ожидается значительный спрос на QLC NAND для промышленности», — заявил вице-президент и глава разработки стратегии NAND в SK Hynix Хан Джу На. «В частности, мы намерены занять надёжную позицию на рынке высокоплотных eSSD, которые заменяют жёсткие диски решениями на базе NAND Flash, поскольку имеют объём 16 ТБ или больше».

Факт поставки образцов терабитных QLC NAND микросхем прокомментировал исполнительный директор Silicon Motion Technology Уоллес Коу: «Мы получили инженерные образцы QLC от SK Hynix и мы поражены общей производительностью. Образцы отвечают требованиям к клиентским SSD».

По прогнозам IDC доля QLC памяти на рынке NAND должна вырасти с 3% в 2019 году до 22% в 2023 году, в то время как рынок eSSD будет расти по 48% в год, быстро заменив HDD в течение 5 лет.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Шу прокомментировал, что от квартала к кварталу в 2014 году цена на DRAM и NAND память будет постепенно снижаться. В результате в 2014 году цены на SSD вновь снизятся, при этом падение составит 20—30%. В прошлом же году цены так же упали почти на треть, сообщил господин Шу, добавив, что спрос на 256 ГБ накопители будут пользоваться хорошим спросом если цена на них упадёт ниже 100 долларов США.

Компания Transcend увеличила поставки своих твердотельных накопителей до 100 тысяч штук в месяц, при этом соотношение потребительских и промышленных моделей в этих поставок составляет 50/50, отметил Шу. Кроме того, директор заявил, что компания планирует в текущем году увеличить своё присутствие и на рынке флэш-памяти и карт памяти, поскольку рынок покинул ряд небольших компаний.

В следующем месяце Intel планирует снизить цены на широкий спектр своих твердотельных накопителей модельных рядов 320, 330 и 520. Цена будет снижена до 38%, и это касается не самых дешевых накопителей.

Изменения не коснутся 320-го модельный ряда SSD с низким объёмом, однако высокоёмкие накопители размером в 300 ГБ и 600 ГБ получат заметное снижение цены.

Удешевление SSD Intel 320-й серии:

• SSD 320 300 ГБ: OEM-цена снижена с 499 $ до 444 $, розничная цена снижена с 519 $ до 464 $ (−10,6%);
• SSD 320 600 ГБ: OEM-цена снижена с 1039 $ до 859 $, розничная цена снижена с 1059 $ до 879 $ (−17%).

Удешевление SSD Intel 330-й серии:

• SSD 330 60 ГБ: розничная цена снижена с $94 до $69 (−26,5%);
• SSD 330 120 ГБ: розничная цена снижена с $149 до $104 (−30,2%);
• SSD 330 180 ГБ: розничная цена снижена с $234 до $154 (−4,1%).

Удешевление SSD Intel 520-й серии:

• SSD 520 60 ГБ: OEM-цена снижена с 99 $ до 89 $, розничная цена снижена с 109 $ до 99 $ (−9%);
• SSD 520 120 ГБ: OEM-цена снижена с 179 $ до 129 $, розничная цена снижена с 189 $ до 139 $ (−26,4%);
• SSD 520 180 ГБ: OEM-цена снижена с 169 $ до 189 $, розничная цена снижена с 279 $ до 199 $ (−28,6%);
• SSD 520 240 ГБ: OEM-цена снижена с 399 $ до 249 $, розничная цена снижена с 349 $ до 259 $ (−25,8%);
• SSD 520 520 ГБ: OEM-цена снижена с 799 $ до 494 $, розничная цена снижена с 809 $ до 594 $ (−37,7%).

Конечно, придётся подождать некоторое время, пока склады освободятся от продукции большей стоимости, и мы увидим в продаже подешевевшие SSD от Intel.

В Kingston утверждают, что цена NAND памяти за 1 гигабайт упадёт до менее чем 1 доллара — порогового значения, при котором люди активно начнут менять жёсткие диски на твердотельные накопители.

«За снижением удельной стоимости одного гигабайта стоит технологический переход большинства производителей чипов на 19 нм нормы и даже более совершенные техпроцессы»,— отмечает Натан Су (Nathan Su), директор по продажам флеш памяти Kingston APAC. Очевидно, что высокая стоимость чипов и является причиной низкой популярности SSD накопителей.

Кроме того, по причине трудностей в производстве и поставке жестких дисков, вызванных наводнением в Таиланде, аналитики ожидают некоторый рост спроса на SSD, по крайней мере, в устройствах промышленного класса низкой ёмкости.

Су также отметил, что Kingston модернизировал свои SSD продукты, сориентировав их на сегменты начального, среднего и высокого уровня. Начиная с 2011 года, компания сконцентрировалась на выпуске NAND-связанных продуктов, отстранившись от бизнеса оперативной памяти.

Кроме того, Kingston разработали новую линейку продуктов портативных приводов, которые могут использоваться как аксессуар для продуктов потребительского сектора, таких как смартфоны и планшеты.

Так, по данным аналитиков во II квартале этого года продолжится дальнейший двузначный рост контрактных цен на NAND, продолжив рост I квартала, когда цены возросли на 23—28%.

Представленная аналитиками таблица демонстрирует как прошедший рост в I кваратле, так и прогнозы на II. Вслед за контрактными ценами на память дорожают и устройства на её основе. Это значит, что собирая новый компьютер энтузиасты уже заплатят на сотню долларов больше из-за подорожания SSD, и в ближайшие три месяца этот рост продолжится, хоть и не такой активный.

По данным TrendForce во II квартале цена вырастет ещё на 10—15%. Важно отметить, что ожидаемые темпы роста цен на потребительские SSD будут немного ниже, чем на память непосредственно. Аналитики заявляют, что причиной этому является стратегия закупок производителей SSD, который сокращают свои складские запасы, что позволяет не так быстро повышать цену и сглаживать скачки.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

Этот ход ограничит возможности YMTC по приобретению нового оборудования и обслуживания существующего, ограничив дальнейшее развитие технологии памяти 3D-NAND-Flash и сократив объёмы производства.

Со временем позиции YMTC на рынке NAND-Flash будут ослабляться, особенно, если к санкциям присоединятся Япония и Нидерланды, производящие необходимое оборудование. Препятствия для YMTC окажутся огромными. Заменить американское оборудование китайским невозможно. Дополнительно, компании за пределами Китая будут опасаться применять память, произведенную YMTC, не желая попасть под возможные вторичные санкции. Это приведёт к тому, что компания будет выпускать продукцию лишь для внутреннего рынка. При этом аналитики считают, что уже в 2024 году YMTC будет вынуждена покинуть рынок 3D-NAND-Flash из-за невозможности конкурировать.

В ближайшее время YMTC ожидает технологический застой, который может разрушить рыночную долю компании и заставить её изучать новые рынки.

Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.

Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Эта новость не сильно удивляет, учитывая, что в 2020 году компания уже продала подразделение SSD компании SK Hynix. Сделка включала только потребительские продукты, а решения для ЦОД и серверов фирма оставила себе.

Данный шаг означает, что Intel больше не ищет продавца на накопители Optane и память 3D XPoint, стоящую за этими накопителями. Теперь же компании придётся списать 559 миллионов долларов на убытки и закрыть проект.

Такая сделка станет первым (и возможно последним) крупным рыночным изменением для Kioxia после её ухода из Toshiba Corporation в качестве отдельного бизнеса по выпуску флеш-памяти. Если сделка состоится, то мы получим мегакомпанию, которая включает три крупнейших производителя памяти: Kioxia, Western Digital и SanDisk. При этом первая и последняя компании в списке смогут выпускать передовые и быстрые решения на основе флеш-памяти, в то время как WD обеспечит рынок «тёплыми» и «холодными» хранилищами, то есть, жёсткими дисками.

Технология 5G должна резко увеличить объёмы передаваемых данных, а новый транстихоокеанский консорциум сможет их разместить.

Пока Kioxia отказывается комментировать эту информацию. Компания готовится к размещению акций на бирже, и они будут включать долю Toshiba и Bain Capital. В то же время, на фоне слухов, акции Western Digital поползли вверх. Сумма сделки оценивается в 20 миллиардов долларов.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

По информации Trendforce, общее снижение розничной цены на память обоих типов в IV квартале составит 10%. В начале 2021 года ожидается дальнейшее снижение цены.

Снижение цены на DRAM замедлится, а вот NAND-память продолжит дешеветь. Для потребителей это означает снижение цен на SSD, которое ожидается на уровне 10—15%. В корпоративном сегменте снижение цены составит около 10%. Это приведёт к дальнейшему вытеснению механических накопителей в новых ноутбуках и практически полному отказу производителей от HDD.

Санкции, наложенные США на Huawei, привели к тому, что китайская компания не может покупать комплектующие у США. Часть заказов Huawei перехватили другие производители, однако для поддержания рынка этого недостаточно. Этот фактор приведёт к падению цены на DRAM.

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.