SK Hynix рассчитывает на 800-слойные чипы к 2030 году

В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Накопитель PE8000 от SK Hynix
Накопитель PE8000 от SK Hynix

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.