Новости про производство

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Инженер, который однажды придумал конструкцию процессоров класса Pentium, предсказывает, что Закон Мура существует и выполняется из последних сил. Он заявил, что возможность упаковки вдвое большего числа транзисторов каждые два года на кристалле того же размера будет исчерпана к 2020 году с 7 нм технологией производства или к 2022 году с 5 нм техпроцессом.

Колвелл заявил, что прекращение Закона Мура будет иметь далеко идущие последствия для полупроводниковой промышленности, поскольку это будет означать конец экспоненциального роста вычислительной мощности. Он добавил, что инженеры непременно предпримут ряд действий по недопущению застоя, но усомнился, что будут сделаны новые открытия, которые поспособствуют новому экспоненциальному росту производительности либо восстановлению Закона Мура.

Экспоненциальный рост по Закону Мура, продолжающийся уже три десятка лет, привёл нас к ускорению работы процессоров с 1 МГц до фактически 5 ГГц, т. е. к увеличению скорости в 3500 раз. Для сравнения, Колвелл сообщил, что сделанные модификации архитектуры привели к увеличению производительности только в 50 раз. Экспоненциальный рост всегда заканчивается по причине невозможности дальнейшего развития, и существующая тенденция, к сожалению, очень редка.

«Я не ожидаю очередного ускорения в электронике в 3500 раз, может, в 50 раз, за следующие 30 лет», — отметил инженер. Он также добавил, что с завершением действия Закона Мура ежегодный прирост производительности составит не более 10%, к сожалению.

«В 20 нм техпроцессе мы видим малую конкуренцию. Опытное производство началось в первом квартале 2013 г. и массовое производство начнётся в начале следующего года. Оборудование уже будет смонтировано, оборудование поставляется и будет смонтировано», — заявил Моррис Чан в ходе квартальной конференции с финансовыми аналитиками.

TSMC начала строительство производства Phase 5 на заводе Fab 14 ещё в апреле прошлого года. Конструкция цеха уже готова и установка оборудования началась в апреле этого года. Обычно, на полное оснащение завода по производству микросхем уходит от 6 до 12 месяцев. Кроме перечисленных заводов TSMC также планирует позднее начать производство 20 нм микросхем на заводе Fab 12/phase 6.

Также интересным фактом является то, что большую часть оборудования, которое будет использовано для производства 20 нм чипов, будет позднее применяться для 16 нм FinFET техпроцесса. Случится это где-то в 2015 году.

«По 16 нм FinFET процессу массовое производство начнётся примерно через год после 20 нм SoC, другими словами, в начале 2015 года. Наш научно-исследовательский процесс производства 16 нм FinFET идёт хорошо, есть новые усовершенствования, и они лучше, чем планировались и он лучше, чем 20 нм год назад. Мы работаем с несколькими крупными клиентами и много изготавливаем, многие продукты изготавливаются», — несколько путано заключил Чан.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Этот накопитель предназначен для корпоративного хай-энд рынка. Недавно разработанный NVMe-SSD объёмом 1,6 ТБ обеспечивает умопомрачительную скорость последовательного чтения данных — 3000 МБ/с. Это означает, что с этого диска можно будет прочитать целый терабайт данных менее чем за 6 минут. Если сравнивать разработанный накопитель с традиционными серверными хранилищами на жёстких дисках, то он окажется в 14 раз быстрее и в 6 раз быстрее предыдущего поколения корпоративных SSD-накопителей от Samsung.

Скорость случайного чтения достигла 740 000 операций вывода в секунду, что более чем в 10 раз быстрее SSD прошлого поколения. Диск получил название модели XS1715 и он доступен в вариантах с ёмкостью 400 ГБ, 800 ГБ и 1,6 ТБ.

И хотя уже сейчас накопитель позволяет резко увеличить производительность по сравнению с жёсткими дисками и 2,5” SSD, компания планирует продолжать разработку и выпуск NVMe-SSD и впредь повышая производительность систем хранения данных.

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

Компания предпринимает ряд мер для привлечения новых клиентов, включая снижение цены. Об этом сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на производственные источники.

Конечно, часть производственных мощностей компании занимает собственный бизнес Samsung по производству мобильных устройств связи. На них изготавливаются логические процессоры и SoC. В любом случае, фирма ищет новых клиентов для своего производства взамен покинувшей южнокорейского гиганта Apple, отмечает источник.

Источник отмечает, что компания может переманить к себе некоторые компании, нуждающиеся в производстве, значительным снижением цены, по сравнению с конкурентами, а это значит, что между контрактными производителями микросхем в ближайшее время начнётся ценовая война.

По данным некоторых СМИ, компания Samsung уже присматривает себе в производственные партнёры таких гигантов как Amazon, Sony и NVIDIA.

В настоящее время 2,3 ГГц является предельной частотой для 28 нм Snapdragon 800 и Tegra 4i (Grey), которые выйдут в конце этого или начале следующего года.

И как обычно, чтобы преодолеть данное ограничение, необходимо использовать техпроцесс с меньшим размером транзисторов. 20 нм процесс TSMC позволит на 30% поднять скорость и в 1,9 раза увеличить плотность при 25% снижении энергопотребления. Тридцатипроцентное ускорение означает, что частота SoC ARM будет находиться на уровне 3 ГГц со значительным увеличением числа транзисторов, используемых в основном под нужды GPU. Скорее всего, именно таким образом компания NVIDIA и обеспечит установку видеоядра Kepler в процессор Logan, однако пока подтверждения этому нет.

Снижение энергопотребления на 25% будет означать на четверть увеличенный срок автономной работы, а поскольку малый срок автономной работы является основным недостатком смартфонов, данная модификация будет крайне важной для потребителей.

Такой технологический переход значительно улучшит позиции альянса ARM в конкуренции с производителями x86 процессоров. Но не стоит забывать, что Intel и AMD не дремлют. В 2014 году Intel планирует выпустить свой 14 нм Atom, предназначенный для планшетов и смартфонов, а AMD, в то же время, при производственной поддержке GlobalFoundries, собирается выпустить свои 14 нм чипы для планшетов и ноутбуков.

Таковы данные источников, близких к производству, при этом ни сам производитель TSMC ни дизайнер Global Unichip не захотели как-либо комментировать ситуацию.

В малом объёме TSMC начнёт производство A8 уже в июле 2013 года и существенно повысит своё 20 нм производство после декабря, отмечает источник. Полноценно же завод сможет изготавливать чипы после запуска нового оборудования в первом квартале 2014 года.

Объём производства нового оборудования составит 50000 блинов, при этом часть из этого оборудования может позже быть использована для выпуска 16 нм чипов. Так, по имеющимся данным, TSMC начнёт выпуск процессоров Apple A9 и A9X в конце третьего квартала 2014 года.

Процессор A8, который сейчас готовится к выпуску, будет устанавливаться в iPhone, которые поступят в продажу в начале следующего года, в то время как процессоры A9/A9X предназначены для новейшего поколения iPhone и iPad. При этом начало поставок этих чипов для производителей смартфонов и планшетов источник не обозначил.

Ранее исполнительный директор и глава TSMC Моррис Чан отмечал, что его заводы начнут выпуск продукции по 16 нм FinFET процессу менее чем через год после начала массового производства 20 нм микросхем. Опытное же производство 20 нм изделий прошло ещё в первой четверти этого года.