Новости по теме «Память GDDR6 на 70% дороже GDDR5»

Новое поколение видеоускорителей с момента выпуска переживает трудности. Не только из-за того, что выросла стоимость комплектующих, но и из-за спекулянтов, а также повышенного спроса на ускорители со стороны майнеров. Всё это приводит к ещё большему дефициту игровых решений.

Сейчас средний ценник на видеокарты, по отношению к рекомендуемой цене, завышен на 25%. Однако на фоне роста стоимости памяти, уже в феврале стоит ожидать дальнейшего подорожания ускорителей. Случится это в середине месяца и усугубится длительными выходными в азиатских странах, где будут праздновать Новый Год.

Сообщается, что чип GDDR6 объёмом 1 ГБ может быть приобретен за 20,78 евро (12 Гб/с), 21,64 евро (13 Гб/с) и 22,51 евро (14 Гб/с).

Это довольно близко к 20,01 евро, которые стоит гигабайтный чип со скоростью 8 Гб/с и 18,88 евро за 7 Гб/с версию. То есть разница между 7 Гб/с чипами GDD5 и 14 Гб/с чипами GDDR6 составляет лишь 20%, а между 8 Гб/с чипами GDD5 и 12 Гб/с чипами GDD6 не доходит даже до 5%.

Сколько же на самом деле заплатят производители видеокарт за новые микросхемы, пока неизвестно, но не похоже, чтобы высокая цена на GDRR6 стала препятствием для её распространения.

Основной причиной высокой цены принято считать дефицит производства процессоров, однако большое влияние на ценообразование оказывает стоимость памяти GDDR6. Память этого типа используется в качестве кадрового буфера в видеокартах, и сейчас цена этой памяти производства Micron составляет 13—16 долларов за гигабайт. Эта цена за последние месяцы удвоилась.

Даже если допустить, что партнёры AMD ввиду больших объёмов договорились о поставках вдвое дешевле, по 6,5 долларов за гигабайт, то выходит, что 8 ГБ видеопамяти GDDR6 в RX 6600 XT стоят 52 доллара. Это самый оптимистичный сценарий, который не включает стоимости дальнейшего размещения чипов памяти на плате. В худшем случае на память приходится 128 долларов из 379, которые стоит ускоритель.

Конечно, производители могут в будущем использовать память GDDR6 производства SK Hynix или Samsung, однако вряд ли стоимость микросхем будет намного ниже.

По данным PCGamesN, компания NVIDIA хочет обновить как минимум топовые модели видеокарт 20XX Turing, установив в них память GDDR6 с большей пропускной способностью. Пока речь идёт о картах RTX 2080 и RTX 2080 Ti, в которых память со скоростью 14 Гб/с хотят заменить на микросхемы, пропускающие 16 Гб/с. Это маленькое, но очень важное для роста производительности изменение.

Пока не ясно, будут ли сравнимы видеокарты Turing и Navi, но очевидно, что NVIDIA будет бороться за клиента. А вот насколько ей это удастся без заметного снижения стоимости — вопрос открытый.

Память GDDR7 будет выпускаться в модулях по 16 Гб. Она придёт на смену GDDR6 со скоростью 24 Гб/с, выпущенной в прошлом году. Новая конструкция, несмотря на высокую скорость работы обеспечивает дополнительную стабильность работы. Так, пропускная способность GDDR7 составляет 1,5 ТБ/с, что в 1,4 раза выше, чем у GDDR6. Также увеличена пропускная способность контакта до 32 Гб/с. Эти улучшения стали доступны благодаря смене метода сигналирования с Non Return to Zero (NRZ) на Pulse Amplitude Modulation (PAM3), который позволяет передавать на 50% больше данных за один цикл сигналов.

Кроме того, память на 20% более энергоэффективна, чем GDDR6. Минимизация выделения тепла выполнена за счёт применения нового компаунда корпуса микросхемы, который обладает большей теплопроводностью, а также за счёт изменений в самой архитектуре интегральной схемы, что в сумме дало 70% снижения температурного сопротивления. Это обеспечит более стабильную работу в устройствах с плохим теплоотводом, таких как смартфоны и ноутбуки.

Южнокорейский гигант отметил, что квалификация первых образцов памяти состоится в течение этого года.

Память получила название GDDR6W. Её чипы изготовлены в классическом пакете BGA и будут предназначены для устройств среднего сегмента.

В настоящее время чипы GDDR6 и GDDR6X содержат память DRAM и 32-битный интерфейс. В то же время GDDR6W содержит два таких ядра памяти и два интерфейса в 32 бита. В результате объём чипа увеличился с 16 Гб до 32 Гб, а ширина интерфейса с 32 бит до 64 бит.

Технология, по которой собираются эти микросхемы, получила название Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Она пришла на замену традиционным печатным платам с распределительным слоем, обеспечивая меньшую толщину и лучшее соединение.

Таким образом, GDDR6W использует тот же протокол, что и GDDR6, но обеспечивает большую ёмкость и пиковую производительность. По сравнению с GDDR6 скорость передачи данных вырастает с 88 Гб/с до 176 Гб/с, а объём чипа с 16 Гб до 32 Гб. То есть для размещения одинакового объёма памяти потребуется вдвое меньше микросхем.

По сути, Samsung создала аналог HBM2E, только заметно дешевле и проще в монтаже на плате.

Память относится к 10 нм классу (процесс 1z). Для её производства используется экстремальная ультрафиолетовая литография, а сами микросхемы, очевидно, предназначены для использования в видеокартах нового поколения, ноутбуках, консолях и системах HPC.

Микросхемы разрабатывались с новой конструкцией и с использованием совершенных изоляционных материалов (High-K Metal Gate; HKMG), которые минимизируют ток утечки. Благодаря этому компания создала память, на 30% более быструю, по сравнению с нынешними 16 Гб/с модулями. В видеокартах премиального уровня такая память обеспечит общую пропускную способность в 1,1 ТБ/с. При этом микросхемы созданы в соответствии со спецификациями JEDEC, что означает полную совместимость со всеми конструкциями GPU.

Также новая линейка памяти имеет маломощную опцию, что позволит продлить срок автономной работы мобильных устройств. Подобные микросхемы обладают на 20% большей эффективностью и питаются напряжением 1,1 В, что на 0,25 В меньше, чем по стандарту для GDDR6.

Новые микросхемы памяти уже появились в каталоге продукции Samsung, правда, в каталоге пока не говорится, где эта память найдёт применение, хотя очевидно, что это будут видеокарты нового поколения или топовые модели нынешнего. Если NVIDIA в старших моделях заменит память GDDR6X на новые версии GDDR6, то при ширине шины памяти в 384 бит удастся развить скорость в 19,5 Гб/с.

Также они наверняка найдут себе место в видеокартах архитектуры AMD RDNA3 и NVIDIA Lovelace среднего уровня. Примечательно, что модули памяти с пропускной способностью 24 Гб/с упакованы в пакет 180FGBA, который применяется, в частности, с RX 6900 XT.

Таким образом, NVIDIA может стать первым производителем видеокарт, где будет примениться память быстрее 20 Гб/с, поскольку RTX 3090 Ti с модулями по 21 Гб/с, выйдет в январе. Самая быстрая карта AMD, Radeon RX 6900 XT LC, предлагает скорость 18,5 Гб/с.

Теперь Micron поставляет собственную графическую память для производства видеокарт серии RX 6000, которые содержат модули GDDR6 объёмом по 16 Гб и суммарным объёмом до 16 ГБ. Это значит, что AMD появился новый поставщик видеопамяти.

Уже в скором времени видеокарты моделей AMD RX 6600 и RX 6700, оснащённые памятью от Micron, будут поступать в продажу, что должно помочь AMD произвести большее число ускорителей и увеличить их доступность в рознице в IV квартале 2021 года.

Российский модер VIK-on провёл модификацию своей видеокарты NVIDIA GeForce RTX 3070, выпаяв из неё комплектные чипы памяти объёмом 8 ГБ, и заменив их на новые, объёмом 16 ГБ.

Для экспериментов он взял заказную версию Palit GamingPro GeForce RTX 3070. Он выпаял 8 модулей GDDR6 производства Samsung объёмом 1 ГБ (K4Z803256C-HC14) и заменил их на другие модули (K4ZAF3258M-HC14) объёмом по 2 ГБ от того же производителя. Таким образом объём видеопамяти был увеличен в два раза.

После проведения этой процедуры видеокарта корректно запустилась. Модер провёл на ней несколько бенчмарков и даже запустил Furmark без каких-либо проблем. Он даже попробовал майнинг на этой модифицированной 16 ГБ GeForce RTX 3070. Результаты переделки для майнинга не сообщаются, но нам кажется, что они оказались великолепными.

Очевидно, что NVIDIA вынуждена реагировать на ускорители RX 6000 от AMD, увеличивая объём видеопамяти для последующего релиза. В результате ускоритель RTX 3060 будет иметь 12 ГБ видеопамяти GDDR6 при ширине шины 192 бита.

Таким образом, NVIDIA изменила спецификацию RTX 3060, которая теперь вместо 6 ГБ будет содержать 12 ГБ видеопамяти. Таким шагом компания превентивно среагирует на серию Radeon RX 6700 от AMD, которая должна иметь 12 ГБ VRAM. Кроме того, такое изменение окажется весьма полезным, особенно, если разработчики видеоигр начнут использовать столь большой объём доступной видеопамяти.

Ранее NVIDIA уже подвергалась критике за то, что разместила в RTX 2060 слишком мало видеопамяти, что привело к скором появлению RTX 2060 Super с 8 ГБ VRAM. Просто имевшихся 6 ГБ оказалось слишком мало, ведь игры для консолей нового поколения занимают до 16 ГБ.

Что касается нижне-среднего сегмента, то отмечается, что NVIDIA RTX 3050 Ti и RTX 3050 будут иметь по 6 ГБ памяти, чего должно быть достаточно для своих целей — игр в разрешении до Full HD и со средними настройками качества.

Пользователь Twitter с ником @Strife212 запустил игру Crysis 3 непосредственно из видеопамяти карты RTX 3090, получив поразительную скорость работы.

Сделал он это используя утилиту GpuRamDrive. С её помощью он выделил 15 ГБ видеопамяти в качестве виртуального диска, а ещё 9 ГБ использовал для игровых нужд. Конечно, после перезагрузки эти данные были потеряны, но эксперимент вышел весьма интересным.

При запуске игры из VRAMdrive Crysis 3 работал «очень быстро», а в очень высоких настройках качества удалось достичь высокой частоты кадров — 75 к/с.

Видеопамять обладает максимальной пропускной способностью из всех устройств хранения данных современного компьютера, особенно это касается GDDR6X, установленной в RTX 3090.

Возможно, именно этим путём и пойдёт эволюция игровых консолей в будущем.

Во всех анонсированных во вторник видеокартах Quadro моделей RTX 8000, RTX 6000 и RTX 5000 используется память GDDR6 объёмом 16 Гб от Samsung, обеспечивая высокую скорость и эффективность.

По данным Samsung, эта память на 35% более экономична, чем GDDR5. Это достигается новой конструкции цепи, что позволяет памяти GDDR6 от Samsung работать на напряжении 1,35 В против 1,55 В у GDDR5. Скорость в новой памяти также радует. Она достигает 14 Гб/с на контакт, а общая скорость передачи данных составляет 56 ГБ/с, что на 75% быстрее, чем 8 Гб чипов GDDR5.

Свой пресс-релиз компания дополнила заявлением своего корпоративного вице-президента Джима Элиотта, который назвал это событие «привилегией со стороны NVIDIA».

Такое малозаметное изменение как тип памяти невероятно сильно сказалось на производительности, и многие пользователи могут запутаться, выбрать более дешёвый ускоритель, и в результате разочароваться в бренде.

Путаница также возникнет из-за того, что NVIDIA не указывает тип памяти напрямую, а шифрует его. К примеру, версия карты с памятью DDR4 называется «GT 1030 2GB OC LPD4», а с памятью GDDR5 — «GT 1030 2GB OC LPG5», и вот такое небольшое отличие в имени приводит к разнице в производительности в 55%.

Кроме этого Micron ведёт работу с ключевыми партнёрами экосистемы по разработке документации GDDR6 и взаимодействию, обеспечивая более быстрый выход памяти на рынок.

Данная работа велась как на этапе разработки, так и на этапе валидации продукции. Память нового типа обеспечит значительный прирост производительности при снижении энергопотребления.

Согласно свежему исследованию Micron, названному «16 Гб/с и больше с SingleEnded I/O в высокопроизводительной памяти для графики», память GDDR6 можно легко масштабировать со скорости 16,5 Гб/с при помощи «маленького, но полезного подъёма напряжения при вводе-выводе». Так можно достичь скорости 20 Гб/с, по крайней мере, на бумаге.

Также документ гласит, что результат в 16,5 Гб/с демонстрирует полную функциональность DRAM, которая может быть резко поднята ограничением таймингов непосредственно в массиве памяти, а скорость в 20 Гб/с была достигнута переводом памяти в специальный режим работы, который использует только ввод-вывод, обходя массив памяти.

Конечно, в ближайшее время мы не увидим памяти GDDR6 со скоростью 20 Гб/с. Недавно Samsung анонсировала память GDDR6 со скоростью 18 Гб/с. В любом случае, даже 14 Гб/с память даст значительный прирост в производительности видеокарт.

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.

Кроме того, компания отметила начало производства 8 Гб чипов GDDR5 по наиболее совершенному техпроцессу 1x нм.

Что касается GDDR6, то компания сообщила о завершении квалификации устройств, что делает её лидером в этой отрасли. В Micron отметили, что массовое производство видеопамяти нового типа начнётся через несколько месяцев. Первые микросхемы памяти поступят производителям видеокарт, которые будут использовать их в решениях для автомобильной электроники и сетевых систем. Остальные потребители получат GDDR6 несколько позднее.

Вначале Micron сосредоточится на чипах памяти GDDR6 со скоростью 12 Гб/с и 14 Гб/с. Позднее скорость памяти будет увеличена до 16 Гб/с.

В своём профиле на Linkedin (который уже удалён), один из технических работников AMD по имени Дэхьюн Ян, отметил разработку контроллера для GDDR6 как одну из своих последних задач. И этот факт является отличным подтверждением перехода AMD на новую память.

Конечно, это неудивительно, ведь все ведущие производители память готовятся перейти к выпуску GDDR6 вместо GDDR5 уже в следующем году.

Несмотря на то, что SK Hynix убеждала всех в готовности предоставить память GDDR6 для хай-энд плат уже в начале 2018 года, скорее всего AMD пока останется на памяти HBM2. А вот GDDR6 должна появиться в мейнстрим картах компании, например, ускорителях серии RX 600.

В плане производительности, память GDDR6 позволит поднять скорость до 16 ГБ/с на контакт, что заметно больше, чем у GDDR5x с 10 ГБ/с.

По информации Digitimes, ведущие производители видеокарт готовятся к повышению цен на ускорители моделей NVIDIA GeForce GTX 1080/1070/1060/1050 на величину от 3 до 10%.

Отмечается, что спрос на видеокарты для майнинга уже снижается, объёмы производства выросли, а продажи в розничных сетях ускорились, однако относительная стабилизация цен продлиться недолго, поскольку повышенный спрос привёл к нехватке чипов памяти, что в свою очередь опять приведёт к подорожанию.

Так, Samsung и SK Hynix в августе продают свои квоты для видеопамяти по 8,50 долларов, в то время как в июле они стоили 6,50.

В то же время оба производителя памяти заинтересованы в расширении производства для выпуска чипов, применяемых в серверах и мобильных устройствах, снижая поставки видеопамяти и далее разжигая рост цен.

Производитель памяти сообщил, что работает с множеством партнёров, чтобы обеспечить выпуск на рынок памяти GDDR6 и HBM2. Одним из важнейших заявлений компании стало то, что компания по-прежнему не приступила к массовому производству памяти HBM2. При этом она даже не готова назвать дату коммерческого выпуска продукции, ограничившись размытым «вторым полугодием» 2017.

По сравнению с устаревающей технологией GDDR5, процессы GDDR6 и HBM2 станут более дорогими. Компания не стала сообщать точных сумм, но отметила, что клиенты будут платить в 2,5 раза больше, чем за первое поколение HBM. Конечно, это неполная информация, так что сравнение получилось очень приблизительным.

Таким образом, южнокорейская Samsung является единственным производителем памяти HBM2 в мире. Возможно, поэтому AMD так сильно задержала выпуск видеокарт Radeon RX Vega.

Также компания анонсировала доступность памяти HBM2. Вероятно, поэтому AMD до сих пор не могла выпустить видеокарты Vega. Если же AMD воспользуется памятью HBM2 от SK Hynix, то скорость работы памяти составит 410 ГБ/с при комплектации двумя стеками.

Что касается GDDR6, то эта память будет готова в последней четверти года. Данную память намного легче интегрировать в видеоплаты, поэтому она обладает большим, чем HBM2, потенциалом. Чипы GDDR6 объёмом 8 Гб будут представлены в двух вариантах. Быстрая версия предложить скорость в 14 Гб/с, а медленная — 12 Гб/с. Это означает, что пропускная способность памяти достигнет 672 ГБ/с при ширине шины 384 бита и 448 ГБ/с при шине 256 бит. Для сравнения, в видеоплате GeForce GTX 1080 (Ti) память работает со скоростью 11 Гб/с.

Несмотря на то, что HBM2 и может обеспечить более высокую пропускную способность, она весьма дорога в производстве. К примеру, NVIDIA решила использовать в картах верхнего ценового диапазона память GDDR5X, на смену которой уже в следующем году придёт GDDR6.

Память нового типа будет иметь объём в 16 Гб (2 ГБ) на микросхему. Таким образом, восемь микросхем памяти обеспечат набор в 16 ГБ VRAM.

Современная память GDDR5 обеспечивает пропускную способность на уровне 8 Гб/с, новая топовая память GDDR5X обеспечивает скорость в 11—12 Гб/с, в то время как GDDR6 предложит 16 Гб/с (при 16 ГГц эффективной частоты).

Если рассмотреть для примера GeForce GTX 1070, то память GDDR6 позволит удвоить пропускную способность памяти, увеличив её с 256 ГБ/с до 512 ГБ/с. Кроме того, память GDDR6 более энергоэффективна, чем HBM, однако ей предстоит серьёзная конкуренция со стороны HBM, которую предпочла AMD для своих будущих продуктов Vega, а также NVIDIA для своих топовых решений.

В ходе анонса фирма сообщила, что модули будут предназначены для «грядущих графических карт хай-энд класса». Учитывая, что AMD Vega будет работать с памятью HBM2, то память GDDR6 предполагается к использованию в платах NVIDIA Volta. Компания отметила, что собирается наладить массовое производство чипов GDDR6 как раз к моменту выпуска новых видеокарт — в начале 2018 года.

В настоящее время JEDEC по-прежнему не завершила стандарт GDDR6, однако по предварительным данным эта память получит вдвое большую скорость, чем GDDR5, при 10% снижении энергопотреблении. Учитывая обещанную скорость в 768 ГБ/с, память GDDR6 от SK Hynix окажется быстрее как GDDR5, так и GDDR5X.

В связи с совершенствованием технологии производства и снижением цены на память типа GDDR5X и GDDR5, компания разрешила использовать более быстрые чипы памяти в видеокартах GTX 1080 и GTX 1060 6 GB. Новые микросхемы памяти GDDR5X обеспечат скорость в 11 Гб/с, а чипы GDDR5 получат скорость 9 Гб/с, что на 1 Гб/с быстрее, чем в используемой сейчас памяти.

Ускорители с более быстрой памятью будут продаваться производственными партнёрами в качестве разогнанных моделей, поэтому NVIDIA не будет вносить изменений в официальную спецификацию плат. В то же время производители получат больше свободы в выборе скорости работы модулей памяти, предлагая различные улучшенные возможности разгона. Как известно, GTX 1080, оборудованная 10 Гб/с памятью, обладает скудными возможностями оверклокинга памяти.