Samsung Electronics выпускает память GDDR6 со скоростью 24 Гб/с
Компания Samsung Electronics, лидер в области технологий памяти, анонсировала 16 гигабитные модули памяти GDDR6, которая обеспечивает скорость передачи данных до 24 Гб/с.
Память относится к 10 нм классу (процесс 1z). Для её производства используется экстремальная ультрафиолетовая литография, а сами микросхемы, очевидно, предназначены для использования в видеокартах нового поколения, ноутбуках, консолях и системах HPC.
Микросхемы разрабатывались с новой конструкцией и с использованием совершенных изоляционных материалов (High-K Metal Gate; HKMG), которые минимизируют ток утечки. Благодаря этому компания создала память, на 30% более быструю, по сравнению с нынешними 16 Гб/с модулями. В видеокартах премиального уровня такая память обеспечит общую пропускную способность в 1,1 ТБ/с. При этом микросхемы созданы в соответствии со спецификациями JEDEC, что означает полную совместимость со всеми конструкциями GPU.
Также новая линейка памяти имеет маломощную опцию, что позволит продлить срок автономной работы мобильных устройств. Подобные микросхемы обладают на 20% большей эффективностью и питаются напряжением 1,1 В, что на 0,25 В меньше, чем по стандарту для GDDR6.