Новости по теме «Toshiba готовит гибридный винчестер к сентябрю»

Эта технология включает применение твердотельной памяти в механических магнитных жёстких дисках, что, по сути, является реинкарнацией технологии SSHD.

Однако OptiNAND имеет заметные отличия от SSHD. В новом подходе память NAND больше не рассматривается как отдельное устройство хранения, она интегрируется в HDD особым образом со специальным алгоритмом прошивки, позволяя создавать ёмкие высокопроизводительные устройства объёмом более 20 ТБ.

Компания опубликовала большой документ, в котором рассказала принцип действия новых гибридных HDD. Суть технологии заключается в сохранении в NAND-памяти метаданных накопителя.

По словам разработчиков «HDD генерирует гигабайты метаданных, которые можно использования для увеличения плотности хранения». Эти данные быстро разрастаются и становятся слишком большими для хранения в ОЗУ, а доступ к ним с HDD оказывается слишком медленным. Решением стала встроенная память iNAND со специальной прошивкой. Метаданные используются жёсткими дисками для увеличения плотности записываемых данных при применении трёхэтапного срабатывания.

Каков будет объём памяти в будущих HDD компании пока не сообщается, однако компания отметила, что OptiNAND будет хранить в 50 раз больше данных, чем предыдущие HDD, в случае потери питания. Также накопитель может работать в режиме SLC или TLC, в зависимости от типа текущей нагрузки.

Конечно, все эти сведения лишь слухи, но они довольно интересны. Итак, первый слух сообщает, что WD хочет в своих гибридных винчестерах использовать RAM, вместо флэш-памяти. Скорее всего, это будет память DDR3 SDRAM, возможно LP-DDR3 с функцией записи данных с питанием от конденсаторной батареи.

Подобная конструкция гибрида несомненно резко увеличит скорость работы HDD, поскольку ОЗУ намного быстрее твердотельной памяти. Безусловно, скорость работы будет ограничена интерфейсом, который сейчас составляет для SATA 6 Гб/с теоретическим пределом 600 МБ/с, либо 1600 МБ/с в интерфейсе SATA 16 Гб/с, когда он всё же будет запущен.

Также скорость работы диска будет завесеть и от объёма используемой ОЗУ. Чем больше объём памяти — тем быстрее будет работать гибрид, но в то же время тем выше будет его цена и тем дольше будет осуществляться резервное копирование данных после отключения питания, а значит, потребуются батареи большей ёмкости.

Вторая идея, посетившая инженеров WD, это использование встроенного антивируса. Так, по слухам, будущие портативные жёсткие диски могут поставляться с интегрированным антивирусным ПО. Это может быть аппаратный сканер, использующий эвристический анализ, или программное решение, устанавливаемое при первом использовании диска.

Третье решение касается гарантии производителя на восстановление данных. Безусловно, что одной из важнейших проблем при выходе из строя накопителя является потеря данных, на нём содержащихся, и если для рядовых пользователей это не сильно большая проблема, то для бизнеса такая потеря может оказаться фатальной. Поэтому Western Digital может заключить договор с одной или несколькими компаниями, занимающимися восстановлением данных. В результате, купив гарантию на восстановление данных, потребители смогут рассчитывать на бесплатное восстановление информации с вышедших из строя винчестеров в течение гарантийного периода. Конечно, компании будут уверять, что шанс поломки винчестера крайне мал, так что для фирм, занимающихся восстановлением, это вряд ли станет хорошим бизнесом.

Что ж, можно подытожив и сказать, что Western Digital предлагает довольно интересные решения, но как всегда не стоит забывать о том, что это всего лишь слухи.

В Kingston утверждают, что цена NAND памяти за 1 гигабайт упадёт до менее чем 1 доллара — порогового значения, при котором люди активно начнут менять жёсткие диски на твердотельные накопители.

«За снижением удельной стоимости одного гигабайта стоит технологический переход большинства производителей чипов на 19 нм нормы и даже более совершенные техпроцессы»,— отмечает Натан Су (Nathan Su), директор по продажам флеш памяти Kingston APAC. Очевидно, что высокая стоимость чипов и является причиной низкой популярности SSD накопителей.

Кроме того, по причине трудностей в производстве и поставке жестких дисков, вызванных наводнением в Таиланде, аналитики ожидают некоторый рост спроса на SSD, по крайней мере, в устройствах промышленного класса низкой ёмкости.

Су также отметил, что Kingston модернизировал свои SSD продукты, сориентировав их на сегменты начального, среднего и высокого уровня. Начиная с 2011 года, компания сконцентрировалась на выпуске NAND-связанных продуктов, отстранившись от бизнеса оперативной памяти.

Кроме того, Kingston разработали новую линейку продуктов портативных приводов, которые могут использоваться как аксессуар для продуктов потребительского сектора, таких как смартфоны и планшеты.

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

Компания Kioxia, в сотрудничестве со своим производственным партнёром Western Digital, готовится продемонстрировать свою инновацию в сфере 3D-NAND. Так, будет представлен документ, описывающий 8-плоскоснтные 3D-TLC-NAND устройства объёмом 1 Тб, состоящие из 210-ти активных слоёв и интерфейса 3,2 ГТ/с. Эти устройства обеспечивают задержки чтения в 40 мкс и программную пропускную способность в 205 МБ/с. Метод «один импульс два строба» и декодер гибридной адресации строк облегчает развязку проводников, сокращая в результате время чувствительности и ускоряя передачу данных.

Кроме этого, компании работают над устройствами с более чем тремястами активными слоями, применяя технику индуцированной металлической направленной кристаллизации, с никелевым геттерированием и прочими передовыми подходами. Заявляется, что эти решения позволяют снизить шумы при чтении на 40% и усилить проводимость канала в десять раз не снижая надёжности ячейки.

Благодаря чипам 3D X-DRAM, NEO Semiconductor надеется создать микросхемы памяти объёмом 128 Гб (16 ГБ) при 230 слоях, обеспечив 8-кратный прирост плотности, по сравнению с 2D DRAM чипами. В пресс-релизе компании говорится: «Память 3D X-DRAM от NEO Semiconductor является первой в своём роде структурой подобной 3D-NAND DRAM, основанной на безъёмкостной технологии с плавающим телом. Её можно производить по процессу, подобному современному 3D-NAND с необходимостью изменения лишь одной маски и отверстий линии данных, чтобы формировать ячеестую структуру внутри отверстий. Ячеестая структура упрощает шаги процесса и обеспечивает высокую скорость, плотностью и низкую стоимость при высокой степени выпуска годной продукции».

В будущем же, к 2035 году, разработчики ожидают выпустить чипы DRAM объёмом 1 Тб (256 ГБ). Большие планы, особенно учитывая, что сейчас новые компьютеры редко оснащаются более 16 ГБ памяти. А вот в отрасли машинного обучения, где требуются огромные объёмы ОЗУ, такое решение придётся как нельзя кстати.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

Этот ход ограничит возможности YMTC по приобретению нового оборудования и обслуживания существующего, ограничив дальнейшее развитие технологии памяти 3D-NAND-Flash и сократив объёмы производства.

Со временем позиции YMTC на рынке NAND-Flash будут ослабляться, особенно, если к санкциям присоединятся Япония и Нидерланды, производящие необходимое оборудование. Препятствия для YMTC окажутся огромными. Заменить американское оборудование китайским невозможно. Дополнительно, компании за пределами Китая будут опасаться применять память, произведенную YMTC, не желая попасть под возможные вторичные санкции. Это приведёт к тому, что компания будет выпускать продукцию лишь для внутреннего рынка. При этом аналитики считают, что уже в 2024 году YMTC будет вынуждена покинуть рынок 3D-NAND-Flash из-за невозможности конкурировать.

В ближайшее время YMTC ожидает технологический застой, который может разрушить рыночную долю компании и заставить её изучать новые рынки.

Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.

Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

К счастью, в ближайшие месяцы цена на SSD должна снизиться. Согласно информации TrendForce, на рынке скоро сложится ситуация, которая приведёт к снижению цены.

Во-первых, наблюдается перепроизводство NAND-памяти, и склады производителей заполнены. Во-вторых, потребительский спрос на накопители резко снизился, что приведёт к накоплению на складах готовых изделий, а значит, стремлению производителей от них избавиться, для чего нужно будет снизить цену.

Учитывая эти два фактора аналитики прогнозируют, что к концу текущего квартала цена на SSD снизится (по крайней мере должна) на 8—10%.

По информации Kioxia, из-за недостаточной чистоты компонентов, используемых для производства памяти BiCS 3D-NAND, было остановлено производство на заводах в Йоккаити и Китаками. Эта память широко используется для производства SSD для широкого спектра потребителей. Компания добавила, что надеется на «быстрое восстановление нормальной работоспособности», а объёмы потерь пока только оценочные.

Что касается Western Digital, то она заявила об утрате 6,5 экзабайт, которые стали браком. Сейчас компания также прикладывает усилия по восстановлению работы этих предприятий.

Остановка производства произошла в январе. Учитывая, что уже прошло несколько недель, выпуск продукции может быть прекращён на несколько месяцев. Кроме того, в настоящее время неизвестно, вовремя ли были выявлены загрязнения. Вполне возможно, что часть некачественной продукции уже была отправлена заказчикам, и придётся делать её отзыв.

Всего в мире за прошлый год были выпущены твердотельные накопители суммарным объёмом 207 экзабайт. Потери в 6,5 ЭБ не выглядят на этом фоне чем-то гигантским, но тем не менее, аналитики ожидают подорожания флэш-памяти на 5—10%.

Предприятие Технодинамика, входящее в корпорацию, разработало специализированный USB-флеш-накопитель, который построен на вполне традиционной NAND-памяти и типичном контроллере. Однако он имеет батарею и электрический детонатор, который можно использовать для разрушения содержимого накопителя. Процесс выполняется нажатием одной кнопки на краю накопителя, которая активирует детонатор и «выжигает цепь печатной платы кумулятивным зарядом».

Разработчики сообщают, что процесс безопасен для пользователей. Несмотря на громкое название «детонатор», взрыва не происходит. Во флешке нет опасных веществ. Корпус остаётся нетронутым. В общем, всё произойдёт предельно тихо, а не как в фильмах про шпионов.

Игорь Насенков, исполнительный директор Технодинамики, сообщил, что эта флешка создана для защиты информации от возможного несанкционированного доступа. Пока разработка находится на этапе тестирования и её ждёт ещё множество проверок на надёжность при длительной работе, механическую и климатическую стойкость. Также разработчикам ещё нужно определиться с конструкцией корпуса.

Конечно, большинству пользователей вполне достаточно того встроенного шифрования AES-256, что предлагают современные безопасные накопители. Но наверняка каждый сможет представить отрасли, где кроме шифрования нужно применять и дополнительные меры, включая физическое уничтожение данных вместе с носителем.

Такая сделка станет первым (и возможно последним) крупным рыночным изменением для Kioxia после её ухода из Toshiba Corporation в качестве отдельного бизнеса по выпуску флеш-памяти. Если сделка состоится, то мы получим мегакомпанию, которая включает три крупнейших производителя памяти: Kioxia, Western Digital и SanDisk. При этом первая и последняя компании в списке смогут выпускать передовые и быстрые решения на основе флеш-памяти, в то время как WD обеспечит рынок «тёплыми» и «холодными» хранилищами, то есть, жёсткими дисками.

Технология 5G должна резко увеличить объёмы передаваемых данных, а новый транстихоокеанский консорциум сможет их разместить.

Пока Kioxia отказывается комментировать эту информацию. Компания готовится к размещению акций на бирже, и они будут включать долю Toshiba и Bain Capital. В то же время, на фоне слухов, акции Western Digital поползли вверх. Сумма сделки оценивается в 20 миллиардов долларов.

Этот стартап уверяет, что разработал технологию, которая позволит сделать плотные чипы NAND более жизнеспособными. Она позволит получить ценовое преимущество QLC-NAND с пропускной способностью, сравнимой или опережающей SLC-NAND. Более того, архитектура X-NAND, как её назвали разработчики, не требует переработки конструкции ячеек и массивов или технологии производства.

Суть технологии заключается в том, что архитектура X-NAND разделяет 3D-flash-память на 16—64 плоскостей, вместо традиционных 4-х плоскостей. «Это обеспечивает сверхвысокую производительность для устройств 5G и AI с нулевым приростом стоимости производства».

Более подробно ознакомиться с технологией X-NAND можно на сайте разработчиков.

В настоящее время Neo хочет лицензировать технологию X-NAND главным игрокам рынка, таким как WD, Samsung, Micron или Kioxia. Однако пока нет признаков того, что фирмы из этой четвёрки проявили интерес.

Новые сведения были оглашены в ходе Мировой технологической конференции. На ней технологический и стратегический глава Western Digital Сива Сиварам заявил: «Я ожидаю, что переход от QLC к PLC будет медленнее. Возможно, что во второй половине декады мы увидим, как некоторые сегменты начнут переход на 5 бит на ячейку».

Переход на PLC станет очередным шагом по уплотнению NAND-памяти, при которой каждая ячейка памяти может содержать до пяти бит информации. Для достижения этого ячейка должна хранить одно из 32-х состояний напряжения, что требует дополнительной сложной работы с контроллерами. Сиварам отметил, что технологии потребуется дополнительное время для разработки контроллеров, которые смогут применять преимущества PLC-памяти, минимизируя снижение надёжности и скорости работы.

PLC-память не сможет обеспечить плотность, такую же как дают HDD, а позволит лишь на 25% увеличить объём хранимых данных. Однако это очень важный прирост, ведь он будет объединён с ростом слоёв памяти в стеке.

В пресс-релизе компания отметила, что она «продолжает демонстрировать своё лидерство в сегменте памяти UFS, представив самый тонкий в мире пакет устройства UFS объёмом 1 ТБ». Старший директор по управлению продуктами флэш-памяти Kioxia America Скотт Бикмэн заявил: «По мере нашего движения к большим плотностями и растущей производительности мы обеспечиваем следующее поколение смартфонов и мобильных устройств и продолжаем расширять их функционал и возможности».

Новые пакеты памяти предназначены для мобильных устройств. Они построены на памяти типа BiCS FLASH 3D. Толщина пакета составляет всего 1,1 мм, что является минимальным размером для модуля объёмом 1 ТБ. По словам Kioxia, модули UFS 3.1 обеспечивают скорость последовательного чтения в 2050 МБ/с, а записи — 1200 МБ/с.

Когда начнётся массовое производство и когда эти модули появятся в мобильных устройствах пока не сообщается.

Новая 176-слойная память является эволюционным этапом развития нынешней 96-слойной памяти. В ней применены такие новые технологии, как Charge Trap Flash (CTF) и Periphery Under Cell (PUC). Память названа четырёхмерной, поскольку разработчики разместили структуры управления ячейками под стеком 3D-NAND, что уменьшило размер кристалла и снизило себестоимость производства. С новыми 176-слойными микросхемами SK Hynix достигла «лучшего в индустрии числа чипов на блин».

По сравнению с прошлым поколением, новая память обеспечивает 20% прироста в скорости чтения ячейки и 33% прирост в скорости передачи данных, что означает увеличение скорости с 1,2 Гб/с до 1,6 Гб/с.

Также компания SK Hynix отметила, что готовится к производству чипов объёмом 1 Тб, что позволит создавать накопители неимоверной плотности.

В середине следующего года компания готовится выпустить мобильные продукты, которые обеспечат 70% прирост в максимальной скорости чтения и 35% прирост в скорости записи.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Компания отмечает, что переход на 176-слойную память является радикальным прорывом, который обеспечит резкий рост производительности в широком спектре устройств для ЦОД, искусственного интеллекта и мобильного сегмента.

В компании отметили, что новая память предлагает на 40% больше, чем у ближайших конкурентов, а благодаря архитектуре КМОП-под-массивом, новая технология компании обеспечивает лидерство по стоимости.

По сравнению с прошлым поколением, 176-слойная память NAND от Micron обеспечивает меньшие задержки при чтении и записи более чем на 35%. При этом размер ядра на 30% меньше, чем у лучших конкурентных предложений.

Пятое поколение Micron 3D-NAND обеспечивает скорость передачи данных в 1600 МТ/с по интерфейсу Open NAND Flash Interface, что на 33% лучше, чем раньше. Это означает более быструю загрузку системы и работу приложений. А для автомобильных систем это означает практически мгновенную реакцию, сразу после включения двигателя.

Для упрощения разработки прошивки новая память компании обеспечивает однопоточный программируемый алгоритм, обеспечив более простую интеграцию и процесс выхода на рынок.

Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.

Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.

Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.

И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.

Samsung Electronics разрабатывает 7-е поколение V-NAND, состоящее из 160 слоёв или даже больше. Для этого прорыва южнокорейский гигант планирует использовать технологию «двойного стека». Она предполагает открытие дырок в два различные периода времени, чтобы электрический ток мог пройти по цепи. Сейчас компания использует технологию «одинарного стека», увеличивая число слоёв.

Память NAND, состоящая из 160 слоёв, станет первой в индустрии. Переход на такую память позволит резко увеличить объём SSD без увеличения количества применяемых микросхем.

Новый продукт получил название X2-6070 и построен на технологии создания стэков YMTC XTracking 2.0. Это большой прорыв для компании, поскольку предшествующая технология XTracking 1.0, позволяющая выпускать 64-слойную память, поступила в массовое производство лишь в прошлом сентябре, в то время, когда лидеры рынка Samsung, SK Hynix, и Micron перешли на 96-слойный процесс. Анонс 128-слойной конструкции гиганты сделали ещё в июне 2019. Что касается YMTC, то она вовсе отказалась от переходного этапа в 96 слоёв, сократив технологическое отставание от лидеров до 10 месяцев.

Грейс Гон, старший вице-президент YMTC, сообщила: «Эти продукты вначале будут применяться в твердотельных накопителях потребительского уровня, и несомненно окажутся расширены до серверов промышленного класса и центров обработки данных, что позволит диверсифицировать нужды в накопителях в эпоху 5G и ИИ».