Новости про Samsung и оперативная память

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

«С запуском новых высокоплотных модулей DDR4, Samsung вышла на путь тесной технической кооперации с ключевыми производителями CPU и серверов для разработки зелёных IT систем следующего поколения»,— заявил вице-президент Samsung Electronics по продажам памяти и маркетингу Ванхун Хон (Wanhoon Hong). «Кроме того Samsungбудет агрессивно продвигаться на рынок премиум памяти для профессиональных систем, включая корпоративные серверные системы и обслуживание конкурентных систем для продуктов SamsungGreenMemory при продолжении работы над введением в будущем DDR4 DRAM 20 нанометрового класса».

Используя технологию 30 нм класса, Samsung изготовили 8 ГБ и 16 ГБ модули памяти DDR4. Эти модули обеспечат максимальную плотность и производительность для корпоративных серверов премиум класса. Напомним, что память DDR4 30 нм производственного класса компания Samsung представила на 2 ГБ модулях в декабре 2010 года.

Компания утверждает, что тесно сотрудничает со своими клиентами, включая OEM производителей серверов, а также с фирмами, работающими на рынке CPU и контроллеров. Целью этого сотрудничества является расширение рынка модулей DDR4 после начала их массового производства в следующем году. После перехода в будущем году на 20 нм класс, компания обещает выпустить на рынок модули памяти ещё большей плотности, объёмом в 32 ГБ.

Компания имеет планы по повышению контрактной цены на модули DDR3 объёмом 4 ГБ к концу нынешнего года до 25—27 долларов США. При этом ряд рыночных обозревателей не считают мировую экономическую ситуацию подходящей для такого шага.

В настоящее время, со второй половины января, наблюдается умеренный рост цены на DRAM модули, однако он начал заметно замедляться к концу мая. Сейчас модуль памяти DDR3 объёмом 4 ГБ стоит на оптовом рынке 21,5 доллара.

Поставщики чипов по-прежнему ведут переговоры со своими OEM клиентами по поводу январских квот, что должно сохранить цены или позволит им вырасти крайне незначительно. Спрос на конечном рынке продолжает слегка обескураживать OEM поставщиков ПК своим уверенным повышением.

Несмотря на это, производители ПК придерживаются традиционных оценок спроса на ПК в третьем квартале. Некоторые из них, например Hewlett-Packard, даже уменьшили заказы на чипы памяти.

Промышленные источники полагают, что цены на оперативную память во втором полугодии будут, наиболее вероятно, расти постепенно, без всплесков стоимости.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.

Рид Салливан (Reid Sullivan), старший вице-президент по маркетингу мобильных развлечений компании Samsung, сообщил, что их техпроцесс 30 нм класса позволил создать невероятно сложную комбинацию низкого энергопотребления DDR3 с повышенной пропускной способностью памяти в 1,6 Гб/с.

Новые модули памяти Samsung появятся в продаже в двух вариантах: с объемом в 2 ГБ и в 4 ГБ, в конфигурациях UDIMM для домашних ПК и SODIMM, для ноутбуков. Эти модули обратно совместимы с более старыми системами и могут поставляться в упаковках по две штуки.

Салливан также заявил, что их память имеет энергопотребление на 2/3 ниже, чем память, произведенная по технологическому стандарту 60 нм. При этом новые модули имеют на 20% большую пропускную способность, чем старые, 40 нм DDR3 чипы Samsung.

Цена на новые модули памяти, с микросхемами 30 нм класса, составит от 30 до 55 долларов за один модуль, и от 55 до 110 долларов при покупке упаковки с двумя планками памяти.

Samsung Semiconductor объявило о завершении разработки модулей памяти стандарта DDR4 и начале опытного производства соответствующих микросхем памяти по 30 нм технологическому процессу. Разработка памяти стандарта DDR4 началась еще в 2008 года, а появление на рынке ожидается лишь в 2012 году, но уже сейчас компания начала предоставлять модули ёмкостью 2 Гб разработчикам контроллеров для тестирования. Модули DDR4 предоставят скорость обмена 2,133 Гбит/с (эффективная полоса пропускания 17,064 Гб/с на модуль) при напряжении питания 1,2 В, с перспективой достижения в будущем скоростей обмена до 3,2 Гбит/с. Представленные на изображении модули имеют маркировку PC4-14300E, что означает эффективную полосу пропускания в 14,3 Гб/с, и, судя по числу микросхем и индексу E, поддерживают ECC и предназначены для серверов.

Главным преимуществом новой памяти в Samsung считают снижение энергопотребления в сравнении с текущими модулями DDR-3. В ноутбуках компания ожидает уменьшения вклада оперативной памяти в разрядку батарей на 40 %, как благодаря общему снижению напряжения, так и благодаря применению технологии терминации линий шины Pseudo Open Drain, уже хорошо зарекомендовавшей себя в памяти GDDR для графических применений.

Стандартизация DDR4 в консорциуме JEDEC должна произойти во второй половине этого года, так что к концу года память DDR4 уже может выйти на серверный рынок.

30-нм чипы DDR3 объёмом 2 Гбит уменьшают энергопотребление на 30 % по сравнению с 50-нм решениями. 4-Гб модуль памяти для ноутбуков, созданный из таких чипов будет потреблять лишь 3 Вт, что составляет примерно 3 % от всей используемой в среднем ноутбуке энергии.

Благодаря уменьшению площади, 30-нм чипы также позволяют увеличить продуктивность на 60 % по сравнению с 40-нм чипами того же объёма, поэтому их выпуск гораздо более выгоден, чем производство по 50-нм или 60-нм технологиям.

Поставки чипов DDR3 недостаточны из-за того, что спрос увеличивается быстрее, чем предполагалось, сообщает господин Квон, поэтому Samsung значительно наращивает производство. Сейчас компания переводит выпуск чипов на 40-нм нормы: этот техпроцесс будет в следующем году основным.

Главным направлением деятельности Samsung сейчас является увеличение ёмкости чипов благодаря переводу существующих фабрик на более совершенные процессы производства. Поэтому строительство новых фабрик сейчас не является необходимостью для компании.

Господин Квон также отмечает, что в ноябре цены на оперативную память снова должны вернуться к «нормальному уровню».