Новости про DDR3, Samsung и оперативная память

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

Компания имеет планы по повышению контрактной цены на модули DDR3 объёмом 4 ГБ к концу нынешнего года до 25—27 долларов США. При этом ряд рыночных обозревателей не считают мировую экономическую ситуацию подходящей для такого шага.

В настоящее время, со второй половины января, наблюдается умеренный рост цены на DRAM модули, однако он начал заметно замедляться к концу мая. Сейчас модуль памяти DDR3 объёмом 4 ГБ стоит на оптовом рынке 21,5 доллара.

Поставщики чипов по-прежнему ведут переговоры со своими OEM клиентами по поводу январских квот, что должно сохранить цены или позволит им вырасти крайне незначительно. Спрос на конечном рынке продолжает слегка обескураживать OEM поставщиков ПК своим уверенным повышением.

Несмотря на это, производители ПК придерживаются традиционных оценок спроса на ПК в третьем квартале. Некоторые из них, например Hewlett-Packard, даже уменьшили заказы на чипы памяти.

Промышленные источники полагают, что цены на оперативную память во втором полугодии будут, наиболее вероятно, расти постепенно, без всплесков стоимости.

Рид Салливан (Reid Sullivan), старший вице-президент по маркетингу мобильных развлечений компании Samsung, сообщил, что их техпроцесс 30 нм класса позволил создать невероятно сложную комбинацию низкого энергопотребления DDR3 с повышенной пропускной способностью памяти в 1,6 Гб/с.

Новые модули памяти Samsung появятся в продаже в двух вариантах: с объемом в 2 ГБ и в 4 ГБ, в конфигурациях UDIMM для домашних ПК и SODIMM, для ноутбуков. Эти модули обратно совместимы с более старыми системами и могут поставляться в упаковках по две штуки.

Салливан также заявил, что их память имеет энергопотребление на 2/3 ниже, чем память, произведенная по технологическому стандарту 60 нм. При этом новые модули имеют на 20% большую пропускную способность, чем старые, 40 нм DDR3 чипы Samsung.

Цена на новые модули памяти, с микросхемами 30 нм класса, составит от 30 до 55 долларов за один модуль, и от 55 до 110 долларов при покупке упаковки с двумя планками памяти.

Поставки чипов DDR3 недостаточны из-за того, что спрос увеличивается быстрее, чем предполагалось, сообщает господин Квон, поэтому Samsung значительно наращивает производство. Сейчас компания переводит выпуск чипов на 40-нм нормы: этот техпроцесс будет в следующем году основным.

Главным направлением деятельности Samsung сейчас является увеличение ёмкости чипов благодаря переводу существующих фабрик на более совершенные процессы производства. Поэтому строительство новых фабрик сейчас не является необходимостью для компании.

Господин Квон также отмечает, что в ноябре цены на оперативную память снова должны вернуться к «нормальному уровню».