Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4
Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.
Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.
По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.
Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.