Новости про Hynix, Samsung и оперативная память

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

Оперативная память Samsung
Оперативная память Samsung

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Samsung, SK Hynix и Micron обвиняются в сговоре

В течение 2017 года мы наблюдали рост цен на чипы оперативной и NAND. Каждый раз обозреватели говорили о растущем спросе и дефиците, ведущему к подорожанию, однако люди всё равно продолжали приобретать память.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

Микросхема памяти Micron

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

Цена на DRAM может упасть на 40%

Производители оперативной памяти, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, после перехода на более тонкие техпроцессы производства, смогли увеличить ёмкости пластин, а значит, и объёмы выпуска, что по мнению президента Пеи Ин Ли Nanya Technology, тайваньского производителя памяти, может повлечь снижение цены во втором полугодии.

Ли отметил, что со стороны крупных производителей ОЗУ начнётся ценовой прессинг, который расширится и на остальные рынки памяти, включая память для мобильных устройств, серверов и бытовых гаджетов. При этом компания считает, что амплитуда удешевления не будет столь экстремальной, какой она была в первом квартале.

Память Samsung

Во втором полугодии господин Ли ожидает, что спрос на чипы DRAM будет выше, чем в первом, однако условия рынка будут менее понятными, а цена будет зависеть от того, насколько быстро Samsung, Hynix и Micron нарастят мощности.

Он отмечает, что возможно падение цены на 20—30%, однако если производство быстро наберёт обороты, можно ожидать снижения цены на 25—40%. При этом Ли отметил, что в прошлом году цена на DRAM снизилась на 20—30%.

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Samsung DDR3

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Мировое перепроизводство DRAM уменьшится до 13%

В настоящее время перепроизводство чипов оперативной памяти составляет 17% от текущих потребностей. Однако в следующем году ситуация немного улучшиться. Так, по мнению Тайваньских производителей чипов, перепроизводство в первой половине 2012 года составит 13%.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

SDRAM

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.