Новости про Samsung, оперативная память и производство

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Южнокорейская компания сократит производство ОЗУ на 30%. В связи с этим снижением выпуска аналитики ожидают рост цены, который произойдёт уже в августе или сентябре.

Новые смартфоны iPhone будут включать 2 ГБ памяти LPDDR4 вместо 1 ГБ в прошлых моделях, что означает резкое увеличение количество приобретаемой памяти, по сравнению с прошлыми годами. Чтобы гарантировать себе достаточное количество микросхем памяти, Apple решила приобретать её не только у Samsung, но и у SK Hynix и Micron.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.