Памяти стандарта DDR4 ещё предстоит стать основой обычных ПК, однако Samsung Electronics уже заботится о своём будущем, для чего снижает стоимость чипов. Этот подход позволит компании захватить больше рынка ОЗУ и повлечёт дальнейшее удешевление чипов.
Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.
Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.
По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.
Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.
Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.
Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.
Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.
В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.
Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.
Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.
Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.
Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.
Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».
Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».
То, что компания Samsung работала над созданием микросхем памяти типа A-die, не является секретом. В связи с этим обозреватели ожидают дальнейшего удешевления памяти.
Сейчас южнокорейский гигант планирует разместить новые чипы DDR4, изготовленные по 10 нм нормам, в потребительских модулях. В Сети даже появились номера моделей этих модулей, M378A4G43AB2-CVF. Именно они и получат микросхемы типа A-die.
Микросхемы B-die от Samsung считаются лучшими. Их предпочитают все оверклокеры, однако в настоящее время они сняты с производства, и постепенно им на смену будут приходить модули с микросхемами A-dies, которые основаны на более тонком 10 нм процессе. Переход на более тонкие технологии позволяет уплотнить память, разместить большее количество микросхем на одной пластине, а потому снизить себестоимость.
Представленная пара модулей имеет объём 32 ГБ, с 8 чипами на модуль. Однако у этих приятный изменений есть и ложка дёгтя. Дело в том, что из-за незрелости технологии пришлось снизить частоты работы памяти. Данный набора работает на частоте 2933 МГц, что очень слабо. Но ещё хуже тайминги: CL21-21-21. Этой памяти явно нужны улучшения до CL17 или CL16.
Компания Samsung заявила о завершении разработки 3-го поколения оперативной памяти DDR4 DRAM 10-нанометрового класса, для чего ей не потребовалась экстремальная ультрафиолетовая литография.
Благодаря своим разработкам была выпущена память 1Z нм объёмом 8 Гб. Технология позволила увеличить долю выпуска годной продукции на 20%, по сравнению с прошлым поколением. Массовое производство микросхем начнётся во второй половине 2019 года.
Новая память планируется к использованию в серверах нового поколения и хай-энд компьютерах, выпускаемых в 2020 году. Также технология будет использоваться для производства DRAM памяти других типов, включая DDR5, LPDDR5 и GDDR6.
В компании отмечают, что наладка производства 1Z нм памяти позволит фирме сохранить лидерство на рынке DRAM.
Компания Samsung анонсировала выпуск пакетов памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ, которая предназначена для смартфонов нового поколения. Таким образом, южнокорейский гигант создал самый ёмкий пакет, который будет использоваться с 512 ГБ eUFS хранилищем.
В новом чипе компания упаковала шесть отдельных 1Y-нм ядер объёмом 16 Гб. Толщина полученного пакета составляет 1,1 мм, а пропускная способность — 34,1 ГБ/с. Хотя компания сообщила, что чип будет использоваться в новых флагманских смартфонах, пока она не назвала ни одной модели.
Новая микросхема выпущена вслед за аналогичным LPDDR4X решением объёмом 8 ГБ, в котором упакованы те же 16 Гб ядра, изготовленные по 1y нм процессу. Увеличение объёма ОЗУ компания связывает с возросшим спросом на такую память.
В любом случае, этим модулям компания уже готовит замену. Так, у Samsung уже есть образцы 8 ГБ пакетов LPDDR5, которые построены на ядрах объёмом 8 Гб, но пока у фирмы нет точных сроков её выпуска.
Похоже, что в скором будущем мы увидим смартфоны, оснащённые 8 ГБ оперативной памяти, поскольку компания Samsung приступила к выпуску 8 ГБ модулей оперативной памяти в крошечном пакете.
В представленных модулях использована память типа LPDDR4, изготавливаемая по 10 нм технологии. Распространение 64-битной архитектуры в SoC для смартфонов позволило устанавливать в портативные устройства больше 4 ГБ ОЗУ, однако многие производители, включая Samsung, пока не заинтересованы в этом. Выпустив же 8 ГБ модули стоит ожидать, что южнокорейские флагманы будущего года могут получить целых 8 ГБ ОЗУ.
Память LPDDR4 сейчас является самой быстрой среди всей памяти с низким энергопотреблением. По словам Samsung, представленная ею RAM находится в том же классе, что и память для ПК, только работает на частоте вдвое большей, которая составляет 4266 МГц.
Благодаря 10 нм техпроцессу удалось создать модули размером 15х15х1 мм. Столь малая толщина также позволяет размещать их поверх других чипов.
Пока цель использования этих модулей в смартфонах не совсем понятна, однако в планшетах и производительных устройствах 2-в-1 она может прийтись кстати.
Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.
По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.
Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.
Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.
Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.
Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.
Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.
В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.
Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.
Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.
Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.
Компания Samsung анонсировала начало производства 4-гигабитной DDR3 памяти по 20 нм техпроцессу. Это заявление стало частью дальнейшего ряда обновлений, после того, как эти чипы были впервые представлены общественности ещё год назад.
Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.
Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.
Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.
Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в разработке технологий памяти, заявила, что начала изготавливать первые образцы модулей памяти DDR4 объёмом 16 ГБ, разработанной для применения в серверах.
«С запуском новых высокоплотных модулей DDR4, Samsung вышла на путь тесной технической кооперации с ключевыми производителями CPU и серверов для разработки зелёных IT систем следующего поколения»,— заявил вице-президент Samsung Electronics по продажам памяти и маркетингу Ванхун Хон (Wanhoon Hong). «Кроме того Samsungбудет агрессивно продвигаться на рынок премиум памяти для профессиональных систем, включая корпоративные серверные системы и обслуживание конкурентных систем для продуктов SamsungGreenMemory при продолжении работы над введением в будущем DDR4 DRAM 20 нанометрового класса».
Используя технологию 30 нм класса, Samsung изготовили 8 ГБ и 16 ГБ модули памяти DDR4. Эти модули обеспечат максимальную плотность и производительность для корпоративных серверов премиум класса. Напомним, что память DDR4 30 нм производственного класса компания Samsung представила на 2 ГБ модулях в декабре 2010 года.
Компания утверждает, что тесно сотрудничает со своими клиентами, включая OEM производителей серверов, а также с фирмами, работающими на рынке CPU и контроллеров. Целью этого сотрудничества является расширение рынка модулей DDR4 после начала их массового производства в следующем году. После перехода в будущем году на 20 нм класс, компания обещает выпустить на рынок модули памяти ещё большей плотности, объёмом в 32 ГБ.
Следующее поколение оперативной памяти уже проходит тестирование.
Samsung Semiconductor объявило о завершении разработки модулей памяти стандарта DDR4 и начале опытного производства соответствующих микросхем памяти по 30 нм технологическому процессу. Разработка памяти стандарта DDR4 началась еще в 2008 года, а появление на рынке ожидается лишь в 2012 году, но уже сейчас компания начала предоставлять модули ёмкостью 2 Гб разработчикам контроллеров для тестирования. Модули DDR4 предоставят скорость обмена 2,133 Гбит/с (эффективная полоса пропускания 17,064 Гб/с на модуль) при напряжении питания 1,2 В, с перспективой достижения в будущем скоростей обмена до 3,2 Гбит/с. Представленные на изображении модули имеют маркировку PC4-14300E, что означает эффективную полосу пропускания в 14,3 Гб/с, и, судя по числу микросхем и индексу E, поддерживают ECC и предназначены для серверов.
Главным преимуществом новой памяти в Samsung считают снижение энергопотребления в сравнении с текущими модулями DDR-3. В ноутбуках компания ожидает уменьшения вклада оперативной памяти в разрядку батарей на 40 %, как благодаря общему снижению напряжения, так и благодаря применению технологии терминации линий шины Pseudo Open Drain, уже хорошо зарекомендовавшей себя в памяти GDDR для графических применений.
Стандартизация DDR4 в консорциуме JEDEC должна произойти во второй половине этого года, так что к концу года память DDR4 уже может выйти на серверный рынок.
Компания Samsung объявила о создании модулей оперативной памяти Low Power Compression Attached Memory Module (LPCAMM), которые реализовывают память LPDDR5X в меньшем, быстром и более эффективном пакете.
По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.
Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.
Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.
Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.
В 2024 году компания Intel готовит новый сокет, который обеспечит ей новые возможности с новым поколением процессоров.
В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.
Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.
Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.
С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем памяти DDR5 DRAM объёмом 16 Гб на основании наиболее совершенного для индустрии техпроцесса 12 нм класса.
По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.
Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.
Компания Samsung представила новые модули памяти DDR5 объёмом 16 Гб, которые уже прошли сертификацию на совместимость с процессорами AMD Zen.
Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.
Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.
Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.
В скором времени компания Intel выпустит процессоры 13-го поколения Core, которые будут основаны на новых платформах. Топовым чипсетом станет Z790, но даже несмотря на свой статус, этот чипсет будет поддерживать устаревшую память DDR4.
Учитывая скорый релиз новой платформы, производители материнских плат активно занимаются разработками, а потому, иногда происходят утечки сведений. И вот, подобная интересная новость пришла от MSI.
Сайт Videocardz опубликовал сведения, что некоторые, не топовые, модели материнских плат MSI для сокета LGA1700 с чипсетом Z790, будут по-прежнему работать с памятью DDR4. При этом нет сомнений, что приоритетным будет использование памяти DDR5 с максимальной частотой 6800 МГц, и выпуск Alder Lake показал, что этот тип памяти принимается пользователями успешно.
Что касается DDR4, то она будет поддерживаться в максимально возможной конфигурации с частотой 5333 МГц.
Компания Micron объявила о том, что впредь не будет выпускать игровую память высшего класса под маркой Crucial Ballistix. Причины этому остаются неизвестны.
Бренд Crucial Ballistix прекращает своё существование. Компания не имеет планов по дальнейшему выпуску продукции этого типа. Это касается таких брендов как Ballistix, Ballistix Max и Ballistix Max RGB. Компания не стала пояснять причины такого шага, при этом нигде в прессе или собственных сообщениях не шла речь о прекращении выпуска модулей памяти DDR5/DDR4 в принципе. Также компания продолжит работу на своими «NVMe и SSD» накопителями.
Компания одной из первых представила модули стандарта DDR5 для настольных ПК, даже раньше выхода процессоров 12-го поколения Core Alder Lake-S, которые пока единственные на рынке поддерживают эту память. В то же время, Crucial никогда ничего не говорил о серии Ballistix DDR5, а значит, планы по закрытию бренда существовали достаточно давно.
В ходе конференции Samsung Tech Day 2021 технологический гигант рассказал о разработке оперативной памяти будущего, такой как DDR6, LPDDR6 и GDDR7.
Эпоха DDR5 только-только началась, а технологические гиганты уже смотрят в будущее. Спецификация памяти DDR6 ещё не разработана JEDEC, однако корейские гигант уже занят её проектированием. Ожидается, что эта память будет работать с пропускной способностью в 12800 Мб/с, а разогнанные модели смогут выдавать до 17000 Мб/с. Кроме того, в DDR6 количество банков памяти будет увеличено в 4 раза, по сравнению с DDR4, до 64. Первые модули типа DDR6 должны появиться в 2024 году.
В ходе мероприятия компания Samsung также рассказала о 1z нм процессе для производства GDDR6, которую она назвала GDDR6+. Этот новый вариант графической памяти сможет развить скорость от 18000 Мб/с до 24000 Мб/с, что на 33% больше, чем у предшественника. На смену GDDR6+ придёт GDDR7, которая получит защиту от ошибок в реальном времени и максимальную скорость передачи данных до 32000 Мб/с.
Говоря о LPDDR6, компания Samsung особое внимания уделила вопросу энергоэффективности, хотя и скорость также должна возрасти. Компания ожидает повысить эффективность примерно на 20%, а скорость передачи данных возрастёт до 17000 Мб/с.
Наконец, компания рассказала о своих планах по производству памяти HBM3 со скоростью 800 ГБ/с и HBM2E с пропускной способностью 450 ГБ/с. Первые модули типа HBM3 южнокорейский гигант должен выпустить во II квартале 2022 года.
Быстрая память крайне важна для современного ПК. Она обеспечивает не только хранение данных, но и передачу их для выполнения вычислительных задач, а в случае с мобильными устройствами, важной оказывается и энергоэффективность.
И вот, компания Samsung заявила о создании первых в индустрии модулей оперативной памяти LPDDR5X, которая обладает в 1,3 раза большей скоростью, чем LPDDR5, и на 20% меньшим энергопотреблением.
Процессоры M1 в MacBook используют память LPDDR4X со скоростью 4266 Мб/с, а LPDDR5X способна удвоить эту производительность. Память нового типа обеспечивает скорость до 8500 Мб/с. Другим интересным примером может служить компьютер Valve Steam Deck. В нём установлена память LPDDR5, которая работает на скорости 5500 Мб/с. Следующее поколение Steam Deck с памятью LPDDR5X будет работать в полтора раза быстрее.
Спецификация LPDDR5X утверждена как стандарт JEDEC, а значит в будущем мы увидим память этого типа и от других производителей.
Компания Innodisk выпускает модули памяти DDR4, которые могут работать в условиях от -40 °С до +125 °С.
Представленный формат Ultra Temperature расширяет стандартные для промышленности рабочие температуры модулей памяти. Теперь для промышленности открыта дверь к новым решениям, недоступным ранее. Повышенная надёжность подтверждена различными экстремальными тестами. В первую очередь это касается беспилотных автомобилей и авиации, которые работают в тяжёлых условиях.
Серия памяти Ultra Temperature обладает скоростью DDR4-3200 и представлена в версиях SODIMM и ECC SODIMM в объёмах 16 ГБ и 32 ГБ. Память обладает повышенной защитой, а также утолщёнными золотыми контактами в 1,1 мм, против 0,76 мм в обычных модулях. Кроме того, разработчики защитили и усилили хрупкие паянные соединения, сделав их стойкими к термическому и механическому воздействую. Дополнительным защитным уровнем уязвимых деталей стала защита от серы, которая вызывает коррозию серебра.
Память серии Ultra Temperature от Innodisk уже доступна для опытного заказа избранным потребителям.
Компания Samsung объявила о том, что начинает массовое производство микросхем памяти DRAM по самому маленькому техпроцессу в индустрии, 14 нм, с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).
После того, как в марте компания представила первые в промышленности микросхемы памяти, изготовленные с применением EUV, её инженерам удалось увеличить количество слоёв до 5, что делает технологию Samsung самой совершенной в отрасли по производству памяти DDR5.
На фоне продолжающегося уменьшения размеров элементов памяти, переход с традиционного аргон-фторидного процесса к EUV позволяет увеличить точность размещения элементов, повысить производительность и увеличить процент выхода годной продукции. Изготавливая память по 14 нм EUV технологии, Samsung удалось достичь высочайшей плотности данных, увеличив общую скорость производства примерно на 20%. Кроме того, переход на новую технологию позволил на 20% снизить энергопотребление микросхем памяти.
В дополнение, использование в микросхемах памяти DDR5 14 нм процесса Samsung позволило беспрецедентно увеличить скорость передачи данных до 7,2 Гб/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, составляющую 3,2 Гб/с.
Компания Samsung представила модули оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ на базе 8-слойных микросхем TSV со скоростью 7,2 Гб/с.
Южнокорейская фирма будет применять 8-слойные стеки меньшей толщины, чем нынешние 4-слойные пакеты DDR4. Снижение высоты на 40%, вероятно, обеспечивается за счёт сокращения зазоров между слоями, что является большим достижением. Кроме того, эти модули получат и лучшее охлаждение.
Модули DDR5 по 512 ГБ станут огромным рывком для владельцев систем HEDT и серверов, где объём DDR4 ограничен 32 ГБ и 64 ГБ на один сокет DIMM. Это значит, что общий объём ОЗУ не превышает 128 ГБ и 256 ГБ соответственно, в то время как в будущих системах можно будет получить 512 ГБ на одном сокете.
Процессоры Alder Lake-S характеризуются гетерогенной архитектурой. Кроме этого, важным новшеством станет возможность применения памяти DDR5.
Мы знаем, что память этого типа несёт массу преимуществ и хороший прирост в скорости работы. Но насколько этот прирост большой? К счастью, стали известны первые оценки производительности памяти DDR5.
Благодаря тому, что 12-е поколение процессоров Intel содержит контроллеры памяти DDR4 и DDR5, появилась возможность сравнительного тестирования скорости работы памяти обоих типов. В тесте приняли участие модули DDR5-4800 и DDR4-3200, а сам тест проходил в утилитах Userbenchmark и Geekbench. И оказалось, что разница не такая уж и большая.
Так, в одноядерном тесте между DDR5-4800 и DDR4-3200 разницы почти нет. А вот в мультиядерном тесте в одном случае прирост оказался более значительным, хоть и не поразительным.
Если внимательно посмотреть на проведённые тесты, можно найти массу нестыковок, которые снижают точность результатов. Так, для разных тестов использовались разные процессоры Alder Lake-S, а также разные материнские платы. Модули памяти имели разный объём и производились разными компаниями. Так что говорить о точных величинах прироста не приходится. Тем не менее, полученные данные можно рассматривать как некий индикатор, и он явно не сулит ничего фантастического.
Компания Samsung объявила о том, что она занята выпуском микросхем памяти DDR5 объёмом 24 Гб, что позволит на одной планке разместить микросхемы суммарным объёмом 768 ГБ.
Компания уже демонстрировала регистровую память DIMM (RDIMM) объёмом 512 ГБ, где используются стеки в форме 32×16 ГБ, основанные на чипах DRAM 8×16 Гб. Маломощные и качественные сигналы реализованы по технологии Through Silicon Via в 8-уровневых стеках. Однако используя такие же 8-уровневые стеки со слоями по 24 Гб, Samsung в 32 чиповом модуле может достичь объёма 768 ГБ.
В серверных системах с 2 модулями на канал мы можем увидеть 12 ТБ оперативной памяти DDR5. Сейчас серверы с процессорами Xeon Scalable Ice Lake-SP поддерживают лишь 6 ТБ памяти.
Компания отмечает, что планирует выпускать на рынок не только гигантские 768 ГБ модули, но также подготовит и более доступные планки объёмом 96 ГБ, 192 ГБ и 384 ГБ.
Что касается потребительского сегмента DDR5, то тут будут доступны модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, в то время как системы HEDT, без сомнения, будут иметь 128 ГБ ОЗУ и более.
Пока Samsung не сообщает сроки начала продаж новой памяти DDR5.