Samsung начинает массовое производство 10 нм памяти DDR4
Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.
По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.
Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.
Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.
Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.
Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.