В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.
Компания Micron сообщила, что начала массово производить микросхемы DRAM используя новейшую технологию 1α (1-альфа).
Изначально компания использует эту технологию для производства микросхем LPDDR4X и DDR4 объёмом 8 Гб, однако позднее она будет распространена на все остальные чипы DRAM.
При этом в отличие от конкурентов Micron не планирует использовать для этого экстремальную ультрафиолетовую литографию как минимум ещё несколько лет. Однако поскольку компании нужно продолжать увеличивать плотность микросхем и снижать стоимость производства одного бита, ей нужно полагаться на иные инновационные решения. Процесс 1α от Micron обеспечивает на 40% большую плотность и на 15% меньшее энергопотребление, чем 1Z. Кроме того, такая память имеет больший разгонный потенциал. Компания улучшила конструкцию массива и использует новые материалы, включая лучшие проводники, лучшие изоляторы и новую систему обработки, размещения, модификации или избирательного удаления этих материалов.
Сейчас компания уже массово производит 8 Гб микросхемы DDR4 по технологии 1α. Также в этом месяце она начнёт поставки микросхем LPDDR4X. Однако затем она планирует перевести всю продукцию на процесс 1α, включая микросхемы DDR5, HBM2E и GDDR6/GDDR6X.
Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.
Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.
Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.
Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.
Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.
Компания Micron объявила о том, что впредь не будет выпускать игровую память высшего класса под маркой Crucial Ballistix. Причины этому остаются неизвестны.
Бренд Crucial Ballistix прекращает своё существование. Компания не имеет планов по дальнейшему выпуску продукции этого типа. Это касается таких брендов как Ballistix, Ballistix Max и Ballistix Max RGB. Компания не стала пояснять причины такого шага, при этом нигде в прессе или собственных сообщениях не шла речь о прекращении выпуска модулей памяти DDR5/DDR4 в принципе. Также компания продолжит работу на своими «NVMe и SSD» накопителями.
Компания одной из первых представила модули стандарта DDR5 для настольных ПК, даже раньше выхода процессоров 12-го поколения Core Alder Lake-S, которые пока единственные на рынке поддерживают эту память. В то же время, Crucial никогда ничего не говорил о серии Ballistix DDR5, а значит, планы по закрытию бренда существовали достаточно давно.
Компания Micron прогнозирует снижение прибыли до уровня, ниже ожидаемого, и предупреждает, что поставки микросхем памяти на рынок сократятся в ближайшем будущем из-за дефицита остальных комплектующих для ПК.
Эти изменения коснуться в первую очередь Apple, поскольку память Micron ставится на их машины.
Компания Micron производит как микросхемы NAND для хранения данных, так и чипы оперативной памяти DRAM, которые применяются во всех отраслях вычислительной техники. Фирма является одним из крупнейших мировых производителей, и она уверяет, что заметно сократит объёмы производства микросхем обоих типов.
Исполнительный директор компании Санджай Мехрота заявил, что некоторые заказчики на рынке PC скорректировали свои заказы на оперативную память и накопители из-за дефицита других комплектующих, не связанных с памятью. «Мы считаем, что эти корректировки наших PC-клиентов будут по большей части разрешены в ближайшие месяцы», — заявил директор.
Сейчас компания ожидает, что в текущем квартале её прибыль составит 7,65 миллиарда, в то время как аналитики прогнозировали 8,57 миллиардов долларов.
Производство микросхем — рискованный бизнес. Не только из-за короткого цикла модернизации и высокой стоимости оборудования и процессов, но и из-за большой уязвимости.
Сама суть производства микросхем — это тонкий баланс между поставками материалов, почти беспрерывным производством, очисткой, проверкой и тестированием. Производство микросхем может занимать месяцы между началом и выходом годного изделия. Это значит, что любые сбои крайне негативно скажутся на выпускаемой продукции.
По информации DigiTimes на одном из заводов Micron в Тайване произошло отключение электропитания длительностью в 1 час. Это может привести к потерям 10% мировых поставок DRAM, поскольку отключение коснулось всех этапов производства.
Учитывая повышенный интерес к памяти, вызванный пандемией COVID-19, и ростом спроса на продукты, где используется DRAM, игроки рынка теперь ожидают всплеск цен на память, вызванный сбоем на заводе Micron.
Сейчас на рынке памяти наблюдается перепроизводство, как и насколько 10% спад поставок повлияет на цену мы узнаем уже через пару месяцев.
Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.
На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.
Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.
Результаты разгона подтверждены CPU-Z.
Компания Micron объявила о своих достижениях в масштабировании памяти DDR4, достигнув объёма 16 Гб при использовании техпроцесса 1z нм.
Это значит, что кристаллы изготавливаются с размерами элементов от 13 до 10 нанометров. В компании сообщают, что новая память предлагает «заметно большую плотность», а также «значительное увеличение производительности при меньших затратах», по сравнению с поколением 1Y нм. Новая память предназначена для создания продуктов для настольных компьютеров (DDR4), мобильных компьютеров (LPDDR4) и графических продуктов (GDDR6). Также новая память будет использована в системах искусственного интеллекта, беспилотных автомобилях, 5G, мобильных устройствах, графической, игровой и сетевой инфраструктуре и серверах.
В Micron заявили, что 16 Гб чипы DDR4, изготовленные по 1z нм нормам обеспечивают снижение энергопотребления на 40%, по сравнению с продуктами объёмом 8 Гб.
Также компания сообщила о начале массового производства самой ёмкой (LPDDR4X) DRAM в мультичиповых пакетах на основе UFS (uMCP4). Эти пакеты разработаны для производителей мобильных устройств и позволяют обеспечивать смартфоны оперативной памятью до 16 ГБ в одном пакете.
В пятницу мы сообщали о том, что Adata установила новый рекорд разгона ОЗУ, однако он продержался лишь пару дней, поскольку Micron смогла с лёгкостью обойти конкурентов, продемонстрировав производительность 5726 МТ/с.
Рекорд установлен на памяти Ballistix Elite 3600MT/s, игровом бренде компании Micron. Модули DDR4 удалось разогнать до 5726 МТ/с. Это на 79% больше спецификации JEDEC для 3200 МТ/с.
К сожалению, оверклокеры ничего не стали рассказывать о процессе установки рекорда. Отмечено, что задержки CAS были установлены на уровне CL24, как и в большинстве рекордных разгонов. В качестве платформы была выбрана материнская плата ASUS Maximus XI Apex с процессором Intel i7-8086K и охлаждением жидким азотом.
Также оверклокер Savvopoulos отметил, что Elite 3600 позволила установит рекорд очень легко: «Нас просто ошеломило, как удивительно легко было разгонять модули Ballistix Elite DDR4 3600 МТ/с. Другие модули, что мы разгоняли, были темпераменты и требовали тренировки и понижения температуры для повышения стабильности; но мы не ожидали, что Micron E-die намного лучше масштабируется на более высоких напряжениях и температурах. В общем, это было достаточно просто — подключи и работай».
Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.
Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.
Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.
Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.
После того, как компания Intel столкнулась с дефицитом производственных мощностей, аналитики всех мастей ринулись оценивать это изменение на другие отрасли.
В этот раз речь идёт об изменениях на рынке памяти DDR4 и NAND. Отчёт подготовила аналитическая компания DRAMExchange.
Обозревая поставки ноутбуков, компания предсказывает падение рынка на 0,2% в годовом отношении. Это, в свою очередь, приведёт к снижению цен на память DDR4 на 2% в квартальном отношении в связи с перепроизводством. Также трудности с производством у Intel приведут к перепроизводству SSD, которые в четвёртом квартале также подешевеют.
Если всё будет именно так, как предсказывают аналитики, нас ждёт неплохой шанс приобрести к Новому году дополнительную память или накопитель по сниженной цене.
Сайт DigiTimes сообщает, что снижения цен на оперативную память в ближайшее время ждать не придётся, поскольку сохраняется дефицит на общемировом рынке.
Сейчас средняя мировая цена на 4 ГБ модули DDR4 мейнстрим уровня составляет 33 долларов США, а пиковая — 34. По сравнению с IV кварталом 2017 года это выше на 5%.
При этом 20 марта на заводе Micron Memory Taiwan произошёл масштабный сбой в работе газового оборудования. Вышедший из строя компонент газовой станции, находящийся за пределами предприятия, привёл к прекращению подачи азота в цехи. Эта авария повлияла на производственные возможности компании. Система подачи газа уже отремонтирована, а производство восстановлено в первой половине апреля.
Этот факт также приведёт к удорожанию памяти на фоне всевозрастающей её нехватки. По мнению аналитиков, авария на заводе Micron приведёт к дальнейшему росту цены на память во II квартале ещё на 3%.
Производители оперативной памяти, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, после перехода на более тонкие техпроцессы производства, смогли увеличить ёмкости пластин, а значит, и объёмы выпуска, что по мнению президента Пеи Ин Ли Nanya Technology, тайваньского производителя памяти, может повлечь снижение цены во втором полугодии.
Ли отметил, что со стороны крупных производителей ОЗУ начнётся ценовой прессинг, который расширится и на остальные рынки памяти, включая память для мобильных устройств, серверов и бытовых гаджетов. При этом компания считает, что амплитуда удешевления не будет столь экстремальной, какой она была в первом квартале.
Во втором полугодии господин Ли ожидает, что спрос на чипы DRAM будет выше, чем в первом, однако условия рынка будут менее понятными, а цена будет зависеть от того, насколько быстро Samsung, Hynix и Micron нарастят мощности.
Он отмечает, что возможно падение цены на 20—30%, однако если производство быстро наберёт обороты, можно ожидать снижения цены на 25—40%. При этом Ли отметил, что в прошлом году цена на DRAM снизилась на 20—30%.
Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.
В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.
Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.
Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.
Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.
В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.
По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.
Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.
Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.
Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.
Как известно, завод по производству памяти Hynix, расположенный в китайском городе Уси, на прошлой неделе пострадал от взрыва и последовавшего за ним пожара, однако по последним данным, завод может полностью восстановить производство через 2—3 недели.
И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.
Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».
Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.
Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.
В первую очередь хочется надеяться, что в результате инцидента никто не пострадал. По крайней мере первые сообщения ничего не говорят о жертвах.
Сообщается, что на китайском заводе Hynix в Уси произошёл пожар, который стал следствием мощного взрыва химикатов. Уже сейчас цены на память подскочили на 10%.
По информации Kitguru, пострадавший завод выпускал память GDDR5, которая предназначалась для видеокарт NVIDIA, а значит произошедшая катастрофа заметно повлияет на мировые цены на память, а также на продукты, выпускаемые под брендом NVIDIA и наверняка опустошит складские запасы производителей видеокарт.
На территории, где бушевал пожар, Hynix изготавливала 30% от мирового объёма памяти, и теперь она потеряет половину своего производства, а значит, мировое производство чипов памяти снизится на 15%.
Сейчас компания занята выяснением есть ли пострадавшие, а также проводит расследование причин возникновения пожара. Об этом заявил в телефонном интервью Сон Хее Ёоун, представитель Icheon, южнокорейского филиала Hynix. Огонь, вспыхнувший в 15:50 по местному времени в ходе монтажа оборудования был погашен к 17:20, сообщает источник.
Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.
Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.
Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.
Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.
Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».
Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».
Мы все привыкли к низким ценам на оперативную память, что не может не радовать нас, конечных покупателей, но сильно огорчает производителей, доводя их буквально до банкротства.
Но теперь, по мнению аналитиков DigiTimes, цена на DDR3 пойдёт вверх. В попытках создать дефицит производители ОЗУ давно снижают объёмы производства DDR3, переводя мощности на выпуск памяти для серверных систем и растущего мобильного рынка. В начале января 4 ГБ модули DDR3 на контрактном рынке продаются по цене от 17 до 17,5 долларов за штуку.
Однако комбинация различных факторов, включая снижение объемов производства памяти для PC и переход на производство мобильных чипов, к концу января позволила повысить цены на оперативную память на 10%. При этом тенденция роста сохранится и на февраль благодаря усилиям поставщиков, отмечает источник.
Эксперты отмечают, что данный рост цен наконец-то позволит производителям чипов «перекрасить» свои бухгалтерские отчёты из красного в чёрный, поскольку новая цена должна обеспечить прибыльность производства DDR3 в 2013 году.
Доля мобильной ОЗУ в мировом производстве чипов памяти в 2013 году будет расти и составит 30% от общего объёма оперативной памяти, что заметно больше 21% в прошлом году.
Такую информацию распространил ресурс DigiTimes, ссылаясь на промышленные источники.
Эти прогнозы не могут вызывать удивления, поскольку рынок смартфонов и планшетов переживает активный рост, в то время как настольные ПК продаются всё хуже и хуже. Особенно, по мнению источников, за рост потребления мобильных чипов RAM будут отвечать растущие мировые продажи смартфонов, которые, как ожидается, в 2013 году составят более миллиарда устройств. При этом каждый из этих смартфонов получит в среднем от 1 до 2 ГБ памяти.
Такие фирмы как Samsung Electronics и SK Hynix перешли в сектор мобильной памяти намного раньше конкурентов, благодаря чему эти поставщики теперь занимают 70% рынка, отмечает источник.
Сайт Digitimes, ссылаясь на производителей ОЗУ, сообщает, что OEM сборщики ПК имеют на собственных складах трёхмесячный запас DRAM, вызванный слабыми продажами ПК в преддверии выхода Windows 8.
При этом некоторые сборщики, дела у которых идут совсем плохо, уже имеют на своих складах практически полугодовой запас планок оперативной памяти, отмечает источник. Спрос на рынке ПК сейчас весьма слабый, что нехарактерно для третьего квартала, ведь сейчас как раз идёт подготовка к учебному году.
Выход Windows 8 в конце октября, безусловно, несколько улучшит ситуацию, так что OEM сборщики получат возможность использовать свои запасы, разгрузив склады.
Обычно, OEM сборщики ПК перед третьим кварталом пиковых продаж всегда пополняют свои запасы. Свою роль в росте запасов сыграло и банкротство Elpida. Многие OEM сборщики просто побоялись, что компания прекратит производство из-за нехватки средств и не сможет выполнить свои контрактные обязательства по поставкам.
Вместе с ростом запасов, цена на DRAM память в третьем квартале продолжит снижаться, отмечает источник. Лишь в августе контрактная цена на DRAM память упадёт на 10%. На фоне этого некоторые производители памяти продолжили снижение объёмов производства, стараясь искусственно создать дефицит. Сообщается, что Elpida и Rexchip Electronics уменьшили своё производство на 25—30%. Другие гиганты рынка, такие как Samsung Electronics и SK Hynix не снижали производство, а просто перенаправили продукцию не на рынок персональных компьютеров.
Память DDR3 задержалась на наших ПК на довольно продолжительный срок, однако к 2014 году ожидается выход на рынок памяти стандарта DDR4. Но что же это означает для потребителей?
Весной этого года Intel выпускает очередное поколение процессоров Core i-. И мы можем сосчитать, что от начала применения памяти этого типа с процессорами Core 2 Quad до Ivy Bridge прошло 6 поколений CPU. Причём тенденция продолжится ещё минимум два года. Это куда дольше, чем те четыре года, которые просуществовали DDR1 и DDR2.
В любом случае, наследник уже виден на горизонте. Стандарт DDR4 был утверждён и ожидается, что первые образцы памяти этого типа появятся уже через два года. Так что он нам даст?
Введение четвёртого поколения DDR в первую очередь обеспечит значительный рост скорости. Базовый уровень предложит DDR4-2667 и DDR4-3200, а в будущем, в течение полугода после выпуска, появятся DDR4-4000 и 4266. Для снижения задержек первые чипы DDR4 будут иметь целых 16 банков на каждой пластине, таким образом, большее число одновременно открытых страниц должно привести к снижению задержек.
Во вторую очередь новая память обеспечит лучшее энергосбережение. Стандартным напряжением станет 1,2 В, при этом опционально будут предложены модули напряжением 1,05 В. В свою очередь снижение мощности приведёт к меньшему нагреву модулей.
В-третьих, изменится конструкция модулей памяти и материнских плат. Память DDR4 будет сходна с памятью Rambus в интерфейсе «точка-точка» с меньшей нагрузкой на каждый канал, что ускорит передачу данных и уменьшит задержки. Ожидается, что все первые модули памяти будут иметь двузначные CL задержки. Как думаете, вам понравится CL15 на DDR4-3200?
И напоследок стоит отметить, что будет улучшена коррекция ошибок, т. к. DDR4 имеет лучшие способы контроля чётности и ECC ошибок, по сравнению с памятью прошлых типов, что положительно скажется на стабильности работы серверов.
Что ж, ждать осталось не так и долго. Судя по приведенной диаграмме, в производительных системах эта память будет широко использоваться уже в 2015 году, однако ряд производителей памяти, в частности Samsung, толкают Intel к скорейшему введению нового стандарта, поскольку только в этом производители видят для себя выход из кризиса.
Согласно имеющимся слухов промышленников, компания Micron выглядит потенциальным победителем в битве за обанкротившуюся компанию Elpida.
В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.
Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.
На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.
Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.
В настоящее время перепроизводство чипов оперативной памяти составляет 17% от текущих потребностей. Однако в следующем году ситуация немного улучшиться. Так, по мнению Тайваньских производителей чипов, перепроизводство в первой половине 2012 года составит 13%.
Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.
К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.
По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.
Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.
Компания Micron продемонстрировала новое поколение оперативной памяти для ноутбуков LPCAMM2, которая основана на памяти типа LPDDR5X.
Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.
Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.
Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.
Компания Micron объявила о разработке модулей DDR5 RDIMM объёмом 128 ГБ. Эти модули создаются на основе монолитных 32 Гб ядер DRAM и предназначены для растущих потребностей центров обработки данных, включая искусственный интеллект и базы данных в памяти.
Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.
Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.