В операционной системе Windows 8 появилась возможность установить систему на флэш-накопитель средствами самой системы. Как правило, производители выпускают специализированные решения, поддерживающие Windows to Go. Также сделала и Spyrus со своими прочими продуктами.
Исследователи из Университета Калифорнии, что в Сан-Диего, проведя изыскания установили, что твердотельные накопители имеют смутное будущее в эволюции компьютерных технологий.
Дело в том, что, по мнению учёных, быстрая технология флэш хранилищ, на которую сейчас возлагают огромные надежды, имеет ряд технологических ограничений. А именно, при уменьшении техпроцесса до менее чем 6,5 нм производительность памяти начнёт резко снижаться.
Учёные исследовали 45 различных чипов памяти разных размеров. Результаты исследований показали, что уменьшение задержек и соответствующий рост уровня ошибок будут соотносимы до размера элементов в 6,5 нм, что должно произойти к 2024 году, когда такие фабрики появятся повсеместно. Дальнейшее уменьшение техпроцесса приведёт к недопустимому росту некорректируемых ошибок.
Пока плотность SSD растёт и цена за гигабайт снижается, «всё остальное касаемо их зависло в воздухе»,— отметила Лора Групп (Laura Grupp), выпускница Университета Калифорнии. «Всё это делает будущее SSD весьма туманным: Пока мы наращиваем ёмкость SSD и высокий уровень IOP делает их привлекательным во многих применениях, снижение производительности, необходимое для увеличения ёмкости, вызывает трудности в развитии SSD в качестве жизнеспособной технологии для этих же применений»,— отмечает автор исследований.
Возможно, недавние студенты и правы, и SSD, основанные на NAND памяти, обречены. Но ведь нет оснований считать, что за ближайшие 12 лет не появятся новые разработки или вообще будут применяться чипы памяти, изготовленные по совершенно иной технологии.
С сайта университета можно загрузить полную версию исследования.
Аналитическая компания TrendForce опубликовала свою статистику и прогнозы на цены на твердотельную память, а соответственно, и на устройства на её основе.
Так, по данным аналитиков во II квартале этого года продолжится дальнейший двузначный рост контрактных цен на NAND, продолжив рост I квартала, когда цены возросли на 23—28%.
Представленная аналитиками таблица демонстрирует как прошедший рост в I кваратле, так и прогнозы на II. Вслед за контрактными ценами на память дорожают и устройства на её основе. Это значит, что собирая новый компьютер энтузиасты уже заплатят на сотню долларов больше из-за подорожания SSD, и в ближайшие три месяца этот рост продолжится, хоть и не такой активный.
По данным TrendForce во II квартале цена вырастет ещё на 10—15%. Важно отметить, что ожидаемые темпы роста цен на потребительские SSD будут немного ниже, чем на память непосредственно. Аналитики заявляют, что причиной этому является стратегия закупок производителей SSD, который сокращают свои складские запасы, что позволяет не так быстро повышать цену и сглаживать скачки.
Когда компания Samsung представила серию SSD 990 Pro, она выпустила лишь варианты объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. И вот только теперь компания готова выпустить версию объёмом 4 ТБ.
Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.
Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.
В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.
Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.
Компания SK Hynix приступила к массовому производству 238-слойной 4D-NAND-памяти (на самом деле вариации 3D). Эта память позволит легче внедрять высокопроизводительные и высокоёмкие SSD.
Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.
Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.
Компания Pure Storage, производитель накопителей для промышленности, уверяет, что к 2026 году сможет выпустить SSD объёмом 300 ТБ.
В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.
Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.
В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.
По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.
Компания Gigabyte выпустила новый NVMe M.2 SSD модели AORUS Gen5 10000 SSD, который использует интерфейс подключения PCI Express 5.0 (x4). Продукт представлен в двух моделях: AG510K1T объёмом 1 ТБ и AG510K2TB объёмом 2 ТБ.
SSD AORUS Gen5 10000 был представлен в прошлом году. В ходе анонса было сообщено, что накопитель построен на базе 232-слойной 3D-TLC-NAND-памяти и контроллере Phison E26, изготовленного по 12 нм процессу. Также накопитель содержит DDR4-кэш и SLC-кэширование. В результате, SSD демонстрирует на 37% большую производительность в сравнении с накопителями для шины PCI Express 4.0 (x4).
Скорости чтения и записи у AORUS Gen5 10000 SSD в объёме 1 ТБ составляет 9500 МБ/с и 8500 МБ/с соответственно. Надёжность — 700 ТБ. Модель объёмом 2 ТБ достигает скоростей 10 000 МБ/с и 9500 МБ/с, а надёжность 1400 перезаписанных терабайт.
Очевидно, что этому SSD нужно мощное охлаждение. Модель AORUS Gen5 10000 SSD обладает гигантским радиатором «M.2 Thermal Guard XTREME». Накопитель потребляет порядка 10 Вт в работе и менее 85 мВт в простое. Номинальная наработка составляет 1,6 миллиона часов.
Японский энтузиаст @momomo оказался одним из первых, кто смог установить новый твердотельный накопитель стандарта PCIe Gen5.
Компания CFD Gaming приступила к поставкам своего первого NVMe-SSD стандарта PCIe Gen5. Соответствующие платформы доступны потребителям уже около года, однако только сейчас стали появляться SSD с соответствующими возможностями.
SSD от CFD появился на японском рынке. Его особенностью стало использование шумного вентилятора на верху радиатора. Пока не ясно, можно ли его использовать с радиатором материнской платы.
Как показал обозреватель, в ходе тестирования этот SSD использовал вентилятор на очень большой скорости, который был более шумным, чем стоковый Core i7-13700K. Возможно, что столь высокие обороты вентилятора вызваны именно режимом тестирования, и в номинальном режиме работы он не будет столь активным.
Что касается скорости, то в быстром тесте CrystalDiskMark накопитель ёмкостью 2 ТБ с лёгкостью прошёл порог в 10 ГБ/с как при чтении, так и при записи. В объёме 1 ТБ накопитель выдаёт чуть меньшую скорость — порядка 9,5 ГБ/с.
Компания Samsung представила новый твердотельный накопитель PCIe 4.0 NVMe с номером PM9C1a, который основан на собственном 5 нм контроллере компании и V-NAND-памяти седьмого поколения.
Благодаря новому SSD южнокорейский гигант обещает обеспечить высочайшую производительность для ежедневной работы и игр. Так, скорость последовательного чтения в 1,6 раза выше, а записи — в 1,8 раза выше, чем у предшественника PM9B1. Если говорить буквально, то скорость чтения достигает 6000 МБ/с, а записи — 5600 МБ/с. При случайном доступе скорость чтения достигает 900K IOPS, а записи — 1M IOPS.
Кроме того, SSD Samsung PM9C1 обеспечивает на 70% большую энергоэффективность в работе и на 10% в режиме ожидания, что крайне важно для ноутбуков.
Также компания сообщает, что накопители поддерживают стандарт безопасности Device Identifier Composition Engine (DICE), созданный Trusted Computing Group (TCG).
Накопители Samsung PM9C1a будут доступны в объёме 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ и будут предложены в различных форматах M.2. К сожалению, сроки начала продаж компания не называет.
Компания YMTC начала поставки своих твердотельных накопителей Zhitai TiPlus7100 на основе 232-слойной памяти 3D-NAND Xtacking 3.0, которая обладает пропускной способностью 2400 МТ/с. Эти накопители используют шину PCIe 5.0 x4, которая может обеспечить скорость передачи данных в 12,4 ГБ/с.
Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.
Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.
Компания Micron Technology представила новый модельный ряд твердотельных накопителей Micron 2550 NVMe, который стал первым в мире SSD, где использована NAND-память с более чем двумястами слоями.
Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.
Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.
Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.
Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.
Когда-то самым простым методом повышения производительности компьютера была установка большего количества ОЗУ. Теперь же таким методом является установка твердотельного накопителя.
К счастью, в ближайшие месяцы цена на SSD должна снизиться. Согласно информации TrendForce, на рынке скоро сложится ситуация, которая приведёт к снижению цены.
Во-первых, наблюдается перепроизводство NAND-памяти, и склады производителей заполнены. Во-вторых, потребительский спрос на накопители резко снизился, что приведёт к накоплению на складах готовых изделий, а значит, стремлению производителей от них избавиться, для чего нужно будет снизить цену.
Учитывая эти два фактора аналитики прогнозируют, что к концу текущего квартала цена на SSD снизится (по крайней мере должна) на 8—10%.
Сайт TechPowerUp сообщает о том, что два гиганта в области твердотельной памяти, Kioxia и Western Digital, ведут переговоры о слиянии. Если оно произойдёт, то индустрия получит супергиганта.
Такая сделка станет первым (и возможно последним) крупным рыночным изменением для Kioxia после её ухода из Toshiba Corporation в качестве отдельного бизнеса по выпуску флеш-памяти. Если сделка состоится, то мы получим мегакомпанию, которая включает три крупнейших производителя памяти: Kioxia, Western Digital и SanDisk. При этом первая и последняя компании в списке смогут выпускать передовые и быстрые решения на основе флеш-памяти, в то время как WD обеспечит рынок «тёплыми» и «холодными» хранилищами, то есть, жёсткими дисками.
Технология 5G должна резко увеличить объёмы передаваемых данных, а новый транстихоокеанский консорциум сможет их разместить.
Пока Kioxia отказывается комментировать эту информацию. Компания готовится к размещению акций на бирже, и они будут включать долю Toshiba и Bain Capital. В то же время, на фоне слухов, акции Western Digital поползли вверх. Сумма сделки оценивается в 20 миллиардов долларов.
Компания Sabrent представила новый твердотельный накопитель, который предназначен для майнинга криптовалюты Chia. Главной его особенностью стала невероятная надёжность и ресурс.
Серия твердотельных накопителей Plotripper специально создана для высокого ресурса работы, который нужен при майнинге Chia в процессе расчёта криптографически сгенерированных участков. Продукт Plotripper будет доступен в нормальной версии и в версии Pro. Мейнстрим вариант Sabrent Plotripper обеспечивает ресурс 10 000 перезаписываемых терабайт при объёме устройства 2 ТБ. Версия Pro при объёме 1 ТБ имеет ресурс 27 000 перезаписываемых терабайт, а вариант объёмом 2 ТБ — неимоверные 54 000 перезаписываемых терабайт. Для пояснения также нужно сказать, что эти SSD сконфигурированы на запись 100% данных в режиме SLC.
Наверняка этими устройствами заинтересуются и владельцы центров обработки данных. Накопители не будут дешёвыми, но у ЦОД есть деньги. Цена на Sabrent Plotripper пока не называется.
В ходе Virtual Flash Memory Summit компании Samsung и Xilinx представили совместную разработку, которую они назвали первым SmartSSD — вычислительным устройством хранения, которое может изменить подход индустрии к накопителям.
В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.
Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.
Компания Intel официально объявила о том, что она продаёт свой бизнес по производству памяти NAND южнокорейской компании SK Hynix за 9 миллиардов долларов.
Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.
Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.
Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.
И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.
В настоящее время рынок памяти находится в состоянии перепроизводства, а значит, в ближайшем квартале следует ожидать падения цен как на DRAM, так и на NAND.
По информации Trendforce, общее снижение розничной цены на память обоих типов в IV квартале составит 10%. В начале 2021 года ожидается дальнейшее снижение цены.
Снижение цены на DRAM замедлится, а вот NAND-память продолжит дешеветь. Для потребителей это означает снижение цен на SSD, которое ожидается на уровне 10—15%. В корпоративном сегменте снижение цены составит около 10%. Это приведёт к дальнейшему вытеснению механических накопителей в новых ноутбуках и практически полному отказу производителей от HDD.
Санкции, наложенные США на Huawei, привели к тому, что китайская компания не может покупать комплектующие у США. Часть заказов Huawei перехватили другие производители, однако для поддержания рынка этого недостаточно. Этот фактор приведёт к падению цены на DRAM.
Компания Intel может отказаться от производства флэш-памяти типа NAND, и покупать её у сторонних производителей.
Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.
Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.
Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».
Компания Intel празднует очередное своё достижение в области твердотельной памяти. Она изготовила 10 миллионов накопителей, основанных на памяти типа QLC-3D-NAND.
Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.
«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».
Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.
Компания Phison на выставке CES похвасталась тем, что сумела уменьшить размер своего контроллера SSD, а это позволит значительно увеличить объём твердотельных накопителей формата M.2 NVMe до 8 ТБ, а SATA SSD — до 16 ТБ.
Компания Phison стала первой, выпустившей контроллеры для шины PCIe 4.0, а потому она уже успела провести некоторые оптимизации чипа E12. Грамотный инжиниринг позволил уменьшить размер пакета контроллера, несмотря на то, что при его производстве по-прежнему применяется процесс 28 нм. Новый контроллер E12S занимает на SSD меньше места, что позволяет производителям разместить на плате накопителя больше пакетов NAND.
Как известно, Phison не производит накопители, но это не отрицает возможности подготовки референсного решения. Компания представила NVMe-SSD с новым контроллером и 96-слойной QLC-памятью от Micron. На каждой стороне платы размещены по четыре чипа памяти, ёмкостью 1 ТБ каждый. Вместе это даёт 8 ТБ.
Контроллер E12S работает по интерфейсу PCIe 4.0×4 и обеспечивает скорости чтения/записи в 3500/3000 МБ/с при последовательном доступе и 490K/680K IOPS при случайном.
Ожидается, что подобная конструкция SSD будет появляться у многих производителей, так что дебют контроллера на рынке состоится через несколько месяцев.
Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.
Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.
Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.
Известный производитель микросхем памяти SK Hynix анонсировала выпуск собственных твердотельных накопителей модели Gold S31, по сути заявив о выходе на рынок SSD.
Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.
Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.
Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.
Благодаря доступности шины PCIe 4.0 среди производителей твердотельных накопителей и контроллеров начался настоящий бум. Очередной компанией, которая решила погрузиться в бизнес создания контроллеров, стала Realtek, известная как создатель звуковых чипов для материнских плат.
Сейчас у фирмы есть несколько контроллеров для SSD начального уровня, которые можно встретить в SSD от Adata. Однако уже через год компания хочет выйти на рынок хай-энд накопителей.
Разрабатываемый контроллер RTS5771 предназначен для топовых SSD. Он планируется к выходу на III квартал 2020 года. Это будет многоядерный процессор с собственной памятью, с системой коррекции ошибок LDPC второго поколения и шифрованием AES. Производительность пока не называется, однако с 8 каналами NAND, интерфейсной скоростью 1200 МТ/с и шиной PCIe 4.0 x4, она должна быть не малой.
Также Realtek готовит и более доступный контроллер модели RTS5765DL. Он будет немного медленнее, не будет содержать ОЗУ, получит лишь 4 канала NAND и будет использовать шину PCIe 3.0 x4. Эта модель появится уже к концу текущего года. Тем не менее, его интерфейсная скорость составит 1200 МТ/с, и он также будет поддерживать LDPC, а процессор будет многоядерным.
В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.
В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).
Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.
Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.
Компания Samsung анонсировала начало производства новых твердотельных накопителей объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND.
Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.
Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.
В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.
Компания SK Hynix начала массовое производство первой в мире 128-слойной памяти типа 4D NAND.
В мире 3D NAND оптимальным путём повышения плотности является увеличение числа слоёв в стековой структуре NAND. Компания SK Hynix сообщила, что она первой в мире приступила к производству 128-слойных чипов TLC NAND объёмом 1 Тб, используя 4D структуру. Конечно, инженеры не открыли четвёртое измерение, а просто разместили слой периферии под стеком 3D NAND.
С переходом на 128-слойные стеки компания может увеличить продуктивность на 40%, по сравнению с нынешней 96-слойной структурой. Кроме того, переход на новую технологию позволяет на 40% сократить себестоимость производства.
Компания планирует начать поставки 4D NAND памяти во второй половине этого года, обещая скорости передачи данных на уровне 1400 Мб/с при напряжении 1,2 В. Эти чипы окажутся крайне полезными для мобильных устройств.
Также компания сообщила, что планирует создавать собственные клиентские SSD объёмом до 2 ТБ на базе собственных контроллеров. Для корпоративного рынка SK Hynix будет разрабатывать накопители объёмом 16 ТБ и 32 ТБ.
Следующим шагом компании станет создание 176-слойных чипов NAND.