Новости по теме «Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND»

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Samsung Electronics разрабатывает 7-е поколение V-NAND, состоящее из 160 слоёв или даже больше. Для этого прорыва южнокорейский гигант планирует использовать технологию «двойного стека». Она предполагает открытие дырок в два различные периода времени, чтобы электрический ток мог пройти по цепи. Сейчас компания использует технологию «одинарного стека», увеличивая число слоёв.

Память NAND, состоящая из 160 слоёв, станет первой в индустрии. Переход на такую память позволит резко увеличить объём SSD без увеличения количества применяемых микросхем.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Компания представила новые твердотельные накопители 850 PRO и 850 EVO объёмом 2 ТБ.

Теперь, предложив две новые модели, в портфеле компании имеются 20 различных решений с вертикальной 3D NAND памятью объёмом от 120 ГБ до 2 ТБ. Все они относятся к модельным рядам 850 PRO и EVO. Все 20 накопителей выпускаются в одинаковом 2,5” корпусе толщиной 7 мм.

Твердотельные накопители объёмом 2 ТБ оснащены 128 отдельными 32-слойными 128 Гб чипами 3D NAND производства Samsung, обновлённым высокопроизводительным контроллером MHX и четырьмя 20 нм чипами LPDDR DRAM объёмом 4 Гб. Модель 2TB 850 EVO имеет гарантию на запись 150 ТБ данных, а 850 PRO — на запись 300 ТБ.

В ближайшем будущем Samsung также надеется выпустить 2 ТБ накопители 850 серии в форматах mSATA и M.2.

Чтобы приобрести новые накопители вам придётся выложить 800 долларов за модель 850 EVO и 1000 долларов за 850 PRO.

Новая технология V-NAND памяти, которая благодаря Samsung называется «проприетарной структурой вертикальных ячеек», а по сути, является стеком из нескольких кристаллов памяти, обещает увеличение скорости записи в два раза и меньшее энергопотребление, по сравнению с предшественниками. Согласно пресс-релизу компании, скорость последовательного чтения в устройствах может достичь 550 МБ/с, а записи — 520 МБ/с. Скорость случайного чтения составит до 100 000 операций ввода-вывода на секунду, а случайная запись будет осуществляться немного медленнее, на скорости 90 000 IOPS.

Новый модельный ряд SSD сможет похвастать и крайне низким энергопотреблением. Так, накопитель при чтении будет потреблять 3,3 Вт, 3,0 Вт при записи и 0,4 Вт в режиме ожидания.

Кроме того, технология V-NAND позволила заметно увеличить надёжность накопителя, что дало возможность производителю обеспечить 10-и летнюю гарантию на устройство. Также производитель гарантирует, что его SSD выдержит 150 терабайт записываемых данных.

О цене и доступности пока ничего не сообщается, но ожидается, что эти SSD будут доступными в четвёртом квартале этого года.

Так, компания Samsung выпустила новый чип флэш-памяти, состоящий из 32-уровневого стека, что является заметным улучшением, по сравнению с нынешними 24-слойными чипами. Новый чип «второго поколения», как его назвала компания, будет использоваться в SSD, которые будут потреблять на 20% меньше электроэнергии, по сравнению с плоской технологией.

Сами SSD, в которых будет применена новая память, будут иметь объёмы в 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Это будут высокопроизводительные модели премиум класса, предназначенные для геймеров, промышленности и владельцев рабочих станций. Примечательно, что чипы со стеком увеличенного объёма будут производиться на том же технологическом оборудовании, а значит, их себестоимость производства никак не изменится.

Будем надеяться, что всё это выльется в общее снижение цены. Конечно, SSD дороги сами по себе, но всё-таки было бы приятно увидеть некоторое общее снижение цены на твердотельные накопители. С другой же стороны, раньше память 3D V-NAND использовалась только в промышленных SSD, а значит Samsung может сосредоточиться на качестве и ёмкости продукции, а не на цене.

И хотя на самом деле объём накопителя 840 EVO составляет 960 ГБ, всего на 40 ГБ не дотягивая до заветной отметки, это по-прежнему несравнимо больший объём памяти по отношению к существующим на рынке SSD. По словам разработчиков, благодаря использованию контроллера MEX пятого поколения, скорость чтения/записи данных практически выровнялась и составляет 540/530 МБ/с соответственно. В качестве микросхем памяти применена NAND флэш, созданная по новой трёхуровневой теологии TLC.

В своём блоге компания пояснила, как ей удалось создать накопитель такого объёма. По уверениям Samsung в SSD 840 EVO использовались 128 гигабитные модули NAND памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса. Для формирования терабайтного массива были использованы всего 4 пакета флэш-памяти, каждый из которых содержит 16 слоёв чипов объёмом 128 Гб. Благодаря совершенной технологии производства весь этот накопитель имеет толщину всего 3,85 мм и массу 8,5 г, что примерно на 40% меньше и в 12 раз легче типичного жёсткого диска.

Samsung SSD 840 Evo mSATA появится в продаже в январе наступающего года, однако цена пока не была названа.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Название F2FS расшифровывается как «Flash-Friendly File-System», т. е. «Файловая система дружественная флэш», которая учитывает особенности хранения данных на полупроводниковых накопителях.

Согласно описанию разработчиков ФС, компании Samsung, эта система является «заботливо созданной для устройств, основанных на флэш-памяти NAND. Мы выбрали журналируемый структурный подход к файловой системе, но мы попытались адаптировать её к хранилищам новой формы. Также мы исправили некоторые известные проблемы очень старых журналируемых файловых систем, такие как эффект снежного кома блуждающего дерева… Ввиду того, что основанные на NAND хранилища показывают отличные характеристики в связи с их внутренней геометрией или управлением флэш-памятью, также известной как FTL, мы добавили различные параметры, позволяющие не только конфигурировать компоновку диска, но также позволяющие выбирать расположение данных и алгоритмы очистки».

В настоящее время эта ФС содержится в 16 патчах, разработанных Чэгыком Кимом из Samsung, и она добавляет в существующий код Linux примерно 13 000 строк кода.

Следует отметить, что это не первая файловая система, разработанная специально для флэш-памяти. К примеру, два месяца назад была представлена ФС Lanyard, однако она не была включена в состав ни одной ОС.

Компания также развивает и направление быстрой флэш-памяти для мобильных устройств. Новые микросхемы Pro Class 1500 обещают значительный прирост скорости работы памяти, но насколько большой? Ответ кроется в названии. Новая память при записи способна выполнить 1500 IOPS (операций ввода-вывода в секунду), а при чтении — 3500 IOPS, что примерно в 4 раза выше, чем в любом другом ранее представленном чипе флэш-памяти Samsung.

В реальности это означает, что микросхема обеспечит скорость в 140 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи данных. Успеха удалось добиться после применения всех технологических решений, имеющихся в арсенал е компании, включая 20 нм технологически процесс, быстрый контроллер DDR 2.0 и новый стандарт памяти JEDEC с пропускной способностью в 200 МБ/с.

Компания не назвала конкретных потребителей новой памяти объёмом 16, 32 и 64 ГБ, однако ни для кого не секрет, что главный потребитель флэш-памяти для мобильных устройств Samsung по-прежнему является компания Apple, несмотря на все судебные перипетии и патентные войны.

Сообщается, что Samsung решили снизить поставки карт microSD мелкооптовым дистрибьюторам и усилить контроль поставок по заказам для стабилизации цен на чипы NAND, а также карты microSD от дальнейшего снижения.

Известно, что некоторые мелкие и средние дистрибьюторы продавали карты памяти и пластины с чипами, приобретая их у поставщиков более высокого уровня по очень низкой цене. Их предельно низкие ценовые предложения обрушили рынок, отмечает источник.

Фактически, цены на память NAND начали падать с 2012 года в связи с низким спросом на флеш накопители и карты памяти. Тем временем, спрос на SSD оказался недостаточным, чтобы повысить цены на микросхемы памяти.

Также отмечается, что целый ряд китайских компаний оказались на грани банкротства, в связи с существующим снижением цен.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.

Компания Samsung подготовила к продаже свой новый высокоёмкий SSD накопитель, подключаемый посредством SATA 3. Максимальная ёмкость накопителя составляет 512 ГБ. По заявлению компании, уже начато производство этого SSD, который планируется устанавливать в высокопроизводительные ноутбуки в конце этого года.

Samsung не сообщили подробной информации об этом устройстве, однако известно, что в накопителе использована флэш-память MLC NAND с контроллером собственной разработки. Разработчики обещают, что скорость чтения с SSD составит порядка 500 МБ/с, в то время как скорость запси будет несколько ниже, и составит 350 МБ/с.

О цене на накопители ничего не сообщалось, однако не сложно догадаться, что для приобретения ноутбука с таким устройством придется опустошить не только кошелёк, но и банковский счёт.

Память в этой карте изготовлена по техпроцессу класса 20 нм (так Samsung решили называть все техпроцессы с размером элементов от 20 до 29 нм). При этом скорость работы памяти позволила присвоить карте 10-й класс скорости.

Новые microSD ёмкостью 32 ГБ работают со скоростью 12 МБ/с при записи и 24 МБ/с при чтении, что, несомненно, понравится владельцам современных и будущих смартфонов, оснащенных видеокамерами с разрешением 1080p. В карту памяти установлены 3-х битовые NAND чипы объёмом 32 Гб, а также 3-х разрядный контроллер памяти NAND.

Техпроцесс класса 20 нм позволил инженерам Samsung увеличить производительность чипов NAND, по сравнению с прошлым техпроцессом 30 нм класса на 30%, карта памяти на основе которого была представлена в феврале прошлого года.

По заявлению, сделанному в пресс-релизе компании, Samsung продолжит агрессивную стратегию продвижения на рынок решений на основе NAND памяти, предназначенных для мобильных устройств. Начало продаж устройств с 3-х битными чипами NAND ёмкостью 64 Гб планируется через 6–7 месяцев.

Микросхемы памяти производства Samsung объемом 64 Гб, изготовленные по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).

Новые чипы предназначены для применения в мобильных устройствах, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. Интерфейс DDR2 уже оставлен позади такими монстрами рынка как AMD и Intel, но, по мнению Samsung, он будет «лучше поддерживать продолжающееся движение к более совершенным интерфейсам», таким как SATA3 и USB3. Президент подразделения памяти Samsung Electronics, господин Су-Ин Чо (Soo-In Cho) отметил, что им удалось достичь плотности 64 Гб на чип благодаря использованию «совершенного технологического процесса с размером элементов порядка 20 нм», но в отличие от конкурентов в лице Intel и Micron, они не станут сообщать о тонкостях техпроцесса.

Все представители компании Samsung будут говорить, что для производства чипов 64 Гб NAND MLC памяти используются элементы размером от 20 до 29 нм. Напомним, что Samsung представил первую микросхему флеш-памяти объемом 32 Гб с интерфейсом DDR1 в 2009 году, а массовое производство чипов началось только в апреле 2010 г. Это означает, что уже через несколько месяцев производители электронных устройств получат первые чипы новой памяти с интерфейсом DDR2. Основная часть чипов NAND работает на скорости до 40 Мб/с при интерфейсе DDR1. Так что, когда Samsung начнет поставки своей памяти с интерфейсом DDR2 не стоит ожидать, что они появятся где-либо ещё кроме дорогих SSD накопителей и смартфонов.

Компания рассматривает пути гибридной связи слоёв, что требует новых материалов пакетов и методов соединения. Так, в качестве связки рассматривается соединение отдельных пластин методом притирки, травления, осаждения и проводниковой связи. Необходимость использования отдельных пластин обусловлена возможным перегревом многослойных стеков, а разделение через отдельные пластины должно улучшить охлаждение. В SK Hynix уверяют, что технология и инфраструктура будут готовы к концу следующего года.

При этом SK Hynix не единственный производитель NAND, стремящийся увеличить количество слоёв. К примеру, Samsung хочет выпустить 1000-слойную память в 2030 году, Kioxia — к 2027 году.

К сожалению, никаких дополнительных деталей о разработке 400-слойной памяти корейская пресса не опубликовала.

Производители памяти постоянно находятся в балансе между производством и спросом. Если поставки становятся слишком большими, то цены на памяти снижаются и прибыль сокращается. И вот теперь заводы в Йоккаичи и Китаками вышли на полную загрузку. Причиной тому называются растущий спрос на смартфоны, ПК и в промышленном сегменте. Теперь Kioxia надеется увеличить свою рыночную долю, поставляя на рынок больше продукции.

В последние кварталы цена на NAND постоянно росла, а складские запасы иссякали. Повышение объёмов выпуска KIOXIA должны изменить ситуацию на рынке, увеличив доступность флеш-памяти и снижение цены. Для нас же, простых потребителей, это означает удешевление накопителей и даже конечных устройств.

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Новые продукты используют интерфейс UHS-I и рекомендуются для использования с ноутбуками и дронами. Полноразмерные карты Pro Ultimate предлагаются в объёме 64 ГБ, 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ, в то время как microSD будет доступна в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

При последовательном чтении скорость составляет 200 МБ/с, в то время как запись может производиться на скорости до 130 МБ/с. Карта позволяет записывать видеофайлы разрешением 4K благодаря соответствию спецификации Video Speed Class 30 (V30). Это значит, что минимальная скорость составит лишь 30 МБ/с.

Карты Pro Ultimate обещают высокую надёжность, благодаря контроллеру с коррекцией ошибок ECC, а также с гарантией длительного хранения данных. Кроме этого карты долговечные при использовании в тяжёлых условиях. Её можно погрузить на глубину 2 м на 72 часа, бросит с высоты 5 метров, а также переставлять в слоте десять тысяч раз. Карты работают в диапазоне от −25° C до 85° C, выдерживают рентгеновское облучение и удар силой 1500 g.

Цена на карты Pro Ultimate microSD находится в диапазоне от 21 до 65 долларов, а Pro Ultimate SD — от 19 до 85 долларов США.

Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.

Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.

В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.

Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.