Смартфоны хай-энд уровня уже оснащаются 6 ГБ оперативной памяти, однако китайский производитель LeEco пошёл ещё дальше, и установил в телефон целых 8 ГБ RAM, вдовое больше, чем в современных флагманах.
Новости по теме «LeEco представила смартфон с 8 ГБ ОЗУ»
Samsung начинает производство памяти LPDDR5
Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в мире 10 нм памяти (класс 1z) LPDDR5 объёмом 16 ГБ, предназначенной для смартфонов.
Эти микросхемы изготавливаются с высокой точностью с применением технологии EUV. По данным производителя, эти микросхемы на 16% быстрее прошлого поколения 12 ГБ LPDDR5, построенного по технологии 1y. Новая память обеспечивает скорость передачи данных в 6400 Мб/с.
Также память 1z LPDDR5 на 30% тоньше, чем прошлогодняя 1y, что обеспечит новым многокамерным смартфонам больше пространства.
Южнокорейский гигант пока не сообщает, когда же на рынке появятся первые смартфоны с 16 ГБ пакетами LPDDR5. Однако было сказано, что компания «будет и впредь усиливать своё присутствие на рынке флагманских мобильных устройств» в течение 2021 году, что может означать недолгое ожидание.
Micron выпускает свои первые чипы LPDDR5 для смартфонов
Компания Micron презентовала «первые в мире массово производимые чипы DDR5-DRAM низкой мощности», которые позволили китайскому производителю смартфонов Xiaomi подготовить модель Mi 10.
Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.
Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.
На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.
Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.
Samsung начинает массовое производство 12 Гб памяти LPDDR5
Переход на мобильную связь пятого поколения требует от устройств всё больших объёмов памяти.
Компания Samsung, будучи одним из мировых лидеров отрасли, приступила к массовому производству модулей памяти LPDDR5 объёмом 12 Гб. Также компания анонсировала планы по комбинированию 8 из этих модулей для создания пакетов объемом 12 ГБ.
Выпустив память LPDDR5 10-нанометрового класса второго поколения, южнокорейский гигант надеется, что она найдёт своё применение во флагманских смартфонах следующего поколения. Новая память обеспечивает пропускную способность в 5500 Мб/с, что в 1,3 раза выше, чем у LPDDR4X. Кроме того, новые модули потребляют на 30% меньше электроэнергии.
В следующем же году компания планирует завершить разработку 16 Гб модулей LPDDR5.
Samsung выпускает одночиповую память LPDDR4X объёмом 12 ГБ
Компания Samsung анонсировала выпуск пакетов памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ, которая предназначена для смартфонов нового поколения. Таким образом, южнокорейский гигант создал самый ёмкий пакет, который будет использоваться с 512 ГБ eUFS хранилищем.
В новом чипе компания упаковала шесть отдельных 1Y-нм ядер объёмом 16 Гб. Толщина полученного пакета составляет 1,1 мм, а пропускная способность — 34,1 ГБ/с. Хотя компания сообщила, что чип будет использоваться в новых флагманских смартфонах, пока она не назвала ни одной модели.
Новая микросхема выпущена вслед за аналогичным LPDDR4X решением объёмом 8 ГБ, в котором упакованы те же 16 Гб ядра, изготовленные по 1y нм процессу. Увеличение объёма ОЗУ компания связывает с возросшим спросом на такую память.
В любом случае, этим модулям компания уже готовит замену. Так, у Samsung уже есть образцы 8 ГБ пакетов LPDDR5, которые построены на ядрах объёмом 8 Гб, но пока у фирмы нет точных сроков её выпуска.
Micron начинает массовое производство памяти LPDDR4X
Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.
Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.
Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.
Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.
Новый смартфон Vivo может получить 10 ГБ ОЗУ
Уже с этого года 10 ГБ оперативной памяти в смартфонах может стать нормой.
В ближайшем будущем смартфоны высшего класса уже обойдут настольные ПК по некоторым характеристикам. Так, компания Vivo готовит новый флагманский смартфон, который получит поразительные 10 ГБ ОЗУ.
По слухам, этот смартфон будет выпущен в августе. Он получит процессор Qualcomm Snapdragon 660 и 10 ГБ ОЗУ. Похоже, что в противостоянии Oppo и Vivo в этом году победит последняя. Однако это будет первый, но не единственный смартфон с такими характеристиками. Так, к концу года, а особенно к началу следующего, многие производители готовят свои аналогичные предложения, а вот насколько они будут востребованы, узнаем уже через месяц.
Цены на мобильную DRAM падают
Цены на мобильную память заметно снизились в связи с наполнением складов смартфонов. Такую информацию распространил DigiTimes со ссылкой на производителей DRAM.
Разочаровывающие продажи смартфонов привели к большим накоплениям на складах. Поэтому спрос на мобильную DRAM был снижен на фоне падающих цен на ОЗУ.
На стоимость мобильной памяти также влияет цена на память для ПК, отмечает источник. Вместе со снижением памяти на PC DRAM, производители стали использовать своё оборудование для производства продукции для мобильной памяти.
Начиная с 2015 года, цена на оперативную память постоянно снижались, и сейчас чипы eTT DRAM объёмом 4 Гб стоят менее 2 долларов США. Причиной тому стал меньший, чем ожидалось, спрос, и большие объёмы поставок.
Источники также выразили пессимизм и касательно цен на память для серверов, а также для прочих нишевых рынков памяти.
Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4
Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.
Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.
По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.
Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.
Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4
Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.
В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.
Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.
Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.
Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.
Выпуск памяти LPDDR4 запланирован на 2014 год
Стандарт памяти LPDDR4 запланирован к финализации в 2014 году, однако даже в топовых устройствах его внедрение не будет проходить быстро в связи с высокой ценой и ограниченными объёмами производства.
Тем не менее, источник уверяет, что в самых дорогих моделях всё же будет использоваться новая память в связи с её высокой пропускной способн6остью, которая будет вдвое выше, по сравнению с LPDDR3, при на 50% меньшем энергопотреблении.
В JEDEC сейчас считают, что стандарт LPDDR4 будет включать пропускную способность 3200 МБ/с, (3,2 ГГц эффективной частоты), максимальный уровень сигнала составит 350 mVpp с настраиваемым прерыванием, а питаться память будет напряжением 1,1 В. В дополнение в шину данных была добавлена инверсия, что должно повысить целостность сигнала. Однако, пожалуй, самым важным изменением в LPDDR4 по сравнению с прошлыми стандартами станет то, что она будет иметь двухканальную архитектуру x16 DRAM. Недавно обновлённый стандарт LPDDR3 предусматривает скорость 2133 МБ/с, в LPDDR4 в результате изменений она будет вдвое выше.
Память LPDDR используется в основном в смартфонах, планшетных ПК и прочих портативных устройствах. Фактически, даже Apple MacBook Air последнего поколения использует память LPDDR3 для снижения энергопотребления ноутбука. А поскольку современные смартфоны и планшеты в связи с ускорением вычислительной системы становятся всё более требовательными к скорости работы памяти, выпуск нового стандарта памяти с высокой пропускной способностью будет крайне важен для этой растущей отрасли. Но при этом хотелось бы ещё раз отметить, что внедрение стандарта будет медленным, ведь даже сейчас, спустя 2 года после финализации стандарта LPDDR3, большая часть производителей смартфонов предпочитает ставить в свои устройства память LPDDR2.
Intel: Интеграция памяти в CPU была ошибкой
В ходе встречи инвесторов по результатам III квартала руководство Intel заявило, что компания вернётся к традиционному дискретному размещению памяти, а также сообщила о сокращении программы дискретных видеокарт.
В последнем своём мобильном процессоре Lunar Lake Core Ultra 200V компания Intel решила интегрировать оперативную память в объёме 16 ГБ или 32 ГБ непосредственно в чип. Это позволило сократить задержки и энергопотребление при передаче данных на 40%, но в то же время это ограничило свободу выбора для пользователей. В связи с этим исполнительный директор Intel Пэт Гелсингер сообщил, что в будущих архитектурах Panther Lake и Nova Lake компания вернётся к традиционному размещению ОЗУ. По его словам, проект Lunar Lake планировался как специализированный чип, однако на фоне спроса на ИИ вышел в виде полноценного центрального процессора.
Главным же фактором, повлиявшим на смену парадигмы, стал финансовый провал. Процессоры продаются ужасно, в результате квартальные потери компании составили 16,6 миллиардов долларов, в 10 раз больше, чем в прошлом квартале, отметил финансовый директор Дэвид Цинснер. В результате, по мнению аналитиков, к концу года Intel столкнётся с наибольшим чистым убытком с 1986 года.
Что касается GPU, то здесь тоже не всё радужно. Компания выпустила архитектуру Arc Alchemist в 2022 году, однако задержки поставок привели к тому, что компания потеряла рынок в году NVIDIA и AMD, достигнув лишь пары процентов рыночной доли, которую потом и потеряла.
На начала следующего и Красные, и Зелёные, готовят новое поколение видеокарт. При этом второе поколение карт Intel, Arc Battlemage, должно появиться уже в этом году, но до сих пор о производительности этих GPU ничего не известно. Таким образом, Battlemage будет выпущен в виде iGPU и дискретных решений, однако в будущем компания планирует сосредоточиться на интегрированных видеоускорителях.
Kingston и MSI установили новый рекорд разгона памяти
Конован Янг, известный оверклокер, установил новый рекорд производительности оперативной памяти DDR5.
Используя материнскую плату MSI MEG Z890 Unify-X с процессором Intel Core Ultra 7 265K и модули память Kingston FURY Renegade 24GB CKD он разогнал их до 6097,6 МГц, превратив память в DDR5-12916. Задержки при этом составили 48-120-120-127-2. Результат был верифицирован HWBOT.org и CPU-Z.
Примечательно, что процессор работал в конфигурации 2P+0E и на частоте лишь 400 МГц. Охлаждение, по всей видимости, выполнено жидким азотом, поскольку температура ядра составляла всего 5° С.
SK Hynix разрабатывает первые в мире чипы DDR5 по процессу 1c
Компания SK Hynix объявила о начале разработки первой в мире памяти DDR5 по технологии 1c, а массовое производство начнётся в 2025 году.
По новому процессу 1c были выпущены первые образцы чипов DDR5 объёмом 16 Гб. Это шестое поколение технологии с размером элементов 10 нм, благодаря чему открывается дорога к дальнейшему уменьшению элементов при производстве памяти.
В компании заявили: «уровень сложности уменьшения процесса технологии 10 нм уровня возрастал от поколения к поколению, однако SK Hynix стала первой в индустрии, превзошедшей технологические ограничения повысив уровень уплотнения в конструкции, благодря её лидирующей технологии 1b, пятого поколения процесса 10 нм».
Ким Чонван, глава подразделения DRAM заявил, что компания обеспечит «дифференцированный подход к клиенту при внедрении технологии 1c». Он добавил, что новая технология будет использована «продуктах следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7».
В производстве по технологии 1c используется новый материал, оптимизированный процесс EUV, в то время как улучшения в энергоэффективности позволят снизить стоимость электроэнергии для центров обработки данных до 30%.
Samsung валидировала самую быструю DRAM
Компания Samsung объявила о завершении верификации самой быстрой в индустрии оперативной памяти, используя для этого мобильных процессор MediaTek Dimensity.
В официальном пресс-релизе Samsung Electronics заявила, что её Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X) DRAM была валидирована на ещё не выпущенной системе-на-чипе MediaTek Dimensity 9400, которая была связана с 16 ГБ DRAM Samsung.
Скорость передачи данных составила 10,7 Гб/с, что на 20% быстрее золотого стандарта для памяти LPDDR5X. Кроме того, по уверениям корейского гиганта, при такой скорости удалось добиться 25% снижения энергопотребления, по сравнению с предыдущим поколением.
Верификация новой памяти проводилась MediaTek и Samsung совместно, а процесс занял 3 месяца.
Microsoft планирует вернуть управление телефоном из Windows
Компания Microsoft планирует внедрить в Windows 11 функцию Phone Link, которая позволит управлять смартфоном с компьютера.
Использовать телефоном можно будет благодаря одноимённому приложению, которое уже появилось в предварительной версии Windows 11 Insider Preview Build 22635.3790. к сожалению, пользователям будут доступны лишь базовые функции телефона. К примеру, с компьютера можно будет поговорить по телефону, прочитать или отправить сообщения, или посмотреть фотографии, проконтролировать уровень заряда батареи и некоторые другие функции. При этом работает Phone Link пока только с Android-устройствами.
По всей видимости, Phone Link была воссоздана в противовес недавнему решению Apple, которая объявила о внедрении функционала «зеркалирования iPhone», который даёт возможность полностью дублировать экран iPhone на Mac. Напомним, что ранее в Windows 10 уже существовала возможность привязки смартфона к компьютеру, однако из-за скудного функционала она не пользовалась популярностью.
Huawei выпускает собственную мобильную ОС HarmonyOS Next
Китайская компания Huawei официально объявила о выпуске бета-версии независимой операционной системы для смартфонов, которая получила название HarmonyOS Next.
Новая ОС является кросс-платформенной, способной работать на различных типах устройств. При этом она не содержит ядра Android Open Source Project и использует собственное микроядро HarmonyOS (не совсем Linux, а замена старой мульти-ядерной системы OpenHarmony). Это значит, что новая телефонная ОС не совместима ни с iOS, ни с Android. Это совершенно другая операционная система, поддерживающая Huawei Mobile Services, а Android APK и приложения с ней несовместимы.
Сообщается, что Huawei разрабатывала эту систему в течение последних пяти лет, включая архитектуру и компоненты (вроде большой языковой модели Pangu AI, фреймоврка ArkUI и мультимедийного и графического движков под названием Ark).
Из преимуществ HarmonyOS Next Huawei называет общий прирост производительности на 30%, трёхкратное ускорение подключений между устройствами экосистемы и сниженное на 20% энергопотребление. Также ОС имеет встроенный генеративный ИИ с генерацией изображений и «восстановлением звука» для людей с нарушениями речи. В системе реализовано ядро приватности Star Shield с системным шифрованием файлов и повышенным уровнем безопасности для 9 особенных разрешений приложений.
Corning представила Gorilla Glass 7i для недорогих телефонов
Компания Corning расширила поставку модельный ряд своих защитных стёкол, добавив Gorilla Glass 7i, которая позиционируется для телефонов начального и среднего уровня.
Новое решение компании выдерживает падение на асфальт с высоты 1 м, таким образом, оно прочнее литий-алюмосиликатных стёкол от других производителей, которые едва выдерживают падение с 1 метра. Кроме того, Gorilla Glass 7i обладает вдвое большой стойкостью к царапинам, по сравнению с конкурентами.
По словам Corning, первым заказчиком стекла Gorilla Glass 7i стала Oppo.
MSI и Kingston предлагают использовать CAMM2 в настольных ПК
В прошлом году JEDEC утвердила стандарт памяти CAMM2 для использования в ноутбуках, однако MSI решила создать первую материнскую плату для настольной машины, оснащённой модулями этой памяти.
Kingston Technology и MSI совместно представили решение, демонстрирующее эти новые технологии. Так, компании использовали память Kingston Fury Impact DDR5 на материнской плате MSI Project Zero PLUS Z790, дав понимание возможности использования CAMM2 в настольных ПК и оценив возможность разгона.
Применение CAMM2 открывает весьма интересные перспективы. Эта память намного ниже традиционных модулей DDR, что позволяет разместить её ближе к процессору и продумать новую более эффективную систему охлаждения, а главное — снизить помехи и ускорить передачу данных.
Рынок мобильной памяти меняется
Рынок памяти для ноутбуков меняется. Стандарт SODIMM начинает меняться на LPCAMM2, и одним из лидеров является Crucial.
Новый стандарт памяти потребляет на 58% меньше энергии и занимает на 64% меньше места, чем обычные модули DDR5 SODIMM, что позволяет создавать более эффективные портативные устройства.
Используя память LPDDR5X, компания Crucial предлагает пользователям скорость в 7500 МТ/с, что в 1,3 раза больше, чем ноутбучная DDR5 SODIMM. Компания готовит модули LPDDR5X 7500 LPCAMM2 объёмом 32 ГБ и 64 ГБ по цене 210 и 395 долларов США соответственно.
Microsoft вносит изменения в диспетчер задач при измерении производительности памяти
Компания Microsoft решила внести изменения в то, как диспетчер задач отображает скорость работы оперативной памяти, перейдя от МГц в МТ/с, поскольку выражение производительности через частоту не является корректным.
Данное изменение уже появилось в версии Windows Insider 22635.3570б которая доступна для бета теста.
В чём же суть дела? В 1990-х года в компьютерах использовалась память SDRAM, передача данных в которой была синхронизирована с тактовой частотой. К примеру, частота 100 МГц означала скорость передачи в 100 миллионов транзакций в секунду. Позднее, когда компьютеры перешли на память DDR SDRAM, передача данных удвоилась и при частоте 100 МГц уже осуществлялось 200 МТ/с.
Про современную память DDR5 пишут, что она работает на частоте 6000 МГц, однако на самом деле, это 6000 МТ/с, а реальная частота работы памяти составляет 3000 МГц. Если говорить о графической памяти GDDR5X, то тут уже отношение скорости к частоте составляет 4.
Таким образом компания Microsoft решила внести ясность в этот вопрос работы оборудования.
Samsung разрабатывает LPDDR5X со скоростью 10,7 Гб/с
Компания Samsung Electronics объявила об усовершенствовании технологии производства памяти, которая позволит создать первые модули LPDDR5X DRAM с высочайшей на сегодня скоростью 10,7 Гб/с.
В новой памяти используется 12 нм класс производства, что является самым мелким процессом из доступных Samsung. Проведенные изменения не только позволили повысить производительность на 25% и ёмкость на 30%, по сравнению с нынешним поколением, но и расширить ёмкость одного пакета мобильной DRAM до 32 гигабайт, что делает данную память оптимальной для устройств в эпоху ИИ.
Кроме этого, новая память LPDDR5X содержит специальные технологии сохранения энергии, что позволяет расширить периоды сбережения энергии. Это, в итоге, повышает энергоэффективность модулей на 25%.
Массовое производство модулей LPDDR5X с пропускной способностью 10,7 Гб/с будет начато во второй половине текущего года.
Asus создала материнскую плату со слотами SODIMM
Компания Asus создала весьма необычную материнскую плату серии ROG, ROG maximus XIII Hero, с крышкой процессорного сокета ASUS TUF и слотами SODIMM-памяти.
Судя по фотографиям, плата брендирована по заказу Kingston, по крайней мере, экран загрузки демонстрирует логотип Kingston Fury. На самом деле такая конфигурация не имеет смысла. Память SODIMM используется в ноутбуках и изредка в настольных миникомпьютерах, вроде серии NUC. При этом возможности SODIMM-модулей всегда ниже, чем у полноценных DIMM.
Поэтому единственной целью, по всей видимости, эта плата создавалась специально для тестирования и разгона модулей оперативной памяти SODIMM. По этой же причине вряд ли эта плата поступит в розничную продажу, особенно с учётом того, что основана она на устаревшем чипсете Z590.
Micron представила модули LPCAMM2
Компания Micron продемонстрировала новое поколение оперативной памяти для ноутбуков LPCAMM2, которая основана на памяти типа LPDDR5X.
Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.
Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.
Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.
Модули памяти CAMM2 стали стандартом JEDEC
CAMM — это новый стандарт оперативной памяти для ноутбуков, который теперь стал стандартом JEDEC. Это значит, что в ноутбуках следующих поколений вместо памяти SO-DIMM мы увидим модули CAMM2.
Начинал формат CAMM как проприетарный. Впервые он появился в ноутбуках Dell Precision 7670. Главным преимуществом памяти данного формата является её тонкий профиль, на 75% меньше, чем у SO-DIMM, а также возможность повышения скорости работы до 6400 МГц с дальнейшим «масштабированием к большим частотам».
Спецификация CAMM2 включает два варианта: с памятью DDR5 и LPDDR5(X). Примечательно, что стандарт предполагает варианты как с впаиваемой памятью DDR5, так и не с впаиваемой LPDDR5(X), правда, такие модули не взаимозаменяемые из-за их разного размера.
Ещё одним преимуществом CAMM2 является её работа в двухканальном режиме сразу, с единственным модулем, при том, что каждая планка SO-DIMM может работать лишь в одном канале.
Что касается недостатков, то они характерны для всех новых технологий. Это цена. Лишь по мере дальнейшего вывода с рынка SO-DIMM и постепенной заменой CAMM2 новые модули могут выйти на сравнимую стоимость.
Эмулятор Winlator позволяет запускать PC-игры на смартфонах
На компьютерах часто прибегают к эмуляторам, чтобы запускать игры, созданные для других платформ. Как правило, производительности ПК для этого оказывается достаточно. В операционной системе Windows 11 эмулятор Android позволяет запускать игры и для смартфонов, без особых усилий. Но что делать, если нужно запустить PC-игру на смартфоне?
К счастью, эмуляция x86 и Windows на системах Linux, включая запущенные на процессорах Arm, довольно успешно развивалась в последние годы. Типичным примером являются инструменты вроде Box86 и Box64. И вот теперь появлюсь приложение Winlator, благодаря которому можно запускать игры для ПК на устройствах Android и играть без заметных задержек.
Чтобы обеспечить работу игр утилита использует существующие инструменты сторонней разработки Wine и Box86. В версии Winlator 3.0 появилась возможность выбора разрешения, улучшенного управления, звука. Среди поддерживаемы игр доступна такая классика, как Fallout 3, The Elder Scrolls IV: Oblivion, Mass Effect 2 и Deus Ex Human Revolution.