Новости по теме «OCZ анонсирует бюджетный SSD Trion 100»

Прошлое поколение накопителей демонстрировало отличную энергоэффективность, сравнимую с накопителями SATA. В накопителях XG6 Toshiba обещает ту же эффективность, но с большей скоростью.

Накопители будут предложены в модельном ряду с ёмкостями 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ. От прошлой версии XG5, новое поколение отличается не только 96-слойной памятью, но и изменениями в прошивке. Накопители по-прежнему используют форм-фактор M.2 2280 с интерфейсом PCIe 3.0 x4. Однако теперь используется протокол NVMe 1.3a, вместо 1.2.

Максимальная скорость последовательного чтения может достигать 3180 МБ/с, а записи — 2960 МБ/с. При случайных операциях скорости чтения и записи составят 355 KIOPS и 465 KIOPS. Энергопотребление при активной записи составит 4,7 Вт.

Разработчики отмечают неплохую наработку на отказ в 1,5 миллиона часов. Гарантия на накопители составит 5 лет. Сейчас накопители поставляются избранным клиентам для тестирования, а в скором будущем они поступят в розничную продажу.

Данный накопитель позиционирован разработчиками как хай-энд решение. Оно основано на 15 нм MLC NAND памяти Toshiba, при этом используется протокол NVMe и шина PCI-Express Gen3 x4, что позволяет значительно ускорить передачу данных, по сравнению со стандартным интерфейсом SATA.

Согласно представленным спецификациям, OCZ RD400 NVMe SSD достигает скорости последовательного чтения в 2600 МБ/с и записи в 1600 МБ/с. При чтении и записи случайных блоков по 4 кБ скорость составляет 210 000 и 140 000 операций ввода-вывода в секунду соответственно.

Накопитель Toshiba OCZ RD400 будет предложен в двух версиях: стандартном M.2 модуле или плате расширения PCIe. При этом накопители будут представлены в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ. Надёжность OCZ RD400 достигает 592 TBW (в зависимости от модели). В продажу накопители M.2 должны поступить в ближайшее время по цене в 110, 170, 310 и 740 долларов США за SSD объёмом 128, 256, 512 и 1024 гигабайта соответственно. Версии в корпусе платы расширения обойдутся на 20 долларов дороже

Новая серия клиентских SSD получила название SG5. Как было сказано выше, накопители основаны на микросхемах NAND памяти, изготовленной по 15 нм технологии. Выпуск накопителей в различных форм-факторах, как старом добром 2,5”, так и новомодном M.2 2280 (одно- и двухстороннем), позволяет продукту найти себе применение в различных условиях монтажа.

Кроме эффективной памяти серия SG5 также может похвастать собственной технологией коррекции ошибок, получившей название QSBCTM (Quadruple Swing-By Code), и поддержкой высокоэффективной кодировки коррекции ошибок ECC, которая повышает защищённость пользовательских данных от повреждения и повышает долговечность накопителя.

Таким образом, компания продолжает усиливать свои позиции на рынке SSD, предлагая новые модели накопителей для различных нужд. Поставки опытных образцов накопителей Toshiba SG5 уже начались.

О том, что AMD готовит брендовый SSD накопитель, было известно давно. Не было лишь ясно, как он будет называться и когда поступит в продажу. И вот, как оказалось, твердотельный накопитель будет называться Radeon R7.

Новые SSD будут иметь стандартный 2,5” размер, годящийся как для использования в настольных ПК, так и в ноутбуках. Подключаться он будет по 6 Гб/с интерфейсу SATA3. Скорость чтения и записи будет вполне обычной для этого класса устройств и составит до 550 МБ/с и 470 МБ/с соответственно, в зависимости от объёма накопителя. При случайном доступе блоками по 4K пропускная способность составит 85 000, 95 000 и 100 000 операций ввода-вывода в секунду для накопителей в 120, 240 и 480 ГБ соответственно.

Но кто же будет производить эти SSD? Сообщается, что за Radeon R7 будет стоять контроллер OCZ Indilinx Barefoot 3 и 19 нм MLC память от Toshiba. Таким образом, накопитель AMD будет очень похож на SSD OCZ Vector 150. Выпуск накопителя состоится 13 августа этого года.

Так, мы уже видели накопитель модели Vertex 460, который, по сути, является небольшим обновлением для Vertex 450, а также видели в накопителях OCZ память NAND, произведённую Toshiba по 19 нм техпроцессу.

Теперь же компания представила новый твердотельный накопитель RevoDrive 350, предназначенный для интерфейса PCIe, в котором также применена новая 19 нм память производства Toshiba. И как не сложно догадаться, накопитель будет получать лучшие NAND микросхемы компании.

Новый SSD построен на базе четырёх контроллеров SandForce SF-2282 и интерфейса PCIe x8. По уверению разработчиков, всё вместе это обеспечит скорость последовательного чтения и записи на уровне 1,8 Гб/с. Для случайных операций чтения и записи четырёх килобайтных блоков обещанная производительность составит 140 тысяч и 135 тысяч операций ввода-вывода в секунду соответственно.

Твердотельный накопитель RevoDrive 350 PCIe SSD будет выпускаться в вариантах объёмом 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ. Цена пока не называется.

Сообщается, что в SSD от AMD будет использоваться NAND память от Toshiba, изготовленная по 19 нм техпроцессу и контроллер OCZ Barefoot. Однако новый SSD будет изготовлен по спецификации AMD, а не будет является простым перименовыванием современных моделей.

Надо отметить, что данные слухи согласуются с информацией от Semi Accurate, которая была представлена ещё в 2012 году. Тогда AMD находилась в наихудшем финансовом положении, а значит, о создании собственного SSD не могло быть и речи. В связи с этим ресурс предположил, что компания будет сотрудничать с каким-либо ODM производителем.

По мнению обозревателей, предложив свой SSD, компания AMD сможет представить сборщикам ПК полностью завершённую систему. Безусловно, что отдельные продажи твердотельных накопителей Radeon вряд ли принесут большую прибыль, однако предлагая целую фирменную систему, включающую CPU или APU, GPU, ОЗУ и накопитель, компания может привлечь новых клиентов.

И хотя AMD отказалась комментировать слухи, в Сети ходят предположения, что это будут две модели объёмом 120 и 240 ГБ.

Инноваторы флэш-памяти выпустили 11 различных моделей SSD, форм-фактор которых лежит в диапазоне от 2,5” (при 7 и 9,5 мм толщине) до mSATA, при этом все модели ряда имеют память, изготовленную по 19” техпроцессу, которая впервые была анонсирована в апреле этого года.

Кроме высоких плотностей записи (а значит и объёма), новые SSD используют технологии, оптимизированные для Windows 8. Так, внутри накопителей находится контроллер SATA версии 3.1 с улучшенным управлением питанием; оптимизированный сборщик мусора, повышающий производительность, при этом новый режим будет доступен лишь в Windows 8 и будущих ядрах Linux; оптимизированную для повышения производительности функцию коррекции ошибок QSBC, а также режим «только для чтения», что повышает безопасность и продолжительность работы накопителя в таких системах как IPC.

Представленные модели шириной в 2,5” отличаются только размерами. Все они имеют объём от 64 до 512 ГБ при скорости передачи данных в 524 МБ/с (64 ГБ работает на скорости в 440 МБ/с). Модели форм-фактора mSATA имеют сходную производительность при ёмкости от 64 до 256 ГБ.

Несмотря на анонс накопителей, сделанный в начале лета, приобрести 19 нм SSD от Toshiba удастся не раньше августа 2012 года.

Производитель контроллеров SSD под марками Barefoot и Amigos вводят поддержку TLC — Triple Level Cell NAND Flash (трехуровневая твердотельная память NAND). Вслед за SLC (single bit per cell — один бит на ячейку), MLC (multi bit per cell — множество бит на ячейку, а на самом деле два) TLC — это ячейка памяти, которая, как ожидается, приведет SSD устройства в мейнстрим сегмент, снизит цену с одной стороны и увеличит ёмкость с другой.

По данным аналитического ресурса iSupply, цена за 1 Гб TLC NAND памяти ожидается на уровне порядка 1 доллара, в то время как сейчас 1 Гб памяти MLC стоит $1,20. Для сравнения, один гигабайт SLC памяти стоил 5 долларов.

Учитывая, что Indilinx в настоящее время принадлежит OCZ Technology , было бы логично ожидать, что первые твердотельные накопители на основе TLC мы увидим именно у OCZ.

Так, по данным аналитиков во II квартале этого года продолжится дальнейший двузначный рост контрактных цен на NAND, продолжив рост I квартала, когда цены возросли на 23—28%.

Представленная аналитиками таблица демонстрирует как прошедший рост в I кваратле, так и прогнозы на II. Вслед за контрактными ценами на память дорожают и устройства на её основе. Это значит, что собирая новый компьютер энтузиасты уже заплатят на сотню долларов больше из-за подорожания SSD, и в ближайшие три месяца этот рост продолжится, хоть и не такой активный.

По данным TrendForce во II квартале цена вырастет ещё на 10—15%. Важно отметить, что ожидаемые темпы роста цен на потребительские SSD будут немного ниже, чем на память непосредственно. Аналитики заявляют, что причиной этому является стратегия закупок производителей SSD, который сокращают свои складские запасы, что позволяет не так быстро повышать цену и сглаживать скачки.

Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.

Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.

В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.

Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

SSD AORUS Gen5 10000 был представлен в прошлом году. В ходе анонса было сообщено, что накопитель построен на базе 232-слойной 3D-TLC-NAND-памяти и контроллере Phison E26, изготовленного по 12 нм процессу. Также накопитель содержит DDR4-кэш и SLC-кэширование. В результате, SSD демонстрирует на 37% большую производительность в сравнении с накопителями для шины PCI Express 4.0 (x4).

Скорости чтения и записи у AORUS Gen5 10000 SSD в объёме 1 ТБ составляет 9500 МБ/с и 8500 МБ/с соответственно. Надёжность — 700 ТБ. Модель объёмом 2 ТБ достигает скоростей 10 000 МБ/с и 9500 МБ/с, а надёжность 1400 перезаписанных терабайт.

Очевидно, что этому SSD нужно мощное охлаждение. Модель AORUS Gen5 10000 SSD обладает гигантским радиатором «M.2 Thermal Guard XTREME». Накопитель потребляет порядка 10 Вт в работе и менее 85 мВт в простое. Номинальная наработка составляет 1,6 миллиона часов.

Компания CFD Gaming приступила к поставкам своего первого NVMe-SSD стандарта PCIe Gen5. Соответствующие платформы доступны потребителям уже около года, однако только сейчас стали появляться SSD с соответствующими возможностями.

SSD от CFD появился на японском рынке. Его особенностью стало использование шумного вентилятора на верху радиатора. Пока не ясно, можно ли его использовать с радиатором материнской платы.

Как показал обозреватель, в ходе тестирования этот SSD использовал вентилятор на очень большой скорости, который был более шумным, чем стоковый Core i7-13700K. Возможно, что столь высокие обороты вентилятора вызваны именно режимом тестирования, и в номинальном режиме работы он не будет столь активным.

Что касается скорости, то в быстром тесте CrystalDiskMark накопитель ёмкостью 2 ТБ с лёгкостью прошёл порог в 10 ГБ/с как при чтении, так и при записи. В объёме 1 ТБ накопитель выдаёт чуть меньшую скорость — порядка 9,5 ГБ/с.

Благодаря новому SSD южнокорейский гигант обещает обеспечить высочайшую производительность для ежедневной работы и игр. Так, скорость последовательного чтения в 1,6 раза выше, а записи — в 1,8 раза выше, чем у предшественника PM9B1. Если говорить буквально, то скорость чтения достигает 6000 МБ/с, а записи — 5600 МБ/с. При случайном доступе скорость чтения достигает 900K IOPS, а записи — 1M IOPS.

Кроме того, SSD Samsung PM9C1 обеспечивает на 70% большую энергоэффективность в работе и на 10% в режиме ожидания, что крайне важно для ноутбуков.

Также компания сообщает, что накопители поддерживают стандарт безопасности Device Identifier Composition Engine (DICE), созданный Trusted Computing Group (TCG).

Накопители Samsung PM9C1a будут доступны в объёме 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ и будут предложены в различных форматах M.2. К сожалению, сроки начала продаж компания не называет.

Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.

Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

К счастью, в ближайшие месяцы цена на SSD должна снизиться. Согласно информации TrendForce, на рынке скоро сложится ситуация, которая приведёт к снижению цены.

Во-первых, наблюдается перепроизводство NAND-памяти, и склады производителей заполнены. Во-вторых, потребительский спрос на накопители резко снизился, что приведёт к накоплению на складах готовых изделий, а значит, стремлению производителей от них избавиться, для чего нужно будет снизить цену.

Учитывая эти два фактора аналитики прогнозируют, что к концу текущего квартала цена на SSD снизится (по крайней мере должна) на 8—10%.

Такая сделка станет первым (и возможно последним) крупным рыночным изменением для Kioxia после её ухода из Toshiba Corporation в качестве отдельного бизнеса по выпуску флеш-памяти. Если сделка состоится, то мы получим мегакомпанию, которая включает три крупнейших производителя памяти: Kioxia, Western Digital и SanDisk. При этом первая и последняя компании в списке смогут выпускать передовые и быстрые решения на основе флеш-памяти, в то время как WD обеспечит рынок «тёплыми» и «холодными» хранилищами, то есть, жёсткими дисками.

Технология 5G должна резко увеличить объёмы передаваемых данных, а новый транстихоокеанский консорциум сможет их разместить.

Пока Kioxia отказывается комментировать эту информацию. Компания готовится к размещению акций на бирже, и они будут включать долю Toshiba и Bain Capital. В то же время, на фоне слухов, акции Western Digital поползли вверх. Сумма сделки оценивается в 20 миллиардов долларов.

Серия твердотельных накопителей Plotripper специально создана для высокого ресурса работы, который нужен при майнинге Chia в процессе расчёта криптографически сгенерированных участков. Продукт Plotripper будет доступен в нормальной версии и в версии Pro. Мейнстрим вариант Sabrent Plotripper обеспечивает ресурс 10 000 перезаписываемых терабайт при объёме устройства 2 ТБ. Версия Pro при объёме 1 ТБ имеет ресурс 27 000 перезаписываемых терабайт, а вариант объёмом 2 ТБ — неимоверные 54 000 перезаписываемых терабайт. Для пояснения также нужно сказать, что эти SSD сконфигурированы на запись 100% данных в режиме SLC.

Наверняка этими устройствами заинтересуются и владельцы центров обработки данных. Накопители не будут дешёвыми, но у ЦОД есть деньги. Цена на Sabrent Plotripper пока не называется.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.

Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.

Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.

И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.

По информации Trendforce, общее снижение розничной цены на память обоих типов в IV квартале составит 10%. В начале 2021 года ожидается дальнейшее снижение цены.

Снижение цены на DRAM замедлится, а вот NAND-память продолжит дешеветь. Для потребителей это означает снижение цен на SSD, которое ожидается на уровне 10—15%. В корпоративном сегменте снижение цены составит около 10%. Это приведёт к дальнейшему вытеснению механических накопителей в новых ноутбуках и практически полному отказу производителей от HDD.

Санкции, наложенные США на Huawei, привели к тому, что китайская компания не может покупать комплектующие у США. Часть заказов Huawei перехватили другие производители, однако для поддержания рынка этого недостаточно. Этот фактор приведёт к падению цены на DRAM.

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.