Новости про 19 нм

SanDisk выпускает 4 ТБ SSD

Компания SanDisk представила новый твердотельный накопитель объёмом 4 ТБ, который нацелен на промышленный сегмент.

Производитель впервые подготовил 4 ТБ Optimus Max Serial Attached SCSISSD, который по его мнению идеально подходит для центров обработки данных. Новый накопитель получил eMLC память, изготавливаемую по 19 нм технологическому процессу.

По словам SanDisk, представленный накопитель подходит для использования в местах, где ежедневно происходит его полная перезапись от одного до трёх раз, при этом гарантируется бесперебойная работа SSD в течение пяти лет. Будучи представителем промышленного класса, Optimus Max наделён рядом технологий, которые обеспечивают определение и коррекцию ошибок, полноценную защиту пути данных и восстановления данных при сбоях.

Что касается скоростных характеристик, то здесь стоит отметить возможность проведения накопителем 75/15 тысяч операций ввода-вывода в секунду при чтении/записи, или потока в 400 МБ/с при последовательных операциях.

Накопители ряда Optimus Max будут продаваться через розничную сеть, однако пока SanDisk ничего не сообщила о цене на диски. Разработчик лишь заявил, что модельный ряд будет содержать SSD объёмом 6 и 8 ТБ, однако их стоит ожидать лишь в 2015 году. Модель объёмом 4 ТБ будет доступна к приобретению в третьем квартале.

Toshiba анонсировала первый SSD с чипами NAND класса 19 нм

Компания Toshiba представила первый твердотельный накопитель потребительского класса, в котором использованы микросхемы памяти NAND изготовленный по нормам техпроцесса 19 нм класса.

Инноваторы флэш-памяти выпустили 11 различных моделей SSD, форм-фактор которых лежит в диапазоне от 2,5” (при 7 и 9,5 мм толщине) до mSATA, при этом все модели ряда имеют память, изготовленную по 19” техпроцессу, которая впервые была анонсирована в апреле этого года.

Кроме высоких плотностей записи (а значит и объёма), новые SSD используют технологии, оптимизированные для Windows 8. Так, внутри накопителей находится контроллер SATA версии 3.1 с улучшенным управлением питанием; оптимизированный сборщик мусора, повышающий производительность, при этом новый режим будет доступен лишь в Windows 8 и будущих ядрах Linux; оптимизированную для повышения производительности функцию коррекции ошибок QSBC, а также режим «только для чтения», что повышает безопасность и продолжительность работы накопителя в таких системах как IPC.

Представленные модели шириной в 2,5” отличаются только размерами. Все они имеют объём от 64 до 512 ГБ при скорости передачи данных в 524 МБ/с (64 ГБ работает на скорости в 440 МБ/с). Модели форм-фактора mSATA имеют сходную производительность при ёмкости от 64 до 256 ГБ.

Несмотря на анонс накопителей, сделанный в начале лета, приобрести 19 нм SSD от Toshiba удастся не раньше августа 2012 года.

Toshiba официально представили 19 нм NAND память

В апреле прошлого года компании Toshiba и SanDisk совместно заявили, что впервые в мире им удалось перейти черту 20 нм техпроцесса, изготовив флэш-память по 19 нм топологии. Хорошей новостью было то, что меньшая по размерам, более дешевая и ёмкая NAND память могла быть построена на MLC транзисторах (2 бита на ячейку), при этом 16 кристаллов были упакованы в единую микросхему.

Тогда же Toshiba начали производство 19 нм NAND флэш-памяти, а готовые продукты появились на рынке к осени 2011 года. Однако то были образцы только MLC продуктов, TLC микросхемы, с тремя битами на ячейку, компания обещала представить позднее.

И вот месяц назад Toshiba начала производить 19 нм чипы NAND памяти с тремя битами на ячейку, объёмом 128 Гб. При этом новые чипы стали самыми маленькими в мире, занимая площадь лишь в 170 мм2. Кроме того компания утверждает, что на основе их микросхем будут изготовлены быстрейшие в мире накопители, со скоростью записи в 18 МБ/с.

Безусловно, уменьшение технологии производства TLC чипов вызвало массу проблем, среди которых управление напряжением, усиление записи и коррекция ошибок, которые имеют большое значение при уменьшении норм производства твердотельной памяти. Тем не менее, в Toshiba утверждают, что им удалось оптимизировать периферийную сеть микросхем памяти, а также внедрить технологию воздушных зазоров для транзисторов, благодаря чему расстояние между ячейками памяти было уменьшено до 5%.

Нам лишь остаётся пожелать Toshiba успеха в их работе и ожидать появления первых 19 нм TLC накопителей среди ассортимента продукции партнёров компании.