Компания SK Hynix присоединилась к Samsung, предложив разработчикам смартфонов и планшетов мобильную оперативную память объёмом 8 ГБ. Таким образом в следующем году стоит ожидать появления телефонов с 8 ГБ оперативной памяти, только не понятно, для чего она нужна.
Компания SK Hynix добавила в линейку своих продуктов одноядерные чипы памяти DDR4 объёмом 16 Гб, что обеспечивает удвоение максимальной ёмкости планок DIMM.
Это позволяет компании выпускать модули того же объёма, что раньше, используя для этого вдвое меньше микросхем. В результате снижается энергопотребление модулей и появляется возможность создания модулей повышенного объёма. Это очень важно, поскольку позволят экипировать сервера от Intel или AMD модулями ОЗУ общим объёмом 4 ТБ.
Чипы SK Hynix 16 Гб DDR4 организованы как 1Gx16 и 2Gx8 и собраны в пакеты FBGA96 и FBGA78. Микросхемы объёмом 16 Гб предлагают скорости DDR4-2133 CL15 или DDR4-2400 CL17 при напряжении 1,2 В. В будущем компания обещает увеличить частоты, выпустив линейки DDR4-2666 CL19.
Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.
В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.
Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.
Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.
Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.
Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.
Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.
SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.
Хотя чипсет Intel X99, вместе с процессорами Haswell-E, не поступит в продажу раньше сентября, один производитель памяти уже начал продажи модулей DDR4, пока лишь в Японии.
Стандарт памяти наконец-то получил обновление. Первой платформой, которая её поддерживает, станет Intel с чипсетом X99.
И для тех, кто хочет заполучить пока бесполезную память DDR4, один компьютерный магазин в Японии уже начал продавать модули объёмом 16 и 32 ГБ по цене в 350 и 685 долларов США соответственно. Конечно, цена немного шокирует, но не забывайте, что это первое предложение на рынке. Предлагаемые модули памяти изготовлены компанией SanMax из чипов производства SKHynix.
Память DDR4 поддерживает намного большую скорость передачи данных на уровне 2133—4266 МТ/с, в то время как предшественник работал на скоростях 800—2133 МТ/с. Новая память будет иметь и увеличенное количество контактов — 288, по сравнению с 240, и будет питаться напряжением 1,2 В.
Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.
Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу.
«Разработка первого в мире 128 ГБ модуля DDR4 является важным в открытии серверного рынка ультравысокой плотности», — заявил Сун Джу Хон, глава подразделения DRAM в SK Hynix. «В дальнейшем компания усилит свою конкурентоспособность и сфере премиальной ОЗУ, разрабатывая высокоплотные, сверхвысокоскоростные и слабомощные потребительские продукты».
Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.
Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.
В 2024 году компания Intel готовит новый сокет, который обеспечит ей новые возможности с новым поколением процессоров.
В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.
Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.
Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.
С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.
Компания SK Hynix завершила верификацию производительности памяти LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo), которую провела в связи с мобильными чипами MediaTek нового поколения.
Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.
Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.
Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.
Оперативная память производится по куда менее тонкой технологии, чем делают центральные или графические процессоры, однако производители DRAM также продолжают сокращать техпроцесс.
При этом такие уменьшения размеров элементов не дают такого же эффекта, как для большинства полевых транзисторов, используемых для системной логики. Тем не менее, SK Hynix начала отправку партнёрам пятогого поколения своей памяти DRAM, с техпроцессом 1β. Целью этой отправки стала проверка работы новой памяти с системами крупнейших производителей. Что такое 1β? Это процесс, в котором размер элементов составляет 12 нм.
По информации корейской Chosun Media, в процессе верификации будет принимать участие Intel, которая уже завершила этот процесс для четвёртого поколения памяти 1α от той же SK Hynix. Процесс проходил на процессорах Xeon Scalable, а поскольку память 1β также предназначена для применения в серверах, стоит ожидать, что те же процессоры будут применены и для верификации новой памяти.
Память 1β DRAM покажет на 40% большую эффективность, однако касается это энергетической эффективности или какой-то ещё, не ясно.
Примечательно, что SK Hynix — это не единственная компания, которая выпускает память по технологии 1β. В декабре прошлого года Samsung также анонсировала технологию 1β для памяти DRAM, используя для производства процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии.
Компания SK Hynix представила миру новую оперативную память LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo), которая работает на скорости 9,6 Гб/с в составе стандартных модулей памяти LPDDR5X.
При скорости 9,6 Гб/с память LPDDR5T оказывается на 13% быстрее стандартной памяти LPDDR5X со скоростью 8,5 Гб/с, которая была представлена в ноябре 2022 года. Именно поэтому новое более быстрое решение получило дополнительное имя Turbo.
Отмечается, что компания уже поставляет модули LPDDR5T клиентам в виде мультичиповых модулей объёмом 16 ГБ, которые могут передавать 77 ГБ данных в секунду. Для сравнения, память LPDDR4 в LPDDR4 Nintendo Switch работает на скорости 25,6 ГБ/с.
Компания сообщает, что готовится к началу массового производства памяти LPDDR5T, используя технологию 1а нм (четвёртое поколение 10 нм технологии) во второй половине этого года. Кроме этого, SK Hynix объявила о своих планах «сохранить лидерство на рынке при разработке следующего поколения памяти LPDDR6».
Компания SK Hynix сообщает, что она готова к созданию самой быстрой серверной памяти DDR5, которая будет способна работать на скорости до 8 Гб/с или 8000 МТ/с.
Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.
Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.
Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.
Компания SK Hynix на конференции 2022 Intel InnovatiON представила модули памяти для серверов необычного объёма.
Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.
Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.
Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.
В скором времени компания Intel выпустит процессоры 13-го поколения Core, которые будут основаны на новых платформах. Топовым чипсетом станет Z790, но даже несмотря на свой статус, этот чипсет будет поддерживать устаревшую память DDR4.
Учитывая скорый релиз новой платформы, производители материнских плат активно занимаются разработками, а потому, иногда происходят утечки сведений. И вот, подобная интересная новость пришла от MSI.
Сайт Videocardz опубликовал сведения, что некоторые, не топовые, модели материнских плат MSI для сокета LGA1700 с чипсетом Z790, будут по-прежнему работать с памятью DDR4. При этом нет сомнений, что приоритетным будет использование памяти DDR5 с максимальной частотой 6800 МГц, и выпуск Alder Lake показал, что этот тип памяти принимается пользователями успешно.
Что касается DDR4, то она будет поддерживаться в максимально возможной конфигурации с частотой 5333 МГц.
Компания Micron объявила о том, что впредь не будет выпускать игровую память высшего класса под маркой Crucial Ballistix. Причины этому остаются неизвестны.
Бренд Crucial Ballistix прекращает своё существование. Компания не имеет планов по дальнейшему выпуску продукции этого типа. Это касается таких брендов как Ballistix, Ballistix Max и Ballistix Max RGB. Компания не стала пояснять причины такого шага, при этом нигде в прессе или собственных сообщениях не шла речь о прекращении выпуска модулей памяти DDR5/DDR4 в принципе. Также компания продолжит работу на своими «NVMe и SSD» накопителями.
Компания одной из первых представила модули стандарта DDR5 для настольных ПК, даже раньше выхода процессоров 12-го поколения Core Alder Lake-S, которые пока единственные на рынке поддерживают эту память. В то же время, Crucial никогда ничего не говорил о серии Ballistix DDR5, а значит, планы по закрытию бренда существовали достаточно давно.
Компания SK Hynix анонсировала новое поколение чипов памяти со встроенными вычислительными возможностями. Новая память получила название GDDR6-AiM (Accelerator In Memory).
Компания представила первый образец памяти GDDR6-AiM, работающий на скорости 16 Гб/с. Новая память отличается от предыдущих решений, поскольку содержит дополнительные вычислительные возможности, что позволяет снимать часть нагрузки с GPU или CPU, и увеличивать конечную производительность до 16 раз.
Новая память GDDR6-AiM предназначена для систем машинного обучения, высокопроизводительных расчётов, устройств хранения и Big Data. Память GDDR6-AiM питается напряжением 1,25 В, что на 0,1 В ниже, чем у GDDR6. Кроме того, благодаря вычислительным возможностям снижается объём передаваемых данных между памятью и CPU+GPU, что в сумме обеспечивает снижение энергопотребления на 80%.
Отмечается, что благодаря новой памяти SK Hynix сможет построить новую экосистему с собственным вычислительным функционалом.
Компания SK Hynix анонсировала начало поставки опытных образцов оперативной DDR5-памяти объёмом 24 Гб, что является самой плотной микросхемой памяти на рынке.
Компания подготовила самую плотную в мире память всего через 14 месяцев после выпуска первой микросхемы DDR5, усилив свои лидерские позиции на этом рынке.
Новые микросхемы объёмом 24 Гб изготовлены по технологии 1a нм, в которой применяется процесс ультрафиолетовой литографии. Объём одной микросхемы памяти стал на треть выше, поскольку существовавшие ранее чипы имели объём 16 Гб. Кроме этого SK Hynix сумела на 25% снизить энергопотребление, в сравнении с нынешними продуктами, а также снизила энергопотребление при производстве памяти, что положительно скажется на экологии.
Память объёмом 24 Гб будет использоваться в изготовлении модулей объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Использоваться она будет в высокопроизводительных серверах, облачных ЦОД и высоконагруженных системах вроде искусственного интеллекта и машинного обучения, а также для реализации метавселенных.
Компания Innodisk выпускает модули памяти DDR4, которые могут работать в условиях от -40 °С до +125 °С.
Представленный формат Ultra Temperature расширяет стандартные для промышленности рабочие температуры модулей памяти. Теперь для промышленности открыта дверь к новым решениям, недоступным ранее. Повышенная надёжность подтверждена различными экстремальными тестами. В первую очередь это касается беспилотных автомобилей и авиации, которые работают в тяжёлых условиях.
Серия памяти Ultra Temperature обладает скоростью DDR4-3200 и представлена в версиях SODIMM и ECC SODIMM в объёмах 16 ГБ и 32 ГБ. Память обладает повышенной защитой, а также утолщёнными золотыми контактами в 1,1 мм, против 0,76 мм в обычных модулях. Кроме того, разработчики защитили и усилили хрупкие паянные соединения, сделав их стойкими к термическому и механическому воздействую. Дополнительным защитным уровнем уязвимых деталей стала защита от серы, которая вызывает коррозию серебра.
Память серии Ultra Temperature от Innodisk уже доступна для опытного заказа избранным потребителям.
Один из мировых лидеров в производстве оперативной памяти, компания SK Hynix, разрабатывая пакеты HBM3 рассчитывала, что скорость её работы составит 665 ГБ/с, однако в реальности этот показатель оказался намного выше.
Компания SK Hynix официально заявила, что её память HBM3 обеспечивает максимальную скорость передачи данных в 819 ГБ/с.
Таким образом SK Hynix стала первой в мире фирмой, представившей рыночный образец памяти HBM3. Разработчики уверяют, что это самая быстрая память в мире, и скорость её работы на 78% выше, чем у предшественницы HBM2E. Для понимания, 819 ГБ/с — это передача 163 фильмов в FullHD за одну секунду.
Модули новой памяти предлагаются в объёмах 24 ГБ или 16 ГБ. Все они имеют коррекцию ошибок данных благодаря встроенной системе ECC. Модули объёмом 24 ГБ имеют толщину 30 мкм, что в три раза тоньше листа бумаги. Память HBM3 предназначена для высокопроизводительных центров обработки данных и платформ машинного обучения, обеспечивает высокую скорость в задачах искусственного интеллекта и суперкомпьютерах.
Процессоры Alder Lake-S характеризуются гетерогенной архитектурой. Кроме этого, важным новшеством станет возможность применения памяти DDR5.
Мы знаем, что память этого типа несёт массу преимуществ и хороший прирост в скорости работы. Но насколько этот прирост большой? К счастью, стали известны первые оценки производительности памяти DDR5.
Благодаря тому, что 12-е поколение процессоров Intel содержит контроллеры памяти DDR4 и DDR5, появилась возможность сравнительного тестирования скорости работы памяти обоих типов. В тесте приняли участие модули DDR5-4800 и DDR4-3200, а сам тест проходил в утилитах Userbenchmark и Geekbench. И оказалось, что разница не такая уж и большая.
Так, в одноядерном тесте между DDR5-4800 и DDR4-3200 разницы почти нет. А вот в мультиядерном тесте в одном случае прирост оказался более значительным, хоть и не поразительным.
Если внимательно посмотреть на проведённые тесты, можно найти массу нестыковок, которые снижают точность результатов. Так, для разных тестов использовались разные процессоры Alder Lake-S, а также разные материнские платы. Модули памяти имели разный объём и производились разными компаниями. Так что говорить о точных величинах прироста не приходится. Тем не менее, полученные данные можно рассматривать как некий индикатор, и он явно не сулит ничего фантастического.
Учитывая, что одна планка памяти уже достигла объёма 32 ГБ, компания TeamGroup решила выпустить набор, состоящий из 8 таких планок, что делает её идеальным набором для таких платформ как Intel Cascade Lake-X и AMD Ryzen Threadripper.
Представленный набор памяти T-Force Xtreem работает на частоте 3600 МГц и обладает задержками CL 18-22-22-42. Это не лучший показатель, однако обеспечить более быструю работу в модулях объёмом 32 ГЬ крайне сложно. Однако такая частота прекрасно согласуется с AMD CPU Infinity Fabric, что делает её идеальным решением для использования с процессорами Ryzen Threadripper.
Производитель выбрал дизайнерский подход к внешнему виду памяти и обеспечил ей зеркальную отделку с ARGB-подсветкой, добавив немного красок в традиционно скучное оформление рабочих станций. Так что, если выработаете с трёхмерными матмоделями в САПР, редактируете видео или сводите аудио студии, проводите тяжёлые научные вычисления, то такой набор, объёмом 256 ГБ, будет как нельзя кстати. Он сохранит высокую производительность вашей машины, даже если вы забудете закрыть десяток вкладок в Chrome.
Один из крупнейших производителей микросхем памяти, компания SK Hynix, заявила о том, что некоторые из её продуктов DRAM оказались дефектными. Об этом компания сообщила изданию The Register.
В Сети появились слухи, что SK Hynix произвела огромное количество дефектных микросхем памяти. Сама фирма прокомментировала это следующим образом: «Мы подтверждаем, что в нескольких продуктах DRAM были выявлены дефекты. Сейчас мы ведём переговоры с ограниченным количеством вовлечённых клиентов, чтобы решить проблему. Пока ещё слишком рано оценивать потенциальные убытки, однако мы не думаем, что они будут значительным, поскольку дефект заключён в объёме типичной проверки качества».
Компания отметила, что количество дефектных продуктов, которые были поставлены, сильно преувеличено. «Масштабы потенциальных потерь, о которых гласят слухи, совершенно неправдивы и гиперболизированы», — сообщили в SK Hynix.
По слухам, речь идёт о 240 000 дефектных блинов, что является невероятно большим количеством и вызывает беспокойство, особенно на фоне имеющегося мирового дефицита микросхем.
После этих сообщений акции компании упали на 0,78%. Учитывая негативное влияние на репутацию из-за сложившейся ситуации, SK Hynix обратилась в полицию, чтобы там провели расследование и нашли источник неправдивых слухов.
Компания Micron сообщила, что начала массово производить микросхемы DRAM используя новейшую технологию 1α (1-альфа).
Изначально компания использует эту технологию для производства микросхем LPDDR4X и DDR4 объёмом 8 Гб, однако позднее она будет распространена на все остальные чипы DRAM.
При этом в отличие от конкурентов Micron не планирует использовать для этого экстремальную ультрафиолетовую литографию как минимум ещё несколько лет. Однако поскольку компании нужно продолжать увеличивать плотность микросхем и снижать стоимость производства одного бита, ей нужно полагаться на иные инновационные решения. Процесс 1α от Micron обеспечивает на 40% большую плотность и на 15% меньшее энергопотребление, чем 1Z. Кроме того, такая память имеет больший разгонный потенциал. Компания улучшила конструкцию массива и использует новые материалы, включая лучшие проводники, лучшие изоляторы и новую систему обработки, размещения, модификации или избирательного удаления этих материалов.
Сейчас компания уже массово производит 8 Гб микросхемы DDR4 по технологии 1α. Также в этом месяце она начнёт поставки микросхем LPDDR4X. Однако затем она планирует перевести всю продукцию на процесс 1α, включая микросхемы DDR5, HBM2E и GDDR6/GDDR6X.
Компания G.Skill представила новую серию оперативной памяти DDR4, предложив всем владельцам ПК отличную производительность и завораживающий внешний вид.
Память Trident Z Royal Elite обладает 8-зонной полноцветной подсветкой. Объём модулей достигает 32 ГБ, а частота может быть установлена на уровне 5333 МГц.
Память Trident Z Royal Elite имеет притягательный многогранный дизайн радиаторов из полированного алюминия. После целого года проб и ошибок разработчики создали трёхмерную структуру из цельного куска алюминия. Каждый радиатор Trident Z Royal Elite разделён на 76 отдельных граней, что придаёт им неповторимый внешний вид. Кроме того, модули оснащены фирменной светящейся полосой, подчёркивающей дизайн модулей.
Возможно, это не самая быстрая память от G.Skill, но уж точно самая привлекательная. В продажу память Trident Z Royal Elite поступит в мае этого года.
Компания SK Hynix начала массовые продажи самых ёмких в мире пакетов LPDDR5. Новые устройства имеют объём 18 ГБ. Они созданы преимущественно для смартфонов хай-энд уровня и ноутбуков, в которых используются чипсеты с поддержкой LPDDR5.
Пакеты LPDDR5 объёмом 18 ГБ от SK Hynix включают различные устройства в области памяти и поддерживают скорость передачи данных в 6400 МБ/с, самую высокую, из доступных по спецификации на этот тип ОЗУ. Кроме того, новые пакеты предлагают на 11,7% большую ёмкость, по сравнению с микросхемами объёмом 16 ГБ.
В компании не сообщают, по какой технологии производится новая память, но очевидно, что речь идёт об одном из передовых процессов.
Одним из первых претендентов на применение памяти SK Hynix 18 ГБ LPDDR5-6400 станет игровой смартфон Asus ROG 3. Также эти пакеты могут появиться в топовых моделях ноутбуков и планшетов с 18 ГБ или 36 ГБ ОЗУ.
Производитель памяти Teamgroup сообщил о том, что компания приступила к валидации первых потребительских модулей памяти DDR5.
В настоящее время она тестирует модули объёмом 16 ГБ и частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В. Эти значения совпадают с объявленными в октябре SK Hynix величинами для микросхем памяти. Компания рассчитывает стать пионером рынка DDR5 и выпустить свои первые наборы уже в III квартале 2021 года.
Первой платформой для памяти DDR5 должна стать Intel Alder Lake-S, которая появится примерно в то же время. Что касается AMD, то она выпустит платформу с DDR5 немного позднее, в 2022 году, когда будут готовы процессоры архитектуры Zen 4. Эти процессоры, по слухам, будут использовать сокет AM5.
По словам Teamgroup, её память DDR5 не будет требовать от пользователей входа в BIOS и выставления рабочих частот или включения технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP). Память должна сама запуститься на проверенной частоте по умолчанию, при условии, что ваш процессор и материнская плата её поддерживают.
Китайский оверклокер BABY-J установил новый рекорд работы оперативной памяти, который составил 7 ГГц.
Для достижения частоты в 7004,2 МГц он использовал охлаждение жидким азотом. За основу он взял память DDR4 Crucial Ballistix Max с номинальной частотой 4000 МГц. Разгон выполнялся на плате MSI MEG B550 Unify и процессоре AMD Ryzen 5 Pro 4650G.
Таким образом BABY-J стал первым оверклокером, достигшим барьера в 7 ГГц на памяти DDR4. Это означает, что разгон составил 75,1%. Результаты подтверждены HWBOT.
Предыдущий мировой рекорд разгона памяти составлял 6666 МГц, и он также был установлен на модулях Crucial Ballistix Max. Новый рекорд может стать последним для этого типа памяти, ведь на пороге уже стоит память DDR5, которая обеспечит повышение базовой частоты.
В современных системах вполне обычной является частота памяти 3200 МГц, однако всего 5 лет назад компьютеры с DDR3 имели память частотой 1600 МГц. Производительность процессоров и накопителей растёт, так что и память должна идти в ногу с этими изменениями.