Новости про flash-память и Micron

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

После этого компания продолжала реализовывать решения на базе флэш-памяти, включая карты CF, SD и USB накопители.

Однако теперь родительская компания Micron Technology объявила о прекращении продаж сменных накопителей под маркой Lexar. Данное решение было принято как часть стратегии Micron по концентрации на более прибыльных рынках. При этом Micron планирует продать часть или весь бизнес Lexar.

Компания пообещала продолжить поддержку нынешних клиентов в течение всего периода смены владельца.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

Пока неизвестно, когда компания планирует начать выпуск SSD на основе TLC памяти, но Марк Дюркан, исполнительный директор и президент Micron, предположил, что массовый выпуск TLC памяти вряд ли произойдёт до 2015 года.

И хотя сейчас память TLC уже выпускается, объёмы этого производства скорее можно считать опытными. Этот новый тип памяти обещает быть более выгодным в производстве по сравнению с MLC NAND, однако заметно менее долговечным.

«Первоначальным применением для 16 нм TLC компонентов станет потребительское и розничное направления», — заявил Марк Дюркан. «До сегодняшнего дня никто не достиг большого успеха даже в клиентской сфере использования TLC памяти, и я думаю, что необходимо, чтобы коррекция ошибок и возможности обеспечения достаточной надёжности TLC были воплощены для поставки в сектор SSD. Но мы всё ещё думаем, что это произойдёт где-то в 2015 календарном году, и мы не видим, что это может случиться в масштабе 2014 года».

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

Новый чип позволяет хранить три бита информации на ячейку, что, как известно, называется технологией TLC (triple-level-cell), а это в свою очередь позволяет создать невероятно компактные решения по хранению данных.

Имея площадь в 146 мм², новое 128 Гб TLC устройство на четверть меньше, чем аналогичный 20 нм чип Micron, но изготовленный по технологии многоуровневых (а по сути двухуровневых) ячеек (MLC).

Новый чип нацелен на рынок недорогих сменных накопителей (флэш карты и USB брелки). Ожидается, что эти микросхемы займут в 2013 году 35% (по объёму данных) всей продукции компании для таких накопителей. Сейчас же речь идёт лишь об опытных образцах 128 Гб TLC NAND памяти. Массовое же производство запланировано на второй квартал.

«Это самое маленькое, самое высокоёмкое устройство на флэш-памяти NAND на рынке. Оно открывает новый класс потребительских устройств хранения данных», — заявил Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. «Каждый день мы изучаем новые и инновационные способы использования флэш накопителей, укрепляя энтузиазм и возможности Micron. Мы нацелены на расширение нашего портфеля лидирующих решений флэш накопителей, которые служат нашим проводником к клиентской базе».

В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.

Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.

На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.

Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.

Разработанные чипы могут иметь ёмкость от 256 Мб до 1 Гб, при этом скорость чтения достигает 54 МБ/с при условии работы памяти на частоте 108 МГц.

Линейка памяти, изготавливаемая по технологическим нормам  65 нм, получила название N25Q. Чипы требуют питания напряжением от 1,8 до 3 В и могут подключаться по одиночному, двукратному или четырёхкратному интерфейсу (SPI, DSPI или QSPI соответственно), благодаря чему память прекрасно подходит как для современных, так и для будущих сетевых медиаустройств, сет-топ боксов, автомобильной и потребительской электроники.

«В дополнение к продвижению самой плотной в мире, высокопроизводительной SPINOR памяти, семейство N25Qпредоставляет аппаратную и программную совместимость среди памяти различных плотностей, от 32 Мб до 1 Гб», заявил Том Эбай (Tom Eby), вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group. «Когда необходимо комбинирование в условиях диапазона температур, существующих в промышленности, разброса в возможности питания напряжением от 1,8 до 3 В, а также долговечности программы PLP от компании Micron, тогда это семейство продуктов идеально обеспечивает потребности плотного рынка в SPI NOR памяти».

Производитель заявляет, что первые образцы чипов памяти семейства N25Q ёмкостью 1 Гб, 512 Мб и 256 Мб уже изготовлены.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.