Новости про 14 нм и процессоры

Сайт VR-Zone сообщает, что будущий серверный процессор Broadwell-EP или EX Xeon, будет содержать до 18 вычислительных ядер. Он будет изготовлен по 14 нм техпроцессу и будет предложен в нескольких вариантах. К примеру, одна из моделей будет содержать 10 ядер и будет предназначена для производительных домашних и промышленных компьютеров, в то время как 12-и и 16-и и 18-и ядерные модели предназначены для серверов.

Появление нового поколения процессоров Intel ожидается в первой половине 2014 года. Ими станет обновлённая линейка Haswell. Следующим поколением станут чипы Broadwell, которые получат резкое уменьшение технологического процесса до 14 нм. В сентябре исполнительный директор Intel Брайан Крзанич также сообщил, что процессоры, запланированные на 2015 год, получат 30% прирост в мощности, по сравнению с Haswell.

Нет сомнений, что Intel подготовит и мобильные версии этих чипов. Сайт CPU World сообщает, что мобильные Broadwell будут иметь тепловыделение на уровне 4,5 Вт, что сделает их идеальным решением для планшетных ПК.

Как нетрудно догадаться, Intel отказалась прокомментировать данную информацию.

При этом стоит отметить, источники информации ничего не сообщали о деталях будущих контрактных отношений.

В настоящее время известно, что компания Samsung будет использовать 14 нм FinFET процесс для производства доли чипов Apple iPhone серии A в 2015 году. В помощь ей придёт TSMC со своей 16 нм FinFET технологией, отмечают источники. При этом основную часть, 60—70% производства, для Apple будет расположено в TSMC, ну а оставшейся долей производства, в 30—40%, займётся южнокорейская компания.

Правда, источники не исключают и возможности того, что оба производителя поделят заказы поровну.

В настоящее время 2,3 ГГц является предельной частотой для 28 нм Snapdragon 800 и Tegra 4i (Grey), которые выйдут в конце этого или начале следующего года.

И как обычно, чтобы преодолеть данное ограничение, необходимо использовать техпроцесс с меньшим размером транзисторов. 20 нм процесс TSMC позволит на 30% поднять скорость и в 1,9 раза увеличить плотность при 25% снижении энергопотребления. Тридцатипроцентное ускорение означает, что частота SoC ARM будет находиться на уровне 3 ГГц со значительным увеличением числа транзисторов, используемых в основном под нужды GPU. Скорее всего, именно таким образом компания NVIDIA и обеспечит установку видеоядра Kepler в процессор Logan, однако пока подтверждения этому нет.

Снижение энергопотребления на 25% будет означать на четверть увеличенный срок автономной работы, а поскольку малый срок автономной работы является основным недостатком смартфонов, данная модификация будет крайне важной для потребителей.

Такой технологический переход значительно улучшит позиции альянса ARM в конкуренции с производителями x86 процессоров. Но не стоит забывать, что Intel и AMD не дремлют. В 2014 году Intel планирует выпустить свой 14 нм Atom, предназначенный для планшетов и смартфонов, а AMD, в то же время, при производственной поддержке GlobalFoundries, собирается выпустить свои 14 нм чипы для планшетов и ноутбуков.

Показанная компанией дорожная карта немного разочаровала, поскольку эксперты рассчитывали, что переход на более тонкие процессы произойдёт несколько раньше.

Итак, согласно дорожной карте, 14 нм и 10 нм чипы, предназначенные для использования в сетевых, мобильных и потребительских устройствах, выйдут соответственно в 2014 и 2015 годах. Как мы знаем, обе технологии будут представлены в чистом и гибридном виде, который предполагает смешанное использование технологий FinFET для 10 нм процесса и BEOL для 14 нм.

Дальнейшее совершенствование технологии и переход на 7 нм произойдёт лишь в 2017 году. К сожалению, пока не сообщается, будет ли это чистый техпроцесс или смешанный, как это произойдёт с 14 и 10 нм.

Радует лишь то, что 2017 год назван не как год для выпуска первых образцов, а как год начала массового производства микросхем с размером элементов в 7 нм. И нет сомнения, что среди этих процессоров окажутся CPU и APU от AMD.

По заявлению южнокерейского гиганта, компания «успешно отпечатала множество тестовых образцов» своего 14 нм техпроцесса. Кроме того было объявлено о подписании соглашения с ARM о разделении интеллектуальной собственности по 14 нм техпроцессу и библиотекам.

14 нм технология станет наследником 22 нм процесса и проложит путь дальнейшего совершенствования будущих поколений систем-на-чипе. Старший вице-президент Samsung Геесун Чои заявил, что мир всё ближе подходит к поистине мобильным вычислениям, дизайнеры чипов получают максимум преимуществ от производительности и низкого энергопотребления 14 нм процесса FinFET, что обеспечит производительность в мобильных устройствах такую же, как и на ПК.

Чои также отметил, что сложность конструирования 14 нм систем заключается в полной гармонизации процесса производства, методологии конструирования, инструментов и интеллектуальной собственности. Samsung синхронизировала все ключевые элементы, так что её клиенты могут получать новейшие на рынке чипы быстро и эффективно.

Компании Samsung, ARM и их партнёры Cadence, Mentor, и Synopsys отпечатали «полноценный процессор ARM Cortex-A7», а также ряд других тестовых чипов с использованием 14 нм техпроцесса. Корейская компания назвала отпечаток Cortex-A7 «важным этапом в производстве микросхем для экосистемы компаний не имеющей заводов.

Также партнёры экосистемы создали пакет разработчика 14 нм процесса (PDK), доступный для компаний-разработчиков микросхем, не имеющих собственного производства, но лицензировавших архитектуру ARM.

Он сообщил, что Intel надеется выпустить 14 нм производство уже к концу 2013 года. Этот процесс будет проходить по графику подготовки процессоров следующего поколения, известных под кодовым именем Broadwell, которые поступят в массовое производство в 2014 году.

Сам техпроцесс называется P1272 и предусматривает использование элементов схемы равных 16 нм, однако в Intel предприняли некоторые шаги, которые позволили уплотнить элементы кристалла. Разработчики сумели расположить элементы более плотно, чем ожидалось 6 лет назад, когда этот техпроцесс был только анонсирован. В результате Intel получила более энергоэффективную дорожную карту, в отличие от более ранней,  направленной на высокую производительность.

Говоря о будущем компании, были отмечены исследования в области 10 нм технологии, которая запланирована на 2015 год. В то же время Intel работает и над 7 нм, и даже над 5 нм техпроцессами, но Бор не уточнил ожидаемые сроки их поступления в производство.

Если Intel продолжит обновление техпроцесса теми же темпами, то при условии выхода 10 нм литографии в 2015 году, 7 нм появятся в 2017, а 5 нм технология — в 2019 году.

В этой беседе наши коллеги обсудили с Блимером технологические перспективы развития компании после перехода на 22 нм технологические нормы, которые будут использованы в центральных процессорах семейства Ivy Bridge. К сожалению, Блимер не стал заострять внимание на технических деталях вопроса, и не указал даже примерный срок, когда новые технологические решения появятся на свет. Однако он отметил, что в них в полной мере будут использована трёхмерная транзисторная технология Tri-Gate, такая же, как и в Ivy Bridge, а также то, что тестовая электросхема будущей технологии уже работоспособна.

«Нам нужно продолжать и вы можете мне поверить, что в наших лабораториях мы уже имеем работающее следующее, после 22 нм, поколение, так что нам нужно продолжать… Я действительно не могу рассказать об этом ничего большего, кроме как то, что в лабораторных условиях мы уже стоим на пути, наши инженеры уже стоят на пути запуска и производства 14 нм продуктов… И я думаю, что самым важным нашим достижением стали металлические 3D затворы, и лишь конструкция затворов, на самом деле, может обеспечить более эффективное использование энергии и меньшее выделение тепла».

Напомним, что летом компания сообщала и о дальнейших производственных планах. Тогда, 14 нм техпроцесс планировался к внедрению в 2014 году, а 10 нм — около 2018 года.

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.