Новости по теме «Samsung сообщает о повышении цены на DDR3»

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Южнокорейская компания сократит производство ОЗУ на 30%. В связи с этим снижением выпуска аналитики ожидают рост цены, который произойдёт уже в августе или сентябре.

Новые смартфоны iPhone будут включать 2 ГБ памяти LPDDR4 вместо 1 ГБ в прошлых моделях, что означает резкое увеличение количество приобретаемой памяти, по сравнению с прошлыми годами. Чтобы гарантировать себе достаточное количество микросхем памяти, Apple решила приобретать её не только у Samsung, но и у SK Hynix и Micron.

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

По информации DRAMeXchange контрактные цены на модули памяти DDR3 объёмом 4 ГБ в сентябре уже выросли на 14,3% до 32 доллара за планку. Это стало следствием пожара на заводе по производству памяти компании Hynix.

И хотя завод производит память для видеокарт GDDR5, а руководство уверяло в том, что производство при инциденте не пострадало, в октябре цены на оперативную память DDR3 вновь вырастут, ещё на 10%.

Если это предсказание верно, то может случиться, что к концу октября 4 ГБ модули памяти DDR3 будут стоить от 35 до 38 долларов США.

Сейчас, по существующим оценкам, повреждения на заводе Hynix повлияли на 50% всего производства ОЗУ. Таким образом, до конца этого года вполне стоит ожидать дальнейшего подорожания памяти.

Месяц назад на заводе Hynix в китайском Уси произошёл пожар. И хотя руководство компании утверждало о том, что особых проблем с отгрузкой не будет, и что производство практически не пострадало, сейчас цены на оперативную память оказались самыми высокими за последние два года. Такую информацию распространило агентство Bloomberg.

Аналитики ожидают, что цены на чипы памяти продолжат свой рост на протяжении всего четвёртого квартала, либо же до тех пор, пока производство не возрастёт до нормальных объёмов. Так, на прошлой неделе, цена на 2 гигабитный чип памяти DDR3 составила 2,27 доллара, по сравнению с 1,60 доллара 4 сентября, когда пожар на заводе Hynix привёл к остановке производства. Таковы данные DRAMeXchange, крупнейшего азиатского рынка комплектующих.

Компания Hynix является вторым крупнейшим мировым поставщиком чипов памяти. В списке её клиентов присутствуют такие гранды IT как Apple, Dell и Sony. Сейчас фирма значительно нарастила производство на заводе Южной Кореи, чтобы снизить влияние произошедшего пожара на рынок.

Но теперь, по мнению аналитиков DigiTimes, цена на DDR3 пойдёт вверх. В попытках создать дефицит производители ОЗУ давно снижают объёмы производства DDR3, переводя мощности на выпуск памяти для серверных систем и растущего мобильного рынка. В начале января 4 ГБ модули DDR3 на контрактном рынке продаются по цене от 17 до 17,5 долларов за штуку.

Однако комбинация различных факторов, включая снижение объемов производства памяти для PC и переход на производство мобильных чипов, к концу января позволила повысить цены на оперативную память на 10%. При этом тенденция роста сохранится и на февраль благодаря усилиям поставщиков, отмечает источник.

Эксперты отмечают, что данный рост цен наконец-то позволит производителям чипов «перекрасить» свои бухгалтерские отчёты из красного в чёрный, поскольку новая цена должна обеспечить прибыльность производства DDR3 в 2013 году.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.

Новые наборы ОЗУ предназначены для работы в четырёхканальном контроллере и должны работать с новыми процессорами, которые устанавливаются в сокет LGA 2011, наряду с оригинальными 32 ГБ модулями анонсированных компанией месяц назад.

Комплекты Dominator и Vengeance будут использовать технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP) версии 1.3, которая позволяет легко подстраивать производительность модулей. В наборах Dominator используются обычные радиаторы DHX+, в то время как в модулях Vengeance алюминиевый тепловой спредер.

Модули Dominator доступны в частотных вариантах от 1600 МГц до 2400 МГц, с ёмкостью от 8 ГБ (4 модуля по 2 ГБ) до 32 ГБ (4 модуля по 8 ГБ). Vengeance доступны в частотах от 1600 МГц до 1866 МГц и тех же объёмах.

Dominator

Vengeance

Некоторые из компаний-производителей памяти даже были вынуждены изменить свои рыночные планы на оставшийся период 2011 года.

По информации Digitimes, котировка мейнстрим модулей памяти DDR3 ёмкостью 2 Гб упала ниже 1 доллара, но ещё хуже то, что существующая тенденция по снижению уровня продаж вряд ли изменится в обозримом будущем.

Одной из возможных причин снижения спроса на микросхемы памяти является слабые продажи ПК и ноутбуков. В то же время планшетные компьютеры и сервера не обеспечивают объём продаж достаточный для преодоления кризиса.

Некоторое время назад Samsung начали активное продвижение памяти изготавливаемой по технологии 20 нм класса, что позволило снизить стоимость производства и смягчить предстоящий удар по промышленности DRAM.

Похоже, что в результате нынешнего кризиса перепроизводства многим, не очень богатым компаниям, придётся покинуть рынок, как это сделали Siliconware Precision Industries (SPIL). Другие же заводы, вроде ChipMOS Technologies, будут вынуждены уменьшать свои операционные расходы, стараясь просто выжить.

Прочие фирмы-производители оперативной памяти также последовали примеру Kingston Technology, заявив цену на 2 ГБ модули на уровне 10 долларов, сообщают источники близкие к производству.

Ожидается, что поставки памяти вырастут благодаря более привлекательным квотам. Однако источники также отмечают, что ввиду довольно мягкого розничного рынка, планируемый конечный объём продаж всё ещё слишком оптимистичен.

По данным, собранным DRAMeXchange, контрактные цены на память упали более чем на 15% в июле этого года, и при этом маловероятно, что данное снижение цены прекратится в августе.

Согласно отчётам DRAMeXchange, средняя контрактная цена на модули DDR3 памяти объёмом 2 ГБ уменьшилась на 9,4% до US$14,50 во второй половине июля, в то же время 4 ГБ модули упали в цене еще сильнее ─ на 9,7% до US$28. Цены на 1 Гб и 2 Гб чипы составили соответственно 0,75 и 1,59 доллара США.

Рид Салливан (Reid Sullivan), старший вице-президент по маркетингу мобильных развлечений компании Samsung, сообщил, что их техпроцесс 30 нм класса позволил создать невероятно сложную комбинацию низкого энергопотребления DDR3 с повышенной пропускной способностью памяти в 1,6 Гб/с.

Новые модули памяти Samsung появятся в продаже в двух вариантах: с объемом в 2 ГБ и в 4 ГБ, в конфигурациях UDIMM для домашних ПК и SODIMM, для ноутбуков. Эти модули обратно совместимы с более старыми системами и могут поставляться в упаковках по две штуки.

Салливан также заявил, что их память имеет энергопотребление на 2/3 ниже, чем память, произведенная по технологическому стандарту 60 нм. При этом новые модули имеют на 20% большую пропускную способность, чем старые, 40 нм DDR3 чипы Samsung.

Цена на новые модули памяти, с микросхемами 30 нм класса, составит от 30 до 55 долларов за один модуль, и от 55 до 110 долларов при покупке упаковки с двумя планками памяти.

Поставки чипов DDR3 недостаточны из-за того, что спрос увеличивается быстрее, чем предполагалось, сообщает господин Квон, поэтому Samsung значительно наращивает производство. Сейчас компания переводит выпуск чипов на 40-нм нормы: этот техпроцесс будет в следующем году основным.

Главным направлением деятельности Samsung сейчас является увеличение ёмкости чипов благодаря переводу существующих фабрик на более совершенные процессы производства. Поэтому строительство новых фабрик сейчас не является необходимостью для компании.

Господин Квон также отмечает, что в ноябре цены на оперативную память снова должны вернуться к «нормальному уровню».

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

По информации TrendForce мировые цены на DRAM в I квартале упали на 20%, а во II квартале это падение продолжится и составит 10—15%. Это также привело к снижению цен на VRAM.

Причиной падение стало снижение спроса, которое вынудило крупнейших производителей DRAM, таких как Samsung, Micron и SK Hynix даже сократить объёмы производства. Причём это падение даже ниже того, что было вызвано пандемией.

Кроме того, производители электроники обладают неплохими собственными запасами чипов, а значит, они не станут покупать новые партии микросхем во II квартале. Потребительский же спрос не ожидается высоким, потому цена продолжит снижаться.

Конечно же, это хорошая новость для потребителей. За последний год стоимость модулей DDR4 снизилась на треть. Но если апгрейд вам не к спеху, то лучше ещё пару месяцев подождать.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.

До недавнего времени, DDR5 была заметно дороже DDR4, но вскоре всё изменится. Так, в июле цена на чипы DDR5 упала на 20%, но это было только начало. По информации Digitimes, производители памяти начали отгружать свои чипы DDR5 поставщикам. Их склады теперь активно заполняются, а это приведёт к дальнейшему снижению цены на модули.

Ранее память DDR5 стоила вдвое дороже DDR4, сейчас же практически достигнут паритет. А вот в следующем году цена должна заметно опуститься. К примеру, модуль объёмом 16 ГБ, который стоит порядка 70 долларов через год может опуститься до 60.

Согласно отчёту ComputerBase, память DDR5-4800 теперь стоит менее пяти евро за гигабайт, что на 20% дешевле, чем месяц назад. Это заметное снижение цены, по сравнению с пятнадцатью евро, которые стоила память в конце 2021 года.

Трекер цены от ComputerBase учитывает более двухсот различных наборов DDR5. Стандартные наборы SO-DIMM (для десктопов) DDR5-4800 объёмом 32 ГБ (стандарт JEDEC) сейчас стоят 154 евро.

Что касается мобильной памяти U-DIMM, где типично используются модули по 16 ГБ, то такие модули стоят 42 евро, что более чем вдвое ниже цены февраля (99 евро).

В то же время цены на память DDR4 почти не меняются. Так, наборы G.SKILL Aegis 16GB со скоростью 3200 MT/s стоят 56 евро, что примерно эквивалентно цене полгода назад.

В IV квартале нас ожидает бурное развитие платформ с поддержкой DDR5. Так, платформы Intel Raptor Lake будут работать с более быстрой памятью, чем Alder Lake, а вот AMD AM5 вообще будет работать эксклюзивно с памятью DDR5.

Несколько дней назад обозреватели стали сообщать о дефиците чипов управления питанием для модулей DDR5. Немногим ранее MSI сообщила, что модули DDR5 будут в момент старта продаж намного дороже DDR4 на старте, из-за большей себестоимости производства. Всё это вылилось в нехватку моделей и активизацию спекулянтов.

Так, на eBay, спекулянты уже продают DDR5 за очень большие деньги. К примеру, один из продавцов просит за два набора 2×16 ГБ, то есть за 64 ГБ памяти DDR5-5200 Corsair Dominator Platinum, ни много ни мало 5000 долларов. Этой памяти в продаже нет нигде, лишь на сайте самой Corsair имеется заявленная стоимость в 339,99 долларов за каждый набор. То есть спекулянт вместо номинальных 680 долларов просит 5000.

Конечно, цена указанная Corsair на своём сайте чисто номинальная, однако переплачивать в 8 раз за набор памяти вряд ли кто-нибудь станет.

Эпоха DDR5 только-только началась, а технологические гиганты уже смотрят в будущее. Спецификация памяти DDR6 ещё не разработана JEDEC, однако корейские гигант уже занят её проектированием. Ожидается, что эта память будет работать с пропускной способностью в 12800 Мб/с, а разогнанные модели смогут выдавать до 17000 Мб/с. Кроме того, в DDR6 количество банков памяти будет увеличено в 4 раза, по сравнению с DDR4, до 64. Первые модули типа DDR6 должны появиться в 2024 году.

В ходе мероприятия компания Samsung также рассказала о 1z нм процессе для производства GDDR6, которую она назвала GDDR6+. Этот новый вариант графической памяти сможет развить скорость от 18000 Мб/с до 24000 Мб/с, что на 33% больше, чем у предшественника. На смену GDDR6+ придёт GDDR7, которая получит защиту от ошибок в реальном времени и максимальную скорость передачи данных до 32000 Мб/с.

Говоря о LPDDR6, компания Samsung особое внимания уделила вопросу энергоэффективности, хотя и скорость также должна возрасти. Компания ожидает повысить эффективность примерно на 20%, а скорость передачи данных возрастёт до 17000 Мб/с.

Наконец, компания рассказала о своих планах по производству памяти HBM3 со скоростью 800 ГБ/с и HBM2E с пропускной способностью 450 ГБ/с. Первые модули типа HBM3 южнокорейский гигант должен выпустить во II квартале 2022 года.

И вот, компания Samsung заявила о создании первых в индустрии модулей оперативной памяти LPDDR5X, которая обладает в 1,3 раза большей скоростью, чем LPDDR5, и на 20% меньшим энергопотреблением.

Процессоры M1 в MacBook используют память LPDDR4X со скоростью 4266 Мб/с, а LPDDR5X способна удвоить эту производительность. Память нового типа обеспечивает скорость до 8500 Мб/с. Другим интересным примером может служить компьютер Valve Steam Deck. В нём установлена память LPDDR5, которая работает на скорости 5500 Мб/с. Следующее поколение Steam Deck с памятью LPDDR5X будет работать в полтора раза быстрее.

Спецификация LPDDR5X утверждена как стандарт JEDEC, а значит в будущем мы увидим память этого типа и от других производителей.

После того, как в марте компания представила первые в промышленности микросхемы памяти, изготовленные с применением EUV, её инженерам удалось увеличить количество слоёв до 5, что делает технологию Samsung самой совершенной в отрасли по производству памяти DDR5.

На фоне продолжающегося уменьшения размеров элементов памяти, переход с традиционного аргон-фторидного процесса к EUV позволяет увеличить точность размещения элементов, повысить производительность и увеличить процент выхода годной продукции. Изготавливая память по 14 нм EUV технологии, Samsung удалось достичь высочайшей плотности данных, увеличив общую скорость производства примерно на 20%. Кроме того, переход на новую технологию позволил на 20% снизить энергопотребление микросхем памяти.

В дополнение, использование в микросхемах памяти DDR5 14 нм процесса Samsung позволило беспрецедентно увеличить скорость передачи данных до 7,2 Гб/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, составляющую 3,2 Гб/с.

По крайней мере так говорит глава Nanya Technology Corporation доктор Реи-Ин Ли. Об этом он заявил в ходе отчёта перед инвесторами по результатам работы в третьем квартале.

В отчёте президент Nanya употребил слово «коррекция», которое означает снижение цен на DRAM в связи со снижающимся спросом на рынке. Этот спад он связывает с дефицитом различных компьютерных компонентов, не только в потребительском сегменте, но и для построения серверов, мобильных устройств и электромобилей. При этом Nanya ожидает сохранение высокого спроса на DRAM для мобильных устройств и серверов, а также для промышленных ПК и разных потребительских продуктов, включая SSD. Наиболее вероятно, что дефицит будет наблюдаться в сегменте электромобилей, цифрового телевидения и особенно Chromebooks.

В настоящее время фирма готовит свои первые продукты DDR5 с применением технологии 10 нм класса, и опытные работы пока идут по графику. Примечательно, что Nanya сфокусировалась на чипах малой ёмкости 8 Гб, вместо 16 Гб, которые изготавливают большинство конкурентов.