Новости по теме «Samsung анонсирует потребительские SSD на базе памяти QLC»

Сейчас её уже нет, но в Интернете ничего не пропадает бесследно. Два новых SSD Samsung получили номера моделей Z-77Q8T0B/AM и MZ-77Q1T0B/AM. Как видно по маркировке, это модели объёмом 8 ТБ и 1 ТБ.

Эти накопители основаны на фирменной памяти V-NAND типа QLC. Новые устройства должны работать быстрее существующей серии 860 QVO, но не стоит ждать чудес, поскольку накопители используют медленный интерфейс SATA. Тем не менее, для хранения коллекции приложений и игр этого вполне достаточно.

Накопитель Samsung QVO предлагался по цене 130 долларов США, в то время как модель объёмом 8 ТБ появилась по цене 900 долларов.

На сайте Amazon сообщалось, что начало продаж младшей модели намечено 30 июня, а старшей — на 24 августа.

Большинство SSD с шиной PCIe 5.0 полагаются на скорость. Однако серия EVO от Samsung всегда полагалась на эффективность и доступность, именно поэтому новый накопитель компании будет обеспечивать скорость до 5000 МБ/с, при этом его энергоэффективность будет на 70% выше, чем у 970 EVO Plus.

Необычным 990 EVO делает то, что с шиной PCIe 4.0 он использует 4 линии, а с шиной PCIe 5.0 — всего 2. Это сделано для того, чтобы не занимать дефицитные линии PCIe без возможности и надобности их использования. Что касается скоростных характеристик, то новый накопитель сможет обеспечить последовательное чтение/запись на скорости до 5000/4200 МБ/с, а при случайном доступе — 700k/800k IOPS, что выше на 43%, по сравнению с прошлой моделью 970 EVO Plus.

Дата начала продаж SSD Samsung 990 EVO пока не называется. Известно, что он будет доступен в вариантах объёмом 1 ТБ и 2 ТБ.

Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.

Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.

В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.

Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.

Благодаря новому SSD южнокорейский гигант обещает обеспечить высочайшую производительность для ежедневной работы и игр. Так, скорость последовательного чтения в 1,6 раза выше, а записи — в 1,8 раза выше, чем у предшественника PM9B1. Если говорить буквально, то скорость чтения достигает 6000 МБ/с, а записи — 5600 МБ/с. При случайном доступе скорость чтения достигает 900K IOPS, а записи — 1M IOPS.

Кроме того, SSD Samsung PM9C1 обеспечивает на 70% большую энергоэффективность в работе и на 10% в режиме ожидания, что крайне важно для ноутбуков.

Также компания сообщает, что накопители поддерживают стандарт безопасности Device Identifier Composition Engine (DICE), созданный Trusted Computing Group (TCG).

Накопители Samsung PM9C1a будут доступны в объёме 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ и будут предложены в различных форматах M.2. К сожалению, сроки начала продаж компания не называет.

Модели получили названия MZ-V9P1T0 и MZ-V9P2T0. Если внимательно изучить кодировку, то становится понятно, что речь идёт о моделях объёмом 1 ТБ и 2 ТБ соответственно. Также, учитывая, что SSD 980 PRO имеет маркировку MZ-V8P1T00, замена V8 на V9 означает коммерческое наименование SSD 990 PRO.

Показанные накопители совместимы с будущими материнскими платами AMD и Intel с поддержкой PCIe 5.0. сейчас у Samsung уже есть решения для профессиональных систем и серверов с поддержкой шины PCIe 5.0. Эти SSD, построенные на собственном контроллере PM1743, развивают скорости до 13 ГБ/с. Из этого можно сделать заключение, что следующее поколение потребительских SSD компании будут обладать сходными характеристиками.

Таким образом, можно подытожить, что Samsung будет готова выпустить на рынок SSD с поддержкой шины PCIe 5.0 вместе с новыми материнскими платами, что должно принести южнокорейскому гиганту весомую прибыль.

Предполагается, что презентация семейства SSD 990 PRO состоится в начале следующего года в ходе CES 2023.

Используя эту память, Micron создала серию накопителей с интерфейсом PCIe 4.0. Серия получила номер 2400. В неё вошли модели размером M.2 2230, 2242 и 2280 и объёмом 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ.

Накопитель Micron 2400 PCIe 4.0 SSD стал первым в мире, который предлагает объём 2 ТБ в компактном формате M.2 2230. Это именно тот формат, который использован в Valve Steam Deck и других портативных системах. Также эти SSD открывают дверь будущим ультрапортативным ПК, которым требуется большой объём накопителя.

Накопитель формата 22×30 мм требует на 63% меньше места, по сравнению со стандартным SSD 22×80 мм. Что касается скорости работы, то разработчики заявляют чтение в 4500 МБ/с (4200 для моделей объёмом 512 ГБ). Может показаться, что скорость невелика, однако это самый быстрый M.2 SSD размера 2230 на рынке. Благодаря малому размеру, представленная серия SSD ориентирована в первую очередь на OEM-производителей, поэтому в рознице её доступность будет ограничена.

Компания Adata представила прототипы твердотельных накопителей NVMe M.2 для шины PCIe 5.0. Первая из представленных моделей с кодовым именем Project Nighthawk SSD построена на контроллере Silicon Motion SM2508, который обеспечивает скорость чтения и записи на уровне 14/12 ГБ/с. Накопитель Project Blackbird SSD использует контроллер InnoGrit IG5666, который работает на скорость 14/10 ГБ/с при последовательном доступе. Представленные накопители будут доступны в объёме до 8 ТБ.

Что касается Samsung, то она анонсировала NVMe-SSD модели PM1743, который содержит 6-е поколение микросхем v-NAND и собственный контроллер с поддержкой интерфейса PCIe 5.0. Этот накопитель рассчитан на серверы для коммерческих потребителей, и, по словам Samsung, он обеспечит 30% рост энергоэффективности и новые функции безопасности.

Накопитель PM1743 предлагает скорость последовательного чтения в 13 ГБ/с (2500K IOPS при случайном чтении), и запись на скорости в 6,6 ГБ/с (250K IOPS при случайной записи). Эти SSD будут выпускаться в объёмах от 1,92 ТБ до 15,36 ТБ. В настоящее время опытные образцы поставляются производителям чипсетов и серверов для тестирования, а массовое производство стартует в I квартале.

Накопитель Samsung PM1743 будет основан на проприетарном контроллере компании, а также на памяти TLC V-NAND 6-го поколения. Надёжность SSD заявлена на уровне одной перезаписи в день, а сами устройства предполагают смешанный тип нагрузки.

Накопители Samsung PM1743 предназначены для подключения по одному или двум портам PCIe Gen 5 x4. Он будет доступен в формате E3.S 1T (111,5×31,5 мм), что должно обеспечить возможность эффективного использования пространства в стойке. Что касается скорости работы этих SSD, то она пока неизвестна, однако теоретически шина может обеспечить 15,7 ГБ/с.

Примечательно, что для потребительских версий накопителей PCIe Gen 5 компания Samsung планирует использовать 7-е поколение памяти V-NAND, состоящее из 176 слоёв, однако эти устройства пока не анонсируются.

Благодаря технологии ZNS, твердотельные накопители могут предложить пользователям увеличенный срок службы в облачном окружении, центрах обработки данных и серверах хранения, при максимизации доступного пользователям пространства. В случае применения технологии ZNS данные группируются по частоте доступа и использования, и размещаются в независимых пространствах в пределах SSD.

Это устройство хранения способно уменьшать число операций записи, что в свою очередь приводит к снижению фактора усиления записи (Writer Amplification Factor — WAF). По словам разработчиков, данная функция увеличит надёжность накопителя до четырёх раз, по сравнению с традиционными NVMe-SSD.

Накопитель PM1731a построен на базе памяти Samsung V-NAND шестого поколения и предлагается в вариантах объёмом 4 ТБ и 2 ТБ. Цена и дата начала продаж пока не называется, но по словам южнокорейского гиганта, это произойдёт во второй половине 2021 года.

Главной причиной подорожания станут проблемы в производстве контроллеров NAND Flash, вызванные отключением питания на заводе Samsung в Остине.

Аналитики отмечают, что цена на накопители во втором квартале вырастет примерно на 3—8%.

Изначально предполагалось, что потребительские SSD во втором квартале не изменят своей стоимости, по сравнению с первым, однако теперь они прогнозируют небольшое подорожание. Категория промышленных SSD прогнозировалась с приростом цены 0—5% во втором квартале, теперь же прогноз поднят до устойчивого 5% подорожания.

Завод Samsung в техасском Остине столкнулся с отключением электропитания во время снежных штормов, накрывших Техас во второй половине февраля. Аналитики TrendForce полагают, что завод не вернётся к нормальной работе до конца марта, что ограничит возможности Samsung по выпуску SSD.

Пожертвовав памятью DRAM на плате накопителя, компания пошла на компромисс. Наличие DRAM-кэша традиционно позволяет ускорить передачу данных, поскольку они частично хранятся в быстром кэше и постепенно сохраняются на более медленной энергонезависимой памяти. Однако отказ от DRAM позволил заметно снизить цену устройства.

Кроме того, компания воспользовалась технологией Host Memory Buffer (HMB), которая позволяет использовать в качестве кэша системную память на контроллере CPU. Более того, благодаря применению памяти V-NAND 6-го поколения и программной оптимизации контроллера, накопитель Samsung 980 обеспечивает пристойную, для шины PCIe 3.0, скорость, а именно 3500 МБ/с при последовательном чтении и 3000 МБ/с при записи. При случайном доступе QD32 скорость чтения составляет 500K IOPS, а записи — 480K IOPS.

В дополнение корейская компания увеличила размер буфера, по сравнению с 970 Evo. Также сообщается, что новый SSD потребляет на 56% меньше энергии, что делает его более выгодным при длительной эксплуатации.

Разработчики заявляют модели NVMe SSD Samsung 980 с объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Их надёжность составляет 150 ТБ, 300 ТБ и 600 ТБ перезаписанных данных, а цена 50, 70 и 130 долларов США соответственно.

Накопители построены на мощном 12-канальном контроллере Phison E12, совместимым с шиной PCIe Gen3x4. В качестве памяти применены 96-слойные микросхемы QLC-3D-NAND. Случайная скорость чтения достигает 550 000 IOPS, а записи — 680 000 IOPS.

Главным направлением использование SSD серии Alpha является корпоративный сегмент требовательный к скорости доступа к данным, включая облачные и вычислительные задачи. Накопители обладают высокой надёжностью, обеспечивая 900 ТБ записанных данных.

Серия SSD Mushkin Alpha представлена накопителями объёмом 4 ТБ и 8 ТБ. Приобрести их можно за 650 и 1300 долларов США соответственно.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Новая серия накопителей Samsung 980 PRO PCIe 4.0 SSD представлена в вариантах объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Самой производительной является старшая версия. Она обеспечивает скорость последовательного чтения в 7000 МБ/с, а записи — 5000 МБ/с.

Версия объёмом 500 ГБ предлагает чтение на скорости 6900 МБ/с и запись на скорости 5000 МБ/с, мало чем отличаясь от старшей версии. Самый маленький накопитель, объёмом 250 ГБ, обеспечивает довольно высокую скорость чтения в 6,4 ГБ/с, но весьма слабый в плане записи — лишь 2700 МБ/с.

При создании этих накопителей Samsung использовала собственный контроллер нового поколения Elpis, который очень сильно греется, что требует от Samsung изменить систему охлаждения SSD. В накопителях 980 PRO применяется никелированный радиатор, установленный на контроллер, в то время как вся плата спереди и сзади покрыта тонкой медной фольгой. Также за температурой SSD следит технология Dynamic Thermal Guard.

О ценах на SSD Samsung 980 PRO пока ничего не сообщается.

Её новый твердотельный накопитель высокопроизводительной серии Rocket Q стал первым устройством, основанным на памяти QLC-NAND, но при этом обладающим высокой скоростью работы, для которой необходима шина PCIe 4.0.

Устройство Sabrent Rocket Q4 имеет формат M.2, выпускается в объёме от 2 ТБ до 4 ТБ и предлагает отличные скорости последовательного доступа, которые составляют для чтения/записи 4800/3600 МБ/с для младшей модели и 4900/3500 МБ/с для старшей.

Накопители предлагаются по цене 320 и 770 долларов США соответственно. Обе они продаются с радиатором премиум класса. При этом можно приобрести и версию без радиатора, она обойдётся на 20 долларов дешевле.

Новый накопитель получит номер модели 980 Pro, а его релиз запланирован на август этого года. Это будет первый накопитель компании, поддерживающий шину PCIe 4.0. Устройство должно предлагать скорость чтения до 6,5 ГБ/с, а записи — 5 ГБ/с. Для сравнения, контроллер Phison E16 обеспечивает максимальную скорость до 5 ГБ/с.

Для создания своего SSD корейская компания применит собственную двухбитную память MLC. В результате должен получиться самый быстрый SSD в мире.

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.

Компания Phison стала первой, выпустившей контроллеры для шины PCIe 4.0, а потому она уже успела провести некоторые оптимизации чипа E12. Грамотный инжиниринг позволил уменьшить размер пакета контроллера, несмотря на то, что при его производстве по-прежнему применяется процесс 28 нм. Новый контроллер E12S занимает на SSD меньше места, что позволяет производителям разместить на плате накопителя больше пакетов NAND.

Как известно, Phison не производит накопители, но это не отрицает возможности подготовки референсного решения. Компания представила NVMe-SSD с новым контроллером и 96-слойной QLC-памятью от Micron. На каждой стороне платы размещены по четыре чипа памяти, ёмкостью 1 ТБ каждый. Вместе это даёт 8 ТБ.

Контроллер E12S работает по интерфейсу PCIe 4.0×4 и обеспечивает скорости чтения/записи в 3500/3000 МБ/с при последовательном доступе и 490K/680K IOPS при случайном.

Ожидается, что подобная конструкция SSD будет появляться у многих производителей, так что дебют контроллера на рынке состоится через несколько месяцев.

Новая серия SSD предлагает такой же максимальный объём, равный 2 ТБ, но вдвое большую скорость передачи данных, благодаря применению стандарта USB 3.2 Gen 2.

Так, новый интерфейс позволил поднять скорость чтения до 1050 МБ/с, а записи — до 1000 МБ/с. Максимальная скорость работы достигается при использовании SSD с интерфейсом NVMe.

В модельном ряду Samsung подготовила два варианта: T7 и T7 Touch. Вторая версия имеет дополнительный фактор защиты в виде сканера отпечатков пальцев. Стандартно же накопитель предоставляет аппаратное шифрование AES 256-бит.

Накопители устанавливаются в алюминиевый корпус размерами 85х57х8 мм массой 58 грамм. На корпусе имеется светодиод для индикации активности.

Накопители Samsung Portable SSD T7 Touch будут доступны к приобретению уже в январе в объёмах от 500 ГБ до 2 ТБ по цене от 130 до 400 долларов США. Версия без сканера пальцев появится в следующем квартале.

Накопитель Samsung 980 Pro, предназначенный для шины PCIe Gen4, обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне до 6,5 ГБ/с, а последовательной записи — 5 ГБ/с.

Для достижения этих скоростей компания разработала собственный контроллер и улучшила память 3D-V-NAND для обеспечения большей энергоэффективности. Повысить скорость доступа к памяти удалось за счёт увеличения стека V-NAND до 128 слоёв.

К сожалению, Samsung не предоставила более подробную информацию о модели 980 Pro. Известно лишь, что она будет доступна в вариантах объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ.

Накопители Samsung 980 Pro SSD будут выпущены 21 января в США и Южной Корее. Весь остальной мир увидит их в феврале.

Новый SSD получил номер модели 665p. Он основан на QLC-NAND-памяти и является наследником серии 660p. Что касается модельного ряда, то фирма подготовит версии объёмом 1 ТБ, 2 ТБ и 512 ГБ.

В новом SSD используется 96-слойная 3D-QLC-NAND-память, расположенная в стеках на 64 слоя. Такая память применялась и в прошлом поколении, однако в новом ресурс записи был увеличен с 200 ТБ до 300 ТБ. В качестве контроллера используется микросхема Silicon Motion SM2263. Он имеет кэш-память двух типов небольшого объёма — DRAM и SLC.

Что касается скоростей, то терабайтная версия Intel 665p обеспечивает чтение на уровне 2000 МБ/с, а запись — 1925 МБ/с при последовательном доступе. При случайном доступе скорость чтения равна 160 000 операций в секунду, а при записи — 200 000 IOPS.

Цены пока не называются, но скорее всего за терабайтную версию будут просить 125 долларов США.

Однако до сих пор не было ни малейшей идеи о том, кто же будет поставщиком этих SSD. Однако компания Samsung представила слайд, связанный с будущими игровыми приставками.

На этом слайде показана производительность «оптимизированных NVMe» SSD, которая позволяет сократить время загрузки системы и запуска игр по сравнению с SATA SSD. По сути, Samsung обещает ускорить загрузку в два раза, по сравнению с SATA SSD.

К сожалению, на слайде ничего не говорится об интерфейсе подключения этих SSD. Однако ранее Sony уверяла, что это будет самый быстрый SSD на рынке, а значит, речь скорее всего идёт о PCIe 4.0. Косвенным подтверждением тому может стать платформа AMD Ryzen 3000, на которой создаются новые консоли. Как известно, этот процессор обладает контроллером PCIe 4.0.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Компания отметила, что она применяет собственную QLC технологию для построения 96-слойных 4D чипов. Она отмечает, что её новые микросхемы объёмом 1 Тбит будут доступны производителям «как раз к открытию рынка QLC».

При этом фирма сообщает, что занимается разработкой собственного программного алгоритма по работе с памятью QLC и контроллера, и планирует выпустить соответствующие решения вовремя, чтобы отвечать требованиям клиентов.

«Мы планируем выпускать собственные SSD на основе QLC со следующего года, когда ожидается значительный спрос на QLC NAND для промышленности», — заявил вице-президент и глава разработки стратегии NAND в SK Hynix Хан Джу На. «В частности, мы намерены занять надёжную позицию на рынке высокоплотных eSSD, которые заменяют жёсткие диски решениями на базе NAND Flash, поскольку имеют объём 16 ТБ или больше».

Факт поставки образцов терабитных QLC NAND микросхем прокомментировал исполнительный директор Silicon Motion Technology Уоллес Коу: «Мы получили инженерные образцы QLC от SK Hynix и мы поражены общей производительностью. Образцы отвечают требованиям к клиентским SSD».

По прогнозам IDC доля QLC памяти на рынке NAND должна вырасти с 3% в 2019 году до 22% в 2023 году, в то время как рынок eSSD будет расти по 48% в год, быстро заменив HDD в течение 5 лет.

В новом устройстве память Optane соединяется с Intel 660p QLC SSD. Полученный модуль имеет формат 2280 M.2 NVMe. Накопитель подключается по интерфейсу PCIe 3.0 x4. Технически плата содержит 16 ГБ памяти Optane и 256 ГБ QLC NAND. Также есть варианты 32+512 ГБ и 32+1 ТБ. Гибрид обеспечивает последовательное чтение на скорости 2400 МБ/с и запись — 1800 МБ/с. При работе блоками по 4K скорости чтения и записи составляют 32K и 30K операций в секунду. Надёжность декларируется на уровне 300 перезаписываемых терабайт, а гарантия производителя составляет 5 лет.

По словам Intel, устройство Optane Memory H10 обеспечивает значительный прирост производительности, по сравнению с типичными SSD. Компания декларирует 90% увеличение скорости работы в офисных приложения и при создании контента.

Накопитель работает только с процессорами Intel Core 8-го и 9-го поколений.