Новости по теме «DDR5 появится в 2020 году»

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

Модули обеспечивают скорость передачи данных 5200 МТ/с и 5600 МТ/с с таймингами CL46 и напряжением 1,1 В. Модель DIMM DDR5-5600 предлагается в объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Кроме того, подготовлены также модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, которые построены на основе чипов объёмом 24 Гб. Что касается модулей DDR5-5200, то они доступны в традиционном объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ.

Используя модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, можно в двухканальном режиме получить объём 48 ГБ и 96 ГБ, перекрыв разрыв между 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Цена на новые модули памяти пока не объявлена.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.

По данным производителя, память DDR5 позволит удвоит плотность, улучшив надёжность. При серверной нагрузке производительность памяти возрастёт на 85%.

Также память типа DDR5 боле энергоэффективна при масштабировании, и предлагает некоторые улучшения, такие как MIR («зеркальный» контакт) улучшающий сигналирование DIMM, и команды PRECHARGE и REFRESH.

Сравнение характеристик памяти типов DDR4 и DDR5 представлены в таблице ниже.

Важно отметить, что память типа DDR5 рассматривается исключительно для серверного сегмента. Пока нет планов по внедрению этой памяти в сфере настольных систем, и ни AMD, ни Intel не планируют поддерживать этот стандарт.

В любом случае, то, чем занимается Micron, является важнейшим этапом в развитии технологии оперативной памяти.

Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.

Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.

Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Компания в партнёрстве с производителями материнских плат проводила целый ряд тестов, подтверждая работоспособность и стабильность на платформах Intel 700 и 600.

Наборы T-Force Delta RGB DDR5 предназначаются для геймеров и будут доступны в объёме 48 ГБ (2×24 ГБ) на скорости 6000 МГц, 6400 МГц, 6800 МГц, 7200 МГц, 7600 МГц, 8000 МГц с XMP 3.0. Для творчества же предлагается предлагаются наборы T-Create объёмом 64 ГБ (2×32 ГБ). Это модули DDR5-6000 и DDR5-6400 с дальнейшим расширением линейки. Кроме того, серия будет включать 64 ГБ наборы DDR5-6800 и 96 ГБ наборы (2×48 ГБ) DDR5-6800.

Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.

Теперь же, благодаря Crucial и недавнему анонсу модулей объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, эти материнские платы смогут поддерживать до 96 ГБ и 192 ГБ памяти в двух и четырёх каналах соответственно.

Примечательно, что для поддержки большего объёма DDR5 платы серий 600 и 700 MAG, MEG MPG и Pro, обновления BIOS не потребуется. Достаточно просто установить модуль — и всё заработает само. По информации MSI, платы для процессоров AMD не обладают такой возможностью.

Учитывая, что для поддержки новых модулей памяти никаких манипуляций на материнских платах MSI проводить не нужно, лишь вопрос времени, когда об аналогичных возможностях заявят и другие производители.

Он использовал процессор Intel Core i9-13900K, флагманскую материнскую плату AORUS Z790 Tachyon, а также DDR5-память непосредственно от Gigabyte.

Разгон выполнялся на той же памяти, которую два месяца назад анонсировали со скоростью 9300 МТ/с. В результате оверклокер при таймингах 64-127-127-127-127 смог достичь частоты памяти 5567,5 МГц или скорости 11136 МТ/с. Этот результат в HWBOT расположился на первом месте. Примечательно, что результат был достигнут на воздухе, хоть и со специальным радиатором, а вот процессор охлаждался жидким азотом.

Пока память AORUS DDR5 не поступила в продажу. По факту, в процессе разгона её вообще впервые показали в реальности.

С такими результатами разгона можно утверждать, что память DDR5 постепенно достигает своего желанного максимума в 12600 МТ/с, однако в ближайший год стоит ждать лишь выхода в продажу памяти на скорости 10 000 МТ/с.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.

Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.

Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.

Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.

Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.

Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.

До недавнего времени, DDR5 была заметно дороже DDR4, но вскоре всё изменится. Так, в июле цена на чипы DDR5 упала на 20%, но это было только начало. По информации Digitimes, производители памяти начали отгружать свои чипы DDR5 поставщикам. Их склады теперь активно заполняются, а это приведёт к дальнейшему снижению цены на модули.

Ранее память DDR5 стоила вдвое дороже DDR4, сейчас же практически достигнут паритет. А вот в следующем году цена должна заметно опуститься. К примеру, модуль объёмом 16 ГБ, который стоит порядка 70 долларов через год может опуститься до 60.

Расшифровывается аббревиатура как Extended Profiles for Overclocking, и по сути является аналогом технологии XMP от Intel, позволяя владельцам процессоров Ryzen увеличивать производительность оперативной памяти DDR5 на основе заранее созданных профилей.

Благодаря технологии EXPO владельцы Ryzen 7000 могут использовать весь потенциал модулей памяти DDR5, применяя более агрессивные частоты и тайминги, чем заложено производителем. Технология дружественна к пользователям и легко активируется на материнских платах с сокетом AM5.

Несмотря на схожесть с Intel XMP, EXPO обладает важным отличием. Эта технология оснащена массой документации. Она предоставляет «богатый набор документов по тестированию», позволяя опытным пользователям самостоятельно оценивать способности модулей к разгону с применением индивидуальных настроек.

К моменту релиза платформы AMD Ryzen 7000 будет доступно 15 наборов памяти с поддержкой AMD EXPO от таких производителей как ADATA, G.Skill, Corsair, Geil, и Kingston. Со временем количество поддерживаемых модулей будет только увеличиваться.

Согласно отчёту ComputerBase, память DDR5-4800 теперь стоит менее пяти евро за гигабайт, что на 20% дешевле, чем месяц назад. Это заметное снижение цены, по сравнению с пятнадцатью евро, которые стоила память в конце 2021 года.

Трекер цены от ComputerBase учитывает более двухсот различных наборов DDR5. Стандартные наборы SO-DIMM (для десктопов) DDR5-4800 объёмом 32 ГБ (стандарт JEDEC) сейчас стоят 154 евро.

Что касается мобильной памяти U-DIMM, где типично используются модули по 16 ГБ, то такие модули стоят 42 евро, что более чем вдвое ниже цены февраля (99 евро).

В то же время цены на память DDR4 почти не меняются. Так, наборы G.SKILL Aegis 16GB со скоростью 3200 MT/s стоят 56 евро, что примерно эквивалентно цене полгода назад.

В IV квартале нас ожидает бурное развитие платформ с поддержкой DDR5. Так, платформы Intel Raptor Lake будут работать с более быстрой памятью, чем Alder Lake, а вот AMD AM5 вообще будет работать эксклюзивно с памятью DDR5.

Новые модули CAMM на 57% тоньше традиционных SO-DIMM, которые используются в большинстве ноутбуков и миникомпьютеров. При этом в двухстороннем исполнении модули CAMM способны разместить до 128 ГБ памяти DDR5. Невероятный объём для быстрого и лёгкого ноутбука.

Это значит, что вместо использования 4 модулей по 32 ГБ, Dell в ноутбуках серии Precision 2022 установить один модуль CAMM на 128 ГБ. При этом модули нового стандарта не являются эксклюзивом для Dell. Компания оформила патент на конструкцию, однако она создавалась при сотрудничестве других компаний и производителей памяти, включая Intel.

Новые модули памяти появятся в ноутбуках Dell в самое ближайшее время. Модулями CAMM будут оснащаться модели Precision 7770 и 7670, обе на базе процессоров Intel Alder Lake-HX.

Производитель памяти Apacer опубликовал таблицу, в которой подтвердил, что процессоры AMD Ryzen 7000 не получат поддержки памяти DDR4. Некоторые производители ПК надеялись, что Ryzen 7000 будет работать как с DDR4, так и DDR5, но надежды оказались призрачными.

Так, Apacer уверяет, что AMD с первым поколением будет поддерживать DDR5-5200, более быструю версию, чем поддерживает Intel Alder Lake (DDR5-4800). При этом обе платформы будут работать и с более быстрой памятью при условии разгона.

Исключительная поддержка DDR5 связана с тем, что AMD возлагает большие надежды на производительность своего контроллера памяти. Так ли это на самом деле, покажет недалёкое будущее.

Бренд Crucial Ballistix прекращает своё существование. Компания не имеет планов по дальнейшему выпуску продукции этого типа. Это касается таких брендов как Ballistix, Ballistix Max и Ballistix Max RGB. Компания не стала пояснять причины такого шага, при этом нигде в прессе или собственных сообщениях не шла речь о прекращении выпуска модулей памяти DDR5/DDR4 в принципе. Также компания продолжит работу на своими «NVMe и SSD» накопителями.

Компания одной из первых представила модули стандарта DDR5 для настольных ПК, даже раньше выхода процессоров 12-го поколения Core Alder Lake-S, которые пока единственные на рынке поддерживают эту память. В то же время, Crucial никогда ничего не говорил о серии Ballistix DDR5, а значит, планы по закрытию бренда существовали достаточно давно.

И вот, на сайте HWiNFO появилась информация, которая поясняет, что означает эта технология. Поддержка технологии RAMP появилась в предварительном релизе HWiNFO версии 7.17 Build 4660. Считалось, что эта технология связана с изменением частоты, однако не было понятно, частоты каких именно компонентов.

На сайте утилиты аббревиатура RAMP расшифровывается следующим образом: «AMD Ryzen Accelerated Memory Profile». Она предназначена для разгона новых модулей DDR5 за пределами стандартов JEDEC. То есть технология является аналогом Intel XMP 3.0, но будет работать с процессорами AMD архитектуры Zen 4.

Таким образом, RAMP придёт на смену A-XMP or AMP (AMD Memory Profile) или DOCP (Direct Over Clock Profile), которая сейчас используется на платах AMD.

Компания подготовила самую плотную в мире память всего через 14 месяцев после выпуска первой микросхемы DDR5, усилив свои лидерские позиции на этом рынке.

Новые микросхемы объёмом 24 Гб изготовлены по технологии 1a нм, в которой применяется процесс ультрафиолетовой литографии. Объём одной микросхемы памяти стал на треть выше, поскольку существовавшие ранее чипы имели объём 16 Гб. Кроме этого SK Hynix сумела на 25% снизить энергопотребление, в сравнении с нынешними продуктами, а также снизила энергопотребление при производстве памяти, что положительно скажется на экологии.

Память объёмом 24 Гб будет использоваться в изготовлении модулей объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Использоваться она будет в высокопроизводительных серверах, облачных ЦОД и высоконагруженных системах вроде искусственного интеллекта и машинного обучения, а также для реализации метавселенных.

Новая линейка Spark будет выпущена компанией в самом конце года. Этот модельный ряд будет включать наборы памяти объёмом 16 ГБ и 32 ГБ, а скорость их работы будет находиться в диапазоне от 4800 МТ/с до 7200 МТ/с. Новая DDR5-память будет предназначаться для работы с платформами Intel 12-го поколения Alder Lake и готовящимися чипами AMD Zen 4.

Модули Zadak Spark RGB получат чисто белый радиатор и светодиодную RGB-подсветку. Чтобы убедиться в стабильной работе своей памяти компания тесно сотрудничает с производителями материнских плат, включая Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Выпуск DDR5-памяти Zadak Spark RGB состоится до конца этого года.

Несколько дней назад обозреватели стали сообщать о дефиците чипов управления питанием для модулей DDR5. Немногим ранее MSI сообщила, что модули DDR5 будут в момент старта продаж намного дороже DDR4 на старте, из-за большей себестоимости производства. Всё это вылилось в нехватку моделей и активизацию спекулянтов.

Так, на eBay, спекулянты уже продают DDR5 за очень большие деньги. К примеру, один из продавцов просит за два набора 2×16 ГБ, то есть за 64 ГБ памяти DDR5-5200 Corsair Dominator Platinum, ни много ни мало 5000 долларов. Этой памяти в продаже нет нигде, лишь на сайте самой Corsair имеется заявленная стоимость в 339,99 долларов за каждый набор. То есть спекулянт вместо номинальных 680 долларов просит 5000.

Конечно, цена указанная Corsair на своём сайте чисто номинальная, однако переплачивать в 8 раз за набор памяти вряд ли кто-нибудь станет.

В эпоху DDR4 память G.Skill всегда была в авангарде разгона, для установки очередных рекордов зачастую использовалась именно эта память. Похоже, что с переходом на DDR5 ситуация не изменилась, и модули G.Skill Trident Z5 поставили свежий рекорд.

Модули Trident Z5 являются передовыми от G.Skill. Они предлагают высочайшие скорости для потребителей. Используя материнскую плату ASUS ROG Maximus Z690 APEX и процессор Intel Core i7-12700KF с их помощью был установлен мировой рекорд скорости DDR5 — 8704 МГц.

Оверклокер с ником hocayu достиг этой частоты используя систему охлаждения жидким азотом. Память прошла процедуру валидации.

Пока внедрение памяти DDR5 находится на раннем этапе, и рынок предлагает относительно медленные модели, однако пользователи могут ожидать появления модулей до 6800 МГц. Однако уже сейчас многие производители проектируют память DDR5 частотой выше 7 ГГц, и подобные разгон раскрывает отличные перспективы.