Новости про производство и технологии

Недавно назначенный исполнительный содиректор Марк Лиу в ходе ежегодного форума с поставщиками отметил, что завод хочет начать производство по 16 нм процессу с опережением графика. Ранее компания заявляла о начале попыток изготовления таких микросхем только в первом квартале 2015 года.

Лиу также отметил, что в следующем месяце TSMC приступит к массовому производству SoC на основе 20 нм технологии.

В дополнение Лиу рассказал и о финансовых результатах деятельности компании. Он сообщил, что благодаря 28 нм процессу в 2013 году было заработано 5,4 миллиарда долларов США, и этот процесс к концу года составит 23% от общего производства отпечатков компании.

Также был дан и прогноз развития отрасли в 2014 году. Ожидается, что мировой рынок полупроводников в 2014 году вырастет на 5%, что на процент больше ожидавшегося в 2013 году. Что же касается непосредственно производства полупроводниковых пластин, то здесь ожидается снижение роста с 11% в текущем году до 9% в наступающем. При этом рост самой TSMC будет опережать средние показатели. Содиректор считает, что после показанного в этом году роста на уровне 17—18%, TSMC ожидает также получить двухзначное число роста объёмов производства.

Однако до сих пор корейскому гиганту не удалось внедрить этот техпроцесс в производство. Вероятной причиной этого является большое количество брака. В результате, Samsung начала поиски других способов производства, для максимально скорого выпуска на рынок гибких OLED экранов.

«После того как мы набрали достаточно много опыта в этом вопросе, мы достигли того же прогресса в технологии герметизации, как и в изготовлении подложки. Мы разработали новую технологию герметизации, которая быстрее чем процесс герметизации, разработанный Vitex System почти на две минуты», — говорится в пресс-релизе Samsung Display.

Сама герметизация дисплеев крайне необходима, поскольку OLED экраны крайне восприимчивы к влаге и кислороду. Поэтому для обеспечения длительной работы компонентов надо герметизировать дисплеи.

При этом, несмотря на объявленные успехи в разработке техпроцесса выпуска гибких OLED экранов, в сообщении ничего не говорится о сроках их коммерческой доступности.

Бактерия под названием Magnetospirillum Magneitcum, которую обычно находят в бедной кислородом поверхностной воде, использует для навигации магнитное поле земли. Когда микробы поглощают железо, протеины в их организме вступают в реакцию с металлом и образуют нано-кристаллы магнетита. Команда исследователей из Лидса, под руководством Сары Стэнилэнд (Sarah Staniland), сумела извлечь из бактерий протеин Mms6, чтобы усилить способности бактерий по превращению железа в магнетит.

Главная идея заключается в использовании данного эффекта в качестве альтернативы ионам аргона, которые используются при традиционной технологии производства жёстких дисков. Новой подход позволит сохранить намного больший объём информации на меньшем пространстве. Стэнилэнд отметила, что человечество использует и злоупотребляет природой, потому что для проведения всех её экспериментов в ходе эволюции требовались миллионы лет, так что для начала работ её команде не нужно затевать всё с пустого места.

Команда взяла золотую поверхность покрытую химикатами в шахматном порядке. Один тип ячеек связывал протеин, остальные же его отражали. Далее они приложили белок к поверхности и затем покрыли его раствором железа. После чего квадраты притягивающие протеины превратили железо в магнетит, в то время как на других клетках — этого не произошло.

Наименьший размер ячеек, которого удалось достичь учёным, равнялся 20 мкм, что позволит значительно продвинуться в технологии создания магнитных накопителей. Однако, основная цель исследования — это создание единой частички железа на квадрат, что даст возможность хранить более 1 ТБ данных на квадратный дюйм. Для сравнения, сейчас плотность записи HDD не превышает 20 ГБ на квадратный дюйм.

Компания ARM хочет оптимизировать свою физическую технологическую разработку на заводах TSMC с 20 нм технологией производства, поскольку именно она обеспечивает двойной прирост производительности, по сравнению с предыдущим поколением.

Исполнительный вице-президент и старший менеджер процессорного подразделения ARM Майк Инглис (Mike Inglis) заявил, что это первый из 20 нм образцов ARM Cortex-A15 и он прокладывает путь к следующему поколению интеграции и производительности. Он отметил, что комбинация технологии TSMC, последнего процессора ARM Cortex-A15 и ARM Artisan Physical IP Solutions поможет достичь возрастающих требований на высокую производительность и энергоэффективность потребительских устройств.

В представленном отчете ARM особенно подчеркивается усиление сотрудничества между ARM и TSMC. В нём говорится, что тестовая микросхема была реализована с использованием коммерчески доступной цепочки инструментов 20 нм техпроцесса и дизайнерских услуг, обеспеченных совместной работой TSMC OIP Ecosystem и партнёров из ARM Connected Community.

Безусловно, до выхода коммерческих чипов с размером элементов 20 нм пройдёт еще некоторое время. Новый процесс требует значительного техперевооружения, а также сотрудничества с партнёрами по производству. Glofo работает совместно с поставщиками конструкторского ПО EDA в плане продвижения нового техпроцесса, который, как они полагают, является важным этапом в развитии микроэлектронной промышленности.

EDA-партнёры продемонстрировали свои инструменты, обеспечивающие поддержку технологических требований, привнесли новую технологию двойного нанесения, а также прочие усовершенствования. В Globafoundries говорят, что они создадут библиотеку конструкторских решений и сделают её доступной для всех потенциальных клиентов, которые хотят перейти на 20 нм технологию.

Производитель ничего не сообщил о сроках начала производства 20 нм чипов, однако известно, что Globalfoundries начали поставки 32 нм микросхем пару месяцев назад, и ожидается, что 28 нм чипы должны появиться уже в следующем квартале.

Такой отчет подготовила позавчера тайваньская торговая группа. Отчет основан на неназванных источниках. Свою технологию трёхмерных транзисторов компания Intel представила в мае этого года, при этом тогда же TSMC заявили, что их не интересуют подобные техпроцессы, и что все их усилия направлены на уменьшение физических размеров транзисторов. Однако уличить руководство компании во лжи вряд ли удастся, ведь между разработками Intel и TSMC есть принципиальные отличия.

Так, технология тайваньских разработчиков, получившая название (Through Silicon Vias — TSVs), представляет собой многослойные микросхемы, в которых между различными слоями существуют взаимосвязи, проходящие насквозь. В разработке Intel, под названием Tri-gate, кремниевые дорожки выступают над полупроводниковым субстратом.

Согласно отчета TAITRA, трёхмерные технологии TSMC позволят значительно увеличить плотность транзисторов в чипе, вплоть до 1000 раз. Устройства с трёхмерными микросхемами будут потреблять на 50% меньше электроэнергии. Новая технология позволит обойти множество трудностей, образованных традиционной «плоской» технологией построения микросхем.

Старший вице-президент TSMC по исследованиям и разработкам Шан-Йи Чиан подтвердил информацию, указанную в отчёте и сообщил, что их компания сейчас активно сотрудничает с разработчиками чипов для коммерциализации трёхмерной технологии производства.

«TSMC приложила много усилий, чтобы усовершенствовать свою технологию производства и производственные процессы. Имея множество партнеров и IDM клиентов мы смогли сформировать сильную конкуренцию в полупроводниковой промышленности», — сказал председатель и главный исполнительный директор TSMC Моррис Чанг. «Новая Fab 15 в центральной части Тайваня, в Научном парке подтверждает наши обязательства по обеспечению наших клиентов передовыми технологиями и удовлетворения их потребностей. Создание Fab 15 создаст дополнительно 8000 высококачественных рабочих мест, демонстрируя движение TSMC по пути корпоративной социальной ответственности».

Инвестиции TSMC в Fab 15 будут составлять более 9,3 млрд. долл и начнут приносить плоды в первом квартале 2012 года, когда объект начнёт массовое производство 40-нм и 28-нм чипов. Дальнейшее развитие планируется для изготовления подложек на более совершенных техпроцессах (20-нм и менее).

Помимо строительства новой фабрики, TSMC также вкладывают средства в расширение Fab 12 и Fab 14, которые в настоящее время выпускают до 200000 пластин в месяц. До конца этого года на этих заводах планируется достичь уровня выпуска в 240000 пластин в месяц.