Новости по теме «SK Hynix публикует детали о первом чипе DDR5»

Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.

Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.

Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.

Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.

Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.

Компания подготовила самую плотную в мире память всего через 14 месяцев после выпуска первой микросхемы DDR5, усилив свои лидерские позиции на этом рынке.

Новые микросхемы объёмом 24 Гб изготовлены по технологии 1a нм, в которой применяется процесс ультрафиолетовой литографии. Объём одной микросхемы памяти стал на треть выше, поскольку существовавшие ранее чипы имели объём 16 Гб. Кроме этого SK Hynix сумела на 25% снизить энергопотребление, в сравнении с нынешними продуктами, а также снизила энергопотребление при производстве памяти, что положительно скажется на экологии.

Память объёмом 24 Гб будет использоваться в изготовлении модулей объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Использоваться она будет в высокопроизводительных серверах, облачных ЦОД и высоконагруженных системах вроде искусственного интеллекта и машинного обучения, а также для реализации метавселенных.

В настоящее время она тестирует модули объёмом 16 ГБ и частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В. Эти значения совпадают с объявленными в октябре SK Hynix величинами для микросхем памяти. Компания рассчитывает стать пионером рынка DDR5 и выпустить свои первые наборы уже в III квартале 2021 года.

Первой платформой для памяти DDR5 должна стать Intel Alder Lake-S, которая появится примерно в то же время. Что касается AMD, то она выпустит платформу с DDR5 немного позднее, в 2022 году, когда будут готовы процессоры архитектуры Zen 4. Эти процессоры, по слухам, будут использовать сокет AM5.

По словам Teamgroup, её память DDR5 не будет требовать от пользователей входа в BIOS и выставления рабочих частот или включения технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP). Память должна сама запуститься на проверенной частоте по умолчанию, при условии, что ваш процессор и материнская плата её поддерживают.

Компания подтвердила, что она отвечает требованиям рынка будущего и готова предоставить память нового типа, когда рынок активизируется. Это значит, что SK Hynix предложит модули DDR5, как только AMD или Intel начнут их поддержку. Сейчас в SK Hynix отметили, что уже поставили образцы своей продукции в Intel для проведения валидации.

Память DDR5 будет поддерживать скорость передачи в диапазоне 4800—5600 Мб/с, что намного больше, чем у DDR4. Операционное напряжение было снижено с 1,2 В до 1,1 В, что обеспечит снижение энергопотребления на 20%.

Память также имеет интегрированный код коррекции ошибок, таким образом все пользователи этой памяти получат данное преимущество, что, в свою очередь, должно повысить надёжность программ в 20 раз. Максимальный объём модулей памяти DIMM составит 256 ГБ благодаря технологии производства микросхем Through-Silicon-Via (TSV).

Производитель ожидает, что память DDR5 будет доступна в 2021 году, а уже в 2022 году память DDR5 займёт 10% рынка, в 2024 году — 43%.

Итак, максимальная скорость новой памяти составит 8400 Мб/с. Однако по факту скорость может начинаться от 3200 МБ/с. Минимальная плотность одного ядра DDR5 составит 8 Гб, а максимальная — 64 Гб, что в 8 раз выше, чем у DDR4.

Другое изменение касается кода коррекции ошибок (Error-Correcting Code — ECC). Функция теперь не является эксклюзивной для специальных ядер, а будет использоваться для всех вариантов. Чипы DDR5 будут использовать 32 банка, разделённых на 8 банковых кластеров. Это должно обеспечить лучшую пропускную способность. Длина пакета данных составит 16, в отличие от 8 у DDR4. Это должно улучшить доступность памяти.

Что касается питания, то в DDR5 напряжение будет снижено на 0,1 В и составит 1,1 В, что позволит снизить энергопотребление на 20%.

Массовое производство DDR5 компания SK-Hynix начнёт в этом году.

Первыми на рынке будут представлены модули стандарта DDR5-5200, что почти вдвое выше, чем первоначально у DDR4-2666. Дон-Кьюн заявил: «Мы обсуждаем несколько концептов пост-DDR5. Один концепт — это поддержание нынешней тенденции по ускорению передачи данных, а другой — комбинирование технологии DRAM с процессом технологий систем-на-чипе, таких, как CPU». Дополнительных пояснений специалист не дал.

В прошлом году на SK Hynix создали работающий прототип, 16-гигабитный (2 ГБ) чип DDR5 DRAM, работающий на скорости 5200 МТ/с при напряжении 1,1 В. Это значит, что модуль с шиной 64 бита сможет работать на скорости 41,6 ГБ/с.

При этом у SK Hynix есть собственные разработки по повышению производительности чипов DDR5, не нарушая стандартов. «Мы разработали мультифазную синхронизацию, которая позволяет поддерживать напряжение в ходе высокоскоростных операций в чипе на низком уровне, размещая множество фаз внутри интегральной схемы так, что питание, используемое на каждой фазе, низкое, но скорость высокая благодаря объединению», — сообщил Ким.

Также он сообщил, что уже ведётся разработка стандарта DDR6, которому поставлена задача удвоения пропускной способности и плотностей, по отношению к DDR5.

Потребность в модернизации оперативной памяти сейчас вызвана не столько экосистемой PC, сколько портативными устройствами и электроникой самоуправляемых автомобилей.

DDR5 — это следующее поколение оперативной памяти, которое предложит высочайшую скорость и плотность при сниженном потреблении энергии, по сравнению с DDR4. Память, в первую очередь, предназначена для применения в отраслях с большим обменом данными, например, в Big Data, искусственном интеллекте и машинном обучении.

Новые 16 Гб чипы DRAM изготовлены по 1Y-нм технологии и поддерживают скорость передачи данных в 5200 Мб/с. Производитель ожидает, что в массовое производство эти чипы поступят в 2020 году. Ожидается, что с этого времени на память DDR5 появится большой спрос, и уже в 2021 году она займёт 25% рынка ОЗУ, а годом позднее — 44%.

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.

Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.

Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Компания в партнёрстве с производителями материнских плат проводила целый ряд тестов, подтверждая работоспособность и стабильность на платформах Intel 700 и 600.

Наборы T-Force Delta RGB DDR5 предназначаются для геймеров и будут доступны в объёме 48 ГБ (2×24 ГБ) на скорости 6000 МГц, 6400 МГц, 6800 МГц, 7200 МГц, 7600 МГц, 8000 МГц с XMP 3.0. Для творчества же предлагается предлагаются наборы T-Create объёмом 64 ГБ (2×32 ГБ). Это модули DDR5-6000 и DDR5-6400 с дальнейшим расширением линейки. Кроме того, серия будет включать 64 ГБ наборы DDR5-6800 и 96 ГБ наборы (2×48 ГБ) DDR5-6800.

Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.

При этом такие уменьшения размеров элементов не дают такого же эффекта, как для большинства полевых транзисторов, используемых для системной логики. Тем не менее, SK Hynix начала отправку партнёрам пятогого поколения своей памяти DRAM, с техпроцессом 1β. Целью этой отправки стала проверка работы новой памяти с системами крупнейших производителей. Что такое 1β? Это процесс, в котором размер элементов составляет 12 нм.

По информации корейской Chosun Media, в процессе верификации будет принимать участие Intel, которая уже завершила этот процесс для четвёртого поколения памяти 1α от той же SK Hynix. Процесс проходил на процессорах Xeon Scalable, а поскольку память 1β также предназначена для применения в серверах, стоит ожидать, что те же процессоры будут применены и для верификации новой памяти.

Память 1β DRAM покажет на 40% большую эффективность, однако касается это энергетической эффективности или какой-то ещё, не ясно.

Примечательно, что SK Hynix — это не единственная компания, которая выпускает память по технологии 1β. В декабре прошлого года Samsung также анонсировала технологию 1β для памяти DRAM, используя для производства процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Теперь же, благодаря Crucial и недавнему анонсу модулей объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, эти материнские платы смогут поддерживать до 96 ГБ и 192 ГБ памяти в двух и четырёх каналах соответственно.

Примечательно, что для поддержки большего объёма DDR5 платы серий 600 и 700 MAG, MEG MPG и Pro, обновления BIOS не потребуется. Достаточно просто установить модуль — и всё заработает само. По информации MSI, платы для процессоров AMD не обладают такой возможностью.

Учитывая, что для поддержки новых модулей памяти никаких манипуляций на материнских платах MSI проводить не нужно, лишь вопрос времени, когда об аналогичных возможностях заявят и другие производители.

При скорости 9,6 Гб/с память LPDDR5T оказывается на 13% быстрее стандартной памяти LPDDR5X со скоростью 8,5 Гб/с, которая была представлена в ноябре 2022 года. Именно поэтому новое более быстрое решение получило дополнительное имя Turbo.

Отмечается, что компания уже поставляет модули LPDDR5T клиентам в виде мультичиповых модулей объёмом 16 ГБ, которые могут передавать 77 ГБ данных в секунду. Для сравнения, память LPDDR4 в LPDDR4 Nintendo Switch работает на скорости 25,6 ГБ/с.

Компания сообщает, что готовится к началу массового производства памяти LPDDR5T, используя технологию 1а нм (четвёртое поколение 10 нм технологии) во второй половине этого года. Кроме этого, SK Hynix объявила о своих планах «сохранить лидерство на рынке при разработке следующего поколения памяти LPDDR6».

Модули обеспечивают скорость передачи данных 5200 МТ/с и 5600 МТ/с с таймингами CL46 и напряжением 1,1 В. Модель DIMM DDR5-5600 предлагается в объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Кроме того, подготовлены также модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, которые построены на основе чипов объёмом 24 Гб. Что касается модулей DDR5-5200, то они доступны в традиционном объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ.

Используя модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, можно в двухканальном режиме получить объём 48 ГБ и 96 ГБ, перекрыв разрыв между 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Цена на новые модули памяти пока не объявлена.

Он использовал процессор Intel Core i9-13900K, флагманскую материнскую плату AORUS Z790 Tachyon, а также DDR5-память непосредственно от Gigabyte.

Разгон выполнялся на той же памяти, которую два месяца назад анонсировали со скоростью 9300 МТ/с. В результате оверклокер при таймингах 64-127-127-127-127 смог достичь частоты памяти 5567,5 МГц или скорости 11136 МТ/с. Этот результат в HWBOT расположился на первом месте. Примечательно, что результат был достигнут на воздухе, хоть и со специальным радиатором, а вот процессор охлаждался жидким азотом.

Пока память AORUS DDR5 не поступила в продажу. По факту, в процессе разгона её вообще впервые показали в реальности.

С такими результатами разгона можно утверждать, что память DDR5 постепенно достигает своего желанного максимума в 12600 МТ/с, однако в ближайший год стоит ждать лишь выхода в продажу памяти на скорости 10 000 МТ/с.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.

До недавнего времени, DDR5 была заметно дороже DDR4, но вскоре всё изменится. Так, в июле цена на чипы DDR5 упала на 20%, но это было только начало. По информации Digitimes, производители памяти начали отгружать свои чипы DDR5 поставщикам. Их склады теперь активно заполняются, а это приведёт к дальнейшему снижению цены на модули.

Ранее память DDR5 стоила вдвое дороже DDR4, сейчас же практически достигнут паритет. А вот в следующем году цена должна заметно опуститься. К примеру, модуль объёмом 16 ГБ, который стоит порядка 70 долларов через год может опуститься до 60.

Расшифровывается аббревиатура как Extended Profiles for Overclocking, и по сути является аналогом технологии XMP от Intel, позволяя владельцам процессоров Ryzen увеличивать производительность оперативной памяти DDR5 на основе заранее созданных профилей.

Благодаря технологии EXPO владельцы Ryzen 7000 могут использовать весь потенциал модулей памяти DDR5, применяя более агрессивные частоты и тайминги, чем заложено производителем. Технология дружественна к пользователям и легко активируется на материнских платах с сокетом AM5.

Несмотря на схожесть с Intel XMP, EXPO обладает важным отличием. Эта технология оснащена массой документации. Она предоставляет «богатый набор документов по тестированию», позволяя опытным пользователям самостоятельно оценивать способности модулей к разгону с применением индивидуальных настроек.

К моменту релиза платформы AMD Ryzen 7000 будет доступно 15 наборов памяти с поддержкой AMD EXPO от таких производителей как ADATA, G.Skill, Corsair, Geil, и Kingston. Со временем количество поддерживаемых модулей будет только увеличиваться.

Согласно отчёту ComputerBase, память DDR5-4800 теперь стоит менее пяти евро за гигабайт, что на 20% дешевле, чем месяц назад. Это заметное снижение цены, по сравнению с пятнадцатью евро, которые стоила память в конце 2021 года.

Трекер цены от ComputerBase учитывает более двухсот различных наборов DDR5. Стандартные наборы SO-DIMM (для десктопов) DDR5-4800 объёмом 32 ГБ (стандарт JEDEC) сейчас стоят 154 евро.

Что касается мобильной памяти U-DIMM, где типично используются модули по 16 ГБ, то такие модули стоят 42 евро, что более чем вдвое ниже цены февраля (99 евро).

В то же время цены на память DDR4 почти не меняются. Так, наборы G.SKILL Aegis 16GB со скоростью 3200 MT/s стоят 56 евро, что примерно эквивалентно цене полгода назад.

В IV квартале нас ожидает бурное развитие платформ с поддержкой DDR5. Так, платформы Intel Raptor Lake будут работать с более быстрой памятью, чем Alder Lake, а вот AMD AM5 вообще будет работать эксклюзивно с памятью DDR5.

Новые модули CAMM на 57% тоньше традиционных SO-DIMM, которые используются в большинстве ноутбуков и миникомпьютеров. При этом в двухстороннем исполнении модули CAMM способны разместить до 128 ГБ памяти DDR5. Невероятный объём для быстрого и лёгкого ноутбука.

Это значит, что вместо использования 4 модулей по 32 ГБ, Dell в ноутбуках серии Precision 2022 установить один модуль CAMM на 128 ГБ. При этом модули нового стандарта не являются эксклюзивом для Dell. Компания оформила патент на конструкцию, однако она создавалась при сотрудничестве других компаний и производителей памяти, включая Intel.

Новые модули памяти появятся в ноутбуках Dell в самое ближайшее время. Модулями CAMM будут оснащаться модели Precision 7770 и 7670, обе на базе процессоров Intel Alder Lake-HX.

Производитель памяти Apacer опубликовал таблицу, в которой подтвердил, что процессоры AMD Ryzen 7000 не получат поддержки памяти DDR4. Некоторые производители ПК надеялись, что Ryzen 7000 будет работать как с DDR4, так и DDR5, но надежды оказались призрачными.

Так, Apacer уверяет, что AMD с первым поколением будет поддерживать DDR5-5200, более быструю версию, чем поддерживает Intel Alder Lake (DDR5-4800). При этом обе платформы будут работать и с более быстрой памятью при условии разгона.

Исключительная поддержка DDR5 связана с тем, что AMD возлагает большие надежды на производительность своего контроллера памяти. Так ли это на самом деле, покажет недалёкое будущее.