Новости по теме «Force Media представили USB флэшку с двумя коннекторами»

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Предприятие Технодинамика, входящее в корпорацию, разработало специализированный USB-флеш-накопитель, который построен на вполне традиционной NAND-памяти и типичном контроллере. Однако он имеет батарею и электрический детонатор, который можно использовать для разрушения содержимого накопителя. Процесс выполняется нажатием одной кнопки на краю накопителя, которая активирует детонатор и «выжигает цепь печатной платы кумулятивным зарядом».

Разработчики сообщают, что процесс безопасен для пользователей. Несмотря на громкое название «детонатор», взрыва не происходит. Во флешке нет опасных веществ. Корпус остаётся нетронутым. В общем, всё произойдёт предельно тихо, а не как в фильмах про шпионов.

Игорь Насенков, исполнительный директор Технодинамики, сообщил, что эта флешка создана для защиты информации от возможного несанкционированного доступа. Пока разработка находится на этапе тестирования и её ждёт ещё множество проверок на надёжность при длительной работе, механическую и климатическую стойкость. Также разработчикам ещё нужно определиться с конструкцией корпуса.

Конечно, большинству пользователей вполне достаточно того встроенного шифрования AES-256, что предлагают современные безопасные накопители. Но наверняка каждый сможет представить отрасли, где кроме шифрования нужно применять и дополнительные меры, включая физическое уничтожение данных вместе с носителем.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

Вам нужно быстро переписать данные с ПК на телефон или планшет, а может нужно подключить флэшку к устройству Android, но у вас нет подходящих переходников? Тогда вам пригодится новая флэшка от Sanwa Direct, которая поддерживает два способа подключения, без необходимости в дополнительных переходниках.

С одной стороны накопители серии 600-GUSD имеют традиционный USB коннектор, а с другой могут подключаться в разъём microUSB, так что одно устройство можно легко подключать к двум типам разъёмов. Кроме того, над полноразмерным USB штекером устройства расположен порт для карт памяти microSD, благодаря чему можно с лёгкостью и большой скоростью переписать данные с одного мобильного устройства на другое.

Однако, не смотря на то, что флэшку можно подключить к любому устройству на базе Android, оно не имеет стопроцентной совместимости. Лишь только те гаджеты, в которых есть поддержка универсальных USB накопителей (Honeycomb и выше), смогут распознать память 600-GUSD.

Разработчик готовится выпустить на японский рынок две версии таких накопителей. Флэшка объёмом 4 ГБ будет стоить порядка 24 долларов США, а за 8 ГБ придётся отдать 30 долларов. О том, когда накопители выйдут на мировой рынок, и выйдут ли вообще, ничего не сообщается.

Контроллер поддерживает структуры по 8 и 4 КБ на страницу и обещает доступ на скорости до 180 МБ/с. Новый контроллер пригоден для обслуживания накопителей объёмом от 512 МБ до 1024 МБ. Поставки чипа начнутся в январе будущего года, а первые устройства с новым контроллером от TDK выйдут уже в апреле.

Кроме высокой скорости передачи данных в контроллер также была добавлена функция повторного считывания, которая призвана убедиться в правильности сохранения данных при использовании NAND памяти с MLC последнего типа. Вместе с автовосстановлением, рандомайзером данных и функцией автообновления, которые реализованы в современных версиях контроллеров GBDriver, новый чип обеспечивает прорыв в будущее хранения данных в твердотельной памяти.

Также новый контроллер позволяет обеспечить невероятно высокую надёжность хранения данных благодаря расширенной функции ECC, позволяющей расширить ECC до 71 бита на 512 байтный блок.

Компания Samsung подготовила к продаже свой новый высокоёмкий SSD накопитель, подключаемый посредством SATA 3. Максимальная ёмкость накопителя составляет 512 ГБ. По заявлению компании, уже начато производство этого SSD, который планируется устанавливать в высокопроизводительные ноутбуки в конце этого года.

Samsung не сообщили подробной информации об этом устройстве, однако известно, что в накопителе использована флэш-память MLC NAND с контроллером собственной разработки. Разработчики обещают, что скорость чтения с SSD составит порядка 500 МБ/с, в то время как скорость запси будет несколько ниже, и составит 350 МБ/с.

О цене на накопители ничего не сообщалось, однако не сложно догадаться, что для приобретения ноутбука с таким устройством придется опустошить не только кошелёк, но и банковский счёт.

Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.

Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.

В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.

Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.

Компания Kioxia, в сотрудничестве со своим производственным партнёром Western Digital, готовится продемонстрировать свою инновацию в сфере 3D-NAND. Так, будет представлен документ, описывающий 8-плоскоснтные 3D-TLC-NAND устройства объёмом 1 Тб, состоящие из 210-ти активных слоёв и интерфейса 3,2 ГТ/с. Эти устройства обеспечивают задержки чтения в 40 мкс и программную пропускную способность в 205 МБ/с. Метод «один импульс два строба» и декодер гибридной адресации строк облегчает развязку проводников, сокращая в результате время чувствительности и ускоряя передачу данных.

Кроме этого, компании работают над устройствами с более чем тремястами активными слоями, применяя технику индуцированной металлической направленной кристаллизации, с никелевым геттерированием и прочими передовыми подходами. Заявляется, что эти решения позволяют снизить шумы при чтении на 40% и усилить проводимость канала в десять раз не снижая надёжности ячейки.

Благодаря чипам 3D X-DRAM, NEO Semiconductor надеется создать микросхемы памяти объёмом 128 Гб (16 ГБ) при 230 слоях, обеспечив 8-кратный прирост плотности, по сравнению с 2D DRAM чипами. В пресс-релизе компании говорится: «Память 3D X-DRAM от NEO Semiconductor является первой в своём роде структурой подобной 3D-NAND DRAM, основанной на безъёмкостной технологии с плавающим телом. Её можно производить по процессу, подобному современному 3D-NAND с необходимостью изменения лишь одной маски и отверстий линии данных, чтобы формировать ячеестую структуру внутри отверстий. Ячеестая структура упрощает шаги процесса и обеспечивает высокую скорость, плотностью и низкую стоимость при высокой степени выпуска годной продукции».

В будущем же, к 2035 году, разработчики ожидают выпустить чипы DRAM объёмом 1 Тб (256 ГБ). Большие планы, особенно учитывая, что сейчас новые компьютеры редко оснащаются более 16 ГБ памяти. А вот в отрасли машинного обучения, где требуются огромные объёмы ОЗУ, такое решение придётся как нельзя кстати.

SSD AORUS Gen5 10000 был представлен в прошлом году. В ходе анонса было сообщено, что накопитель построен на базе 232-слойной 3D-TLC-NAND-памяти и контроллере Phison E26, изготовленного по 12 нм процессу. Также накопитель содержит DDR4-кэш и SLC-кэширование. В результате, SSD демонстрирует на 37% большую производительность в сравнении с накопителями для шины PCI Express 4.0 (x4).

Скорости чтения и записи у AORUS Gen5 10000 SSD в объёме 1 ТБ составляет 9500 МБ/с и 8500 МБ/с соответственно. Надёжность — 700 ТБ. Модель объёмом 2 ТБ достигает скоростей 10 000 МБ/с и 9500 МБ/с, а надёжность 1400 перезаписанных терабайт.

Очевидно, что этому SSD нужно мощное охлаждение. Модель AORUS Gen5 10000 SSD обладает гигантским радиатором «M.2 Thermal Guard XTREME». Накопитель потребляет порядка 10 Вт в работе и менее 85 мВт в простое. Номинальная наработка составляет 1,6 миллиона часов.

Компания CFD Gaming приступила к поставкам своего первого NVMe-SSD стандарта PCIe Gen5. Соответствующие платформы доступны потребителям уже около года, однако только сейчас стали появляться SSD с соответствующими возможностями.

SSD от CFD появился на японском рынке. Его особенностью стало использование шумного вентилятора на верху радиатора. Пока не ясно, можно ли его использовать с радиатором материнской платы.

Как показал обозреватель, в ходе тестирования этот SSD использовал вентилятор на очень большой скорости, который был более шумным, чем стоковый Core i7-13700K. Возможно, что столь высокие обороты вентилятора вызваны именно режимом тестирования, и в номинальном режиме работы он не будет столь активным.

Что касается скорости, то в быстром тесте CrystalDiskMark накопитель ёмкостью 2 ТБ с лёгкостью прошёл порог в 10 ГБ/с как при чтении, так и при записи. В объёме 1 ТБ накопитель выдаёт чуть меньшую скорость — порядка 9,5 ГБ/с.

Благодаря новому SSD южнокорейский гигант обещает обеспечить высочайшую производительность для ежедневной работы и игр. Так, скорость последовательного чтения в 1,6 раза выше, а записи — в 1,8 раза выше, чем у предшественника PM9B1. Если говорить буквально, то скорость чтения достигает 6000 МБ/с, а записи — 5600 МБ/с. При случайном доступе скорость чтения достигает 900K IOPS, а записи — 1M IOPS.

Кроме того, SSD Samsung PM9C1 обеспечивает на 70% большую энергоэффективность в работе и на 10% в режиме ожидания, что крайне важно для ноутбуков.

Также компания сообщает, что накопители поддерживают стандарт безопасности Device Identifier Composition Engine (DICE), созданный Trusted Computing Group (TCG).

Накопители Samsung PM9C1a будут доступны в объёме 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ и будут предложены в различных форматах M.2. К сожалению, сроки начала продаж компания не называет.

Этот ход ограничит возможности YMTC по приобретению нового оборудования и обслуживания существующего, ограничив дальнейшее развитие технологии памяти 3D-NAND-Flash и сократив объёмы производства.

Со временем позиции YMTC на рынке NAND-Flash будут ослабляться, особенно, если к санкциям присоединятся Япония и Нидерланды, производящие необходимое оборудование. Препятствия для YMTC окажутся огромными. Заменить американское оборудование китайским невозможно. Дополнительно, компании за пределами Китая будут опасаться применять память, произведенную YMTC, не желая попасть под возможные вторичные санкции. Это приведёт к тому, что компания будет выпускать продукцию лишь для внутреннего рынка. При этом аналитики считают, что уже в 2024 году YMTC будет вынуждена покинуть рынок 3D-NAND-Flash из-за невозможности конкурировать.

В ближайшее время YMTC ожидает технологический застой, который может разрушить рыночную долю компании и заставить её изучать новые рынки.

Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.

Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.

К счастью, в ближайшие месяцы цена на SSD должна снизиться. Согласно информации TrendForce, на рынке скоро сложится ситуация, которая приведёт к снижению цены.

Во-первых, наблюдается перепроизводство NAND-памяти, и склады производителей заполнены. Во-вторых, потребительский спрос на накопители резко снизился, что приведёт к накоплению на складах готовых изделий, а значит, стремлению производителей от них избавиться, для чего нужно будет снизить цену.

Учитывая эти два фактора аналитики прогнозируют, что к концу текущего квартала цена на SSD снизится (по крайней мере должна) на 8—10%.

По информации Kioxia, из-за недостаточной чистоты компонентов, используемых для производства памяти BiCS 3D-NAND, было остановлено производство на заводах в Йоккаити и Китаками. Эта память широко используется для производства SSD для широкого спектра потребителей. Компания добавила, что надеется на «быстрое восстановление нормальной работоспособности», а объёмы потерь пока только оценочные.

Что касается Western Digital, то она заявила об утрате 6,5 экзабайт, которые стали браком. Сейчас компания также прикладывает усилия по восстановлению работы этих предприятий.

Остановка производства произошла в январе. Учитывая, что уже прошло несколько недель, выпуск продукции может быть прекращён на несколько месяцев. Кроме того, в настоящее время неизвестно, вовремя ли были выявлены загрязнения. Вполне возможно, что часть некачественной продукции уже была отправлена заказчикам, и придётся делать её отзыв.

Всего в мире за прошлый год были выпущены твердотельные накопители суммарным объёмом 207 экзабайт. Потери в 6,5 ЭБ не выглядят на этом фоне чем-то гигантским, но тем не менее, аналитики ожидают подорожания флэш-памяти на 5—10%.

Эта технология включает применение твердотельной памяти в механических магнитных жёстких дисках, что, по сути, является реинкарнацией технологии SSHD.

Однако OptiNAND имеет заметные отличия от SSHD. В новом подходе память NAND больше не рассматривается как отдельное устройство хранения, она интегрируется в HDD особым образом со специальным алгоритмом прошивки, позволяя создавать ёмкие высокопроизводительные устройства объёмом более 20 ТБ.

Компания опубликовала большой документ, в котором рассказала принцип действия новых гибридных HDD. Суть технологии заключается в сохранении в NAND-памяти метаданных накопителя.

По словам разработчиков «HDD генерирует гигабайты метаданных, которые можно использования для увеличения плотности хранения». Эти данные быстро разрастаются и становятся слишком большими для хранения в ОЗУ, а доступ к ним с HDD оказывается слишком медленным. Решением стала встроенная память iNAND со специальной прошивкой. Метаданные используются жёсткими дисками для увеличения плотности записываемых данных при применении трёхэтапного срабатывания.

Каков будет объём памяти в будущих HDD компании пока не сообщается, однако компания отметила, что OptiNAND будет хранить в 50 раз больше данных, чем предыдущие HDD, в случае потери питания. Также накопитель может работать в режиме SLC или TLC, в зависимости от типа текущей нагрузки.

Такая сделка станет первым (и возможно последним) крупным рыночным изменением для Kioxia после её ухода из Toshiba Corporation в качестве отдельного бизнеса по выпуску флеш-памяти. Если сделка состоится, то мы получим мегакомпанию, которая включает три крупнейших производителя памяти: Kioxia, Western Digital и SanDisk. При этом первая и последняя компании в списке смогут выпускать передовые и быстрые решения на основе флеш-памяти, в то время как WD обеспечит рынок «тёплыми» и «холодными» хранилищами, то есть, жёсткими дисками.

Технология 5G должна резко увеличить объёмы передаваемых данных, а новый транстихоокеанский консорциум сможет их разместить.

Пока Kioxia отказывается комментировать эту информацию. Компания готовится к размещению акций на бирже, и они будут включать долю Toshiba и Bain Capital. В то же время, на фоне слухов, акции Western Digital поползли вверх. Сумма сделки оценивается в 20 миллиардов долларов.

Этот стартап уверяет, что разработал технологию, которая позволит сделать плотные чипы NAND более жизнеспособными. Она позволит получить ценовое преимущество QLC-NAND с пропускной способностью, сравнимой или опережающей SLC-NAND. Более того, архитектура X-NAND, как её назвали разработчики, не требует переработки конструкции ячеек и массивов или технологии производства.

Суть технологии заключается в том, что архитектура X-NAND разделяет 3D-flash-память на 16—64 плоскостей, вместо традиционных 4-х плоскостей. «Это обеспечивает сверхвысокую производительность для устройств 5G и AI с нулевым приростом стоимости производства».

Более подробно ознакомиться с технологией X-NAND можно на сайте разработчиков.

В настоящее время Neo хочет лицензировать технологию X-NAND главным игрокам рынка, таким как WD, Samsung, Micron или Kioxia. Однако пока нет признаков того, что фирмы из этой четвёрки проявили интерес.

Новые модули памяти Western Digital iNAND MC EU551 предназначены для обеспечения высочайшей производительности в потребительских устройствах хай-энд класса, таких как камеры сверхвысокого разрешения, устройствах AR/VR, играх и видео 8K.

Накопитель iNAND MC EU551 стал первым продуктом, построенным на платформе UFS 3.1, обеспечив более быструю память NAND и более быстрый контроллер, улучшенную версию прошивки, что в итоге позволяет:

• на 100% увеличить производительность при случайном чтении и до 40% при случайной записи;
• на 90% увеличить скорость последовательной записи, чтобы раскрыть потенциал сетей 5G и Wi-Fi 6;
• на 30% увеличить производительность в последовательном чтении, что ускорит загрузку устройства и увеличит скорость выгрузки данных в Сеть.

Встраиваемый накопитель Western Digital iNAND MC EU551 UFS 3.1 сейчас проходит опытное производство, а массовое производство начнётся уже в июле. Представленные накопители предлагаются в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.