Новости про GDDR6

Память GDDR7 будет выпускаться в модулях по 16 Гб. Она придёт на смену GDDR6 со скоростью 24 Гб/с, выпущенной в прошлом году. Новая конструкция, несмотря на высокую скорость работы обеспечивает дополнительную стабильность работы. Так, пропускная способность GDDR7 составляет 1,5 ТБ/с, что в 1,4 раза выше, чем у GDDR6. Также увеличена пропускная способность контакта до 32 Гб/с. Эти улучшения стали доступны благодаря смене метода сигналирования с Non Return to Zero (NRZ) на Pulse Amplitude Modulation (PAM3), который позволяет передавать на 50% больше данных за один цикл сигналов.

Кроме того, память на 20% более энергоэффективна, чем GDDR6. Минимизация выделения тепла выполнена за счёт применения нового компаунда корпуса микросхемы, который обладает большей теплопроводностью, а также за счёт изменений в самой архитектуре интегральной схемы, что в сумме дало 70% снижения температурного сопротивления. Это обеспечит более стабильную работу в устройствах с плохим теплоотводом, таких как смартфоны и ноутбуки.

Южнокорейский гигант отметил, что квалификация первых образцов памяти состоится в течение этого года.

Память получила название GDDR6W. Её чипы изготовлены в классическом пакете BGA и будут предназначены для устройств среднего сегмента.

В настоящее время чипы GDDR6 и GDDR6X содержат память DRAM и 32-битный интерфейс. В то же время GDDR6W содержит два таких ядра памяти и два интерфейса в 32 бита. В результате объём чипа увеличился с 16 Гб до 32 Гб, а ширина интерфейса с 32 бит до 64 бит.

Технология, по которой собираются эти микросхемы, получила название Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Она пришла на замену традиционным печатным платам с распределительным слоем, обеспечивая меньшую толщину и лучшее соединение.

Таким образом, GDDR6W использует тот же протокол, что и GDDR6, но обеспечивает большую ёмкость и пиковую производительность. По сравнению с GDDR6 скорость передачи данных вырастает с 88 Гб/с до 176 Гб/с, а объём чипа с 16 Гб до 32 Гб. То есть для размещения одинакового объёма памяти потребуется вдвое меньше микросхем.

По сути, Samsung создала аналог HBM2E, только заметно дешевле и проще в монтаже на плате.

Память относится к 10 нм классу (процесс 1z). Для её производства используется экстремальная ультрафиолетовая литография, а сами микросхемы, очевидно, предназначены для использования в видеокартах нового поколения, ноутбуках, консолях и системах HPC.

Микросхемы разрабатывались с новой конструкцией и с использованием совершенных изоляционных материалов (High-K Metal Gate; HKMG), которые минимизируют ток утечки. Благодаря этому компания создала память, на 30% более быструю, по сравнению с нынешними 16 Гб/с модулями. В видеокартах премиального уровня такая память обеспечит общую пропускную способность в 1,1 ТБ/с. При этом микросхемы созданы в соответствии со спецификациями JEDEC, что означает полную совместимость со всеми конструкциями GPU.

Также новая линейка памяти имеет маломощную опцию, что позволит продлить срок автономной работы мобильных устройств. Подобные микросхемы обладают на 20% большей эффективностью и питаются напряжением 1,1 В, что на 0,25 В меньше, чем по стандарту для GDDR6.

Компания представила первый образец памяти GDDR6-AiM, работающий на скорости 16 Гб/с. Новая память отличается от предыдущих решений, поскольку содержит дополнительные вычислительные возможности, что позволяет снимать часть нагрузки с GPU или CPU, и увеличивать конечную производительность до 16 раз.

Новая память GDDR6-AiM предназначена для систем машинного обучения, высокопроизводительных расчётов, устройств хранения и Big Data. Память GDDR6-AiM питается напряжением 1,25 В, что на 0,1 В ниже, чем у GDDR6. Кроме того, благодаря вычислительным возможностям снижается объём передаваемых данных между памятью и CPU+GPU, что в сумме обеспечивает снижение энергопотребления на 80%.

Отмечается, что благодаря новой памяти SK Hynix сможет построить новую экосистему с собственным вычислительным функционалом.

Новые микросхемы памяти уже появились в каталоге продукции Samsung, правда, в каталоге пока не говорится, где эта память найдёт применение, хотя очевидно, что это будут видеокарты нового поколения или топовые модели нынешнего. Если NVIDIA в старших моделях заменит память GDDR6X на новые версии GDDR6, то при ширине шины памяти в 384 бит удастся развить скорость в 19,5 Гб/с.

Также они наверняка найдут себе место в видеокартах архитектуры AMD RDNA3 и NVIDIA Lovelace среднего уровня. Примечательно, что модули памяти с пропускной способностью 24 Гб/с упакованы в пакет 180FGBA, который применяется, в частности, с RX 6900 XT.

Таким образом, NVIDIA может стать первым производителем видеокарт, где будет примениться память быстрее 20 Гб/с, поскольку RTX 3090 Ti с модулями по 21 Гб/с, выйдет в январе. Самая быстрая карта AMD, Radeon RX 6900 XT LC, предлагает скорость 18,5 Гб/с.

Эпоха DDR5 только-только началась, а технологические гиганты уже смотрят в будущее. Спецификация памяти DDR6 ещё не разработана JEDEC, однако корейские гигант уже занят её проектированием. Ожидается, что эта память будет работать с пропускной способностью в 12800 Мб/с, а разогнанные модели смогут выдавать до 17000 Мб/с. Кроме того, в DDR6 количество банков памяти будет увеличено в 4 раза, по сравнению с DDR4, до 64. Первые модули типа DDR6 должны появиться в 2024 году.

В ходе мероприятия компания Samsung также рассказала о 1z нм процессе для производства GDDR6, которую она назвала GDDR6+. Этот новый вариант графической памяти сможет развить скорость от 18000 Мб/с до 24000 Мб/с, что на 33% больше, чем у предшественника. На смену GDDR6+ придёт GDDR7, которая получит защиту от ошибок в реальном времени и максимальную скорость передачи данных до 32000 Мб/с.

Говоря о LPDDR6, компания Samsung особое внимания уделила вопросу энергоэффективности, хотя и скорость также должна возрасти. Компания ожидает повысить эффективность примерно на 20%, а скорость передачи данных возрастёт до 17000 Мб/с.

Наконец, компания рассказала о своих планах по производству памяти HBM3 со скоростью 800 ГБ/с и HBM2E с пропускной способностью 450 ГБ/с. Первые модули типа HBM3 южнокорейский гигант должен выпустить во II квартале 2022 года.

Теперь Micron поставляет собственную графическую память для производства видеокарт серии RX 6000, которые содержат модули GDDR6 объёмом по 16 Гб и суммарным объёмом до 16 ГБ. Это значит, что AMD появился новый поставщик видеопамяти.

Уже в скором времени видеокарты моделей AMD RX 6600 и RX 6700, оснащённые памятью от Micron, будут поступать в продажу, что должно помочь AMD произвести большее число ускорителей и увеличить их доступность в рознице в IV квартале 2021 года.

По имеющимся данным видеокарта AMD Radeon RX 6900 XTX получит высокопроизводительный процессор Navi 21 XTXH с высокочастотной памятью GDDR6 со скоростью 18—18,5 Гб/с. В результате карта окажется быстрее, чем NVIDIA GeForce RTX 3090 от NVIDIA.

Новые слухи гласят, что карта Radeon RX 6900 XTX получит производительность 24,93 терафлопса, что вполне соответствует работе на частоте в режиме Boost для водоохлаждаемой карты. Также отмечается, что на слайде указана скорость работы памяти как 18 Гб/с, в то время как раньше говорилось о 18,5 Гб/с. Это связано с тем, что слайд касается более ранней версии ускорителя с неутверждёнными характеристиками.

Основной причиной высокой цены принято считать дефицит производства процессоров, однако большое влияние на ценообразование оказывает стоимость памяти GDDR6. Память этого типа используется в качестве кадрового буфера в видеокартах, и сейчас цена этой памяти производства Micron составляет 13—16 долларов за гигабайт. Эта цена за последние месяцы удвоилась.

Даже если допустить, что партнёры AMD ввиду больших объёмов договорились о поставках вдвое дешевле, по 6,5 долларов за гигабайт, то выходит, что 8 ГБ видеопамяти GDDR6 в RX 6600 XT стоят 52 доллара. Это самый оптимистичный сценарий, который не включает стоимости дальнейшего размещения чипов памяти на плате. В худшем случае на память приходится 128 долларов из 379, которые стоит ускоритель.

Конечно, производители могут в будущем использовать память GDDR6 производства SK Hynix или Samsung, однако вряд ли стоимость микросхем будет намного ниже.

На запрос Tom's Hardware компания AMD официально сообщила, что более 80 новых конструкций на основе настольного набора 4700S будут доступны к покупке через разных системных интеграторов и OEM-партнёров. Фактически, некоторые из них уже продаются в Азии по цене в диапазоне от 320 до 700 долларов.

Представитель AMD заявил:

«AMD 4700S Desktop Kit — это полностью уникальное решение, разработанное для желающих иметь на мейнстрим рынке надёжную, многоядерную производительную систему, идеальную для многозадачности и лёгкой работы с 3D.

Мы ожидаем увидеть более 80 конструкций на рынке от наших партнёров системных интеграторов, начиная с 24 июня. Цены на эти системы будут анонсированы нашими системными интеграторами по мере выхода».

Настольный набор 4700S состоит из 8-ядерного процессора на основе архитектуры Zen 2 с охлаждением, отличным от моделей фирменных кулеров Wraith. На платформе также расположены 16 ГБ памяти GDDR6, при этом плата не имеет слотов для памяти. В целом эта платформа максимально приближена к решению для Sony PS5, за исключением графического ядра.