Новости про GDDR6 и HBM2

Samsung создаёт новую память GDDR6

Компания Samsung представила новые модули памяти типа GDDR6, которые обладают увеличенной производительностью и объёмом.

Память получила название GDDR6W. Её чипы изготовлены в классическом пакете BGA и будут предназначены для устройств среднего сегмента.

В настоящее время чипы GDDR6 и GDDR6X содержат память DRAM и 32-битный интерфейс. В то же время GDDR6W содержит два таких ядра памяти и два интерфейса в 32 бита. В результате объём чипа увеличился с 16 Гб до 32 Гб, а ширина интерфейса с 32 бит до 64 бит.

Чип Samsung GDDR6W

Технология, по которой собираются эти микросхемы, получила название Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Она пришла на замену традиционным печатным платам с распределительным слоем, обеспечивая меньшую толщину и лучшее соединение.

Таким образом, GDDR6W использует тот же протокол, что и GDDR6, но обеспечивает большую ёмкость и пиковую производительность. По сравнению с GDDR6 скорость передачи данных вырастает с 88 Гб/с до 176 Гб/с, а объём чипа с 16 Гб до 32 Гб. То есть для размещения одинакового объёма памяти потребуется вдвое меньше микросхем.

По сути, Samsung создала аналог HBM2E, только заметно дешевле и проще в монтаже на плате.

HBM2 у SK Hynix стоит вдвое дороже первого поколения

Компания SK Hynix представила финансовый отчёт по результатам работы во втором квартале этого года, в котором прокомментировала финансовую сторону производства памяти HBM2.

Производитель памяти сообщил, что работает с множеством партнёров, чтобы обеспечить выпуск на рынок памяти GDDR6 и HBM2. Одним из важнейших заявлений компании стало то, что компания по-прежнему не приступила к массовому производству памяти HBM2. При этом она даже не готова назвать дату коммерческого выпуска продукции, ограничившись размытым «вторым полугодием» 2017.

По сравнению с устаревающей технологией GDDR5, процессы GDDR6 и HBM2 станут более дорогими. Компания не стала сообщать точных сумм, но отметила, что клиенты будут платить в 2,5 раза больше, чем за первое поколение HBM. Конечно, это неполная информация, так что сравнение получилось очень приблизительным.

Таким образом, южнокорейская Samsung является единственным производителем памяти HBM2 в мире. Возможно, поэтому AMD так сильно задержала выпуск видеокарт Radeon RX Vega.

Следующая GeForce не получит память HBM2

Процессоры NVIDIA Volta для искусственного интеллекта будут доступны с памятью HBM2 в составе систем DGX 1. Однако Volta для видеокарт будут принципиально от него отличаться.

Нет сомнений, что GPU для GeForce будет совершенно иным процессором. Компания не станет использовать в этих процессорах все возможности технологий, и скорее всего это произойдёт из-за достаточно высокой эффективности 1080 Ti и Titan Xp, основанных на GP102.

Сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, отмечает, что GeForce нового поколения не получит память HBM2. Просто для этого ещё слишком рано, да и дорого. Конечно, такой ответ вы получите у NVIDIA. AMD, как известно, давно нацелена на стековую память в видеокартах на базе архитектуры Vega. Однако начиная с видеокарт Maxwell, NVIDIA используется превосходный механизм сжатия данных, поэтому компании просто нет нужды использовать столь быструю память.

Будущее топовое решение GeForce, имя которого пока неизвестно, будет использовать память GDDR5X. Что касается памяти GDDR6, то её использование также преждевременно. Кроме того, эта память не появится раньше начала следующего года.

SK Hynix представила спецификации HBM2 и GDDR6

Десять дней назад производитель памяти, компания SK Hynix, представила первые микросхемы памяти GDDR6, и вот теперь компания опубликовала спецификации этих микросхем.

Также компания анонсировала доступность памяти HBM2. Вероятно, поэтому AMD до сих пор не могла выпустить видеокарты Vega. Если же AMD воспользуется памятью HBM2 от SK Hynix, то скорость работы памяти составит 410 ГБ/с при комплектации двумя стеками.

High-Bandwidth-Memory 2
ПлотностьПропускная способность СкоростьДоступность
4 ГБ256 ГБ/с2,0 Гб/сQ3 2016
4 ГБ204 ГБ/с1,6 Гб/сQ3 2016
4 ГБ256 ГБ/с2,0 Гб/сБудет уточнёно
4 ГБ204,8 ГБ/с1,6 Гб/сQ1 2017
4 ГБ204,8 ГБ/с1,6 Гб/сQ2 2017

Что касается GDDR6, то эта память будет готова в последней четверти года. Данную память намного легче интегрировать в видеоплаты, поэтому она обладает большим, чем HBM2, потенциалом. Чипы GDDR6 объёмом 8 Гб будут представлены в двух вариантах. Быстрая версия предложить скорость в 14 Гб/с, а медленная — 12 Гб/с. Это означает, что пропускная способность памяти достигнет 672 ГБ/с при ширине шины 384 бита и 448 ГБ/с при шине 256 бит. Для сравнения, в видеоплате GeForce GTX 1080 (Ti) память работает со скоростью 11 Гб/с.