Новости про DDR5

Используя материнскую плату MSI MEG Z890 Unify-X с процессором Intel Core Ultra 7 265K и модули память Kingston FURY Renegade 24GB CKD он разогнал их до 6097,6 МГц, превратив память в DDR5-12916. Задержки при этом составили 48-120-120-127-2. Результат был верифицирован HWBOT.org и CPU-Z.

Примечательно, что процессор работал в конфигурации 2P+0E и на частоте лишь 400 МГц. Охлаждение, по всей видимости, выполнено жидким азотом, поскольку температура ядра составляла всего 5° С.

По новому процессу 1c были выпущены первые образцы чипов DDR5 объёмом 16 Гб. Это шестое поколение технологии с размером элементов 10 нм, благодаря чему открывается дорога к дальнейшему уменьшению элементов при производстве памяти.

В компании заявили: «уровень сложности уменьшения процесса технологии 10 нм уровня возрастал от поколения к поколению, однако SK Hynix стала первой в индустрии, превзошедшей технологические ограничения повысив уровень уплотнения в конструкции, благодря её лидирующей технологии 1b, пятого поколения процесса 10 нм».

Ким Чонван, глава подразделения DRAM заявил, что компания обеспечит «дифференцированный подход к клиенту при внедрении технологии 1c». Он добавил, что новая технология будет использована «продуктах следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7».

В производстве по технологии 1c используется новый материал, оптимизированный процесс EUV, в то время как улучшения в энергоэффективности позволят снизить стоимость электроэнергии для центров обработки данных до 30%.

Kingston Technology и MSI совместно представили решение, демонстрирующее эти новые технологии. Так, компании использовали память Kingston Fury Impact DDR5 на материнской плате MSI Project Zero PLUS Z790, дав понимание возможности использования CAMM2 в настольных ПК и оценив возможность разгона.

Применение CAMM2 открывает весьма интересные перспективы. Эта память намного ниже традиционных модулей DDR, что позволяет разместить её ближе к процессору и продумать новую более эффективную систему охлаждения, а главное — снизить помехи и ускорить передачу данных.

Новый стандарт памяти потребляет на 58% меньше энергии и занимает на 64% меньше места, чем обычные модули DDR5 SODIMM, что позволяет создавать более эффективные портативные устройства.

Используя память LPDDR5X, компания Crucial предлагает пользователям скорость в 7500 МТ/с, что в 1,3 раза больше, чем ноутбучная DDR5 SODIMM. Компания готовит модули LPDDR5X 7500 LPCAMM2 объёмом 32 ГБ и 64 ГБ по цене 210 и 395 долларов США соответственно.

Данное изменение уже появилось в версии Windows Insider 22635.3570б которая доступна для бета теста.

В чём же суть дела? В 1990-х года в компьютерах использовалась память SDRAM, передача данных в которой была синхронизирована с тактовой частотой. К примеру, частота 100 МГц означала скорость передачи в 100 миллионов транзакций в секунду. Позднее, когда компьютеры перешли на память DDR SDRAM, передача данных удвоилась и при частоте 100 МГц уже осуществлялось 200 МТ/с.

Про современную память DDR5 пишут, что она работает на частоте 6000 МГц, однако на самом деле, это 6000 МТ/с, а реальная частота работы памяти составляет 3000 МГц. Если говорить о графической памяти GDDR5X, то тут уже отношение скорости к частоте составляет 4.

Таким образом компания Microsoft решила внести ясность в этот вопрос работы оборудования.

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

Компания отметила, что, в отличие от 16 Гб модулей, для производства которых использовалась технология Through Silicon Via (TSV), микросхемы объёмом 32 Гб не нуждается в ней. Тем не менее, энергопотребление у новых модулей на 10% меньше, чем у прошлого поколения. В результате эта память является хорошим решением для систем с высоким энергопотреблением, вроде промышленных центров обработки данных.

Новые микросхемы памяти DDR5 объёмом 32 Гб запланированы к массовому производству на конец этого года.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.